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公开(公告)号：KR101708748B1
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150135174
申请日：2015-09-24
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: A61L31/16 , A61K31/137 , A61K31/192 , A61K31/196 , A61K31/337 , A61K31/343 , A61K31/365 , A61K31/385 , A61K31/436 , A61K31/4365 , A61K31/4375 , A61K31/519 , A61K31/565 , A61K31/616 , A61K31/727 , A61K33/00 , A61K33/06 , A61K33/08 , A61K33/14 , A61K33/16 , A61K35/644 , A61K38/07 , A61K39/3955 , A61K45/06 , A61L31/022 , A61L31/10 , A61L31/148 , A61L2300/41 , A61L2300/416 , A61L2300/42 , A61L2420/08 , C07K16/2848 , C07K2317/24 , C07K2317/55 , A61K2300/00
Abstract: 본발명은, 스텐트의시공간다중제어가가능한지능성약물방출조절형스텐트및 이의제조방법에관한것으로서, 스텐트와, 스텐트내외부표면에형성되며, 카테콜기함유접착유도체가도입된생리활성물질을포함하는나노커플링층, 스텐트외면에형성된, 생체적합성고분자와혼합된재협착방지제와염증억제제를포함하는제1코팅층, 및상기제1코팅층상부및 스텐트내부의나노커플링층상에코팅되며, 혈전방지제와염증억제제를포함하는제2코팅층을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种时空多功能智能药物洗脱可调节支架及其制造方法，其包括：支架，形成在支架的内表面和外表面上的纳米耦合层，并且包括生物活性材料，儿茶酚 引入含基团的粘合剂衍生物，以及形成在第一涂层的上部和支架内部的纳米结合层上的第二涂层，并且包括抗血栓剂和抗炎剂。
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公开(公告)号：KR101907143B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：KR1020130143014
申请日：2013-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은대출력펄스스퍼터링방법을이용하여유리기판표면에다공성의산화규소박막을증착하여입사광의반사율을감소시키고투과율을증가시킴으로써입사광의이용률이향상된반사방지막의제조방법및 그에의하여제조된반사방지막에관한것이다. 본발명은마그네트론스퍼터링을이용하여기판상에반사방지막을증착함에있어서, 증착원에인가되는펄스직류전력의피크전력밀도가 0.1 kW/cm~ 10 kW/cm인것을특징으로한다. 본발명에의하여제조된다공성산화규소박막은박막내에많은기공을포함하고있어박막의굴절률이낮으므로, 입사광의반사율감소및 투과율증대를통하여입사광이용률이향상된반사방지막을구현할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101715127B1
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020150152289
申请日：2015-10-30
IPC: A61K31/513 , A61K31/505 , A61K31/18
Abstract: 본발명은피리미딘카복실레이트유도체또는이의약제학적으로허용가능한염 또는이의용매화물을유효성분으로함유하여 NMO-IgG와아쿠아포린 4 단백질의결합을저해시킴으로써 NMO-IgG와아쿠아포린 4 단백질의결합에의해유발되는질병, 바람직하게는시신경척수염또는퇴행성신경계질환을예방또는치료할수 있는약학조성물에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150059432A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130143014
申请日：2013-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은대출력펄스스퍼터링방법을이용하여유리기판표면에다공성의산화규소박막을증착하여입사광의반사율을감소시키고투과율을증가시킴으로써입사광의이용률이향상된반사방지막의제조방법및 그에의하여제조된반사방지막에관한것이다. 본발명은마그네트론스퍼터링을이용하여기판상에반사방지막을증착함에있어서, 증착원에인가되는펄스직류전력의피크전력밀도가 0.1 kW/cm~ 10 kW/cm인것을특징으로한다. 본발명에의하여제조된다공성산화규소박막은박막내에많은기공을포함하고있어박막의굴절률이낮으므로, 입사광의반사율감소및 투과율증대를통하여입사광이용률이향상된반사방지막을구현할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有优异性能的抗反射膜的制造方法，以及由该反射膜制造的防反射膜，以提高入射光的利用率，同时随着反射率的降低和作为多孔的入射光的透射率的增加 氧化硅薄膜通过大输出脉冲溅射法沉积在玻璃基板的表面上。 根据本发明，在通过磁控溅射将抗反射膜沉积在基板上时，施加到沉积源的脉冲直流电力的峰值功率密度为0.1-10kW / cm 2。 根据本发明，多孔氧化硅薄膜在薄膜内部包含大量孔，以减少薄膜的反射率，从而起反射膜的作用，通过反射率的降低改善了入射光的利用率， 入射光透过率的增加。
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公开(公告)号：KR101503000B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130125355
申请日：2013-10-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/265
Abstract: 본 발명은 스트레인이 완화된 실리콘-게르마늄 버퍼층(strain-relaxed SiGe buffer layer) 제조하는 방법 및 이에 의하여 제조된 실리콘-게르마늄 버퍼층에 관한 것이다, 본 발명은 게르마늄(Ge)을 실리콘 웨이퍼에 직접 플라즈마 이온주입하고 후속 열처리 공정을 이용함으로써, 기존의 제작 방법에 비하여 매우 간단한 공정으로 스트레인이 완화된 실리콘-게르마늄 버퍼층을 제조하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造应变松弛Si-Ge缓冲层和由其制成的Si-Ge缓冲层的方法。 与现有的制造方法相比，本发明通过简单的工艺制造应变松弛的Si-Ge缓冲层，其通过在硅晶片中直接注入等离子体离子中的Ge并使用后热处理工艺。
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公开(公告)号：KR1020150021776A
公开(公告)日：2015-03-03
申请号：KR1020130099157
申请日：2013-08-21
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B1/113 , C23C14/358 , G02B1/115
Abstract: 광투과율이 우수한 반사방지막의 제조방법 및 그에 의하여 제조된 반사방지막에 관한 것이다. 본 발명은 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 기판상에 반사방지막을 형성하는 함에 있어서, 진공조 내부의 가스 공정 압력이 20 ~ 200 mTorr 이고, 상기 반사방지막은 다공성 박막인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 20~ 200 mTorr의 높은 공정압력에서 마그네트론 증착원을 이용한 반응성 증착으로 다공성 박막을 증착하게 되면, 박막의 기공 형성에 의해 유리 기판의 반사율이 감소하고 투과율이 증가할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 반사방지막을 비정질 실리콘 태양전지에 적용하면 에너지 변환효율을 증가시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 다층 반사방지막 방법 또는 글랜싱 앵글 증착 방법이 아닌, 하나의 진공조 내에서 높은 공정 압력 조건에서 다공성 산화규소 박막을 유리 기판에 증착할 수 있기 때문에, 한층 간단한 방법으로 별도의 과정 없이 비정질 실리콘 박막 태양전지의 유리 기판에 반사방지막을 제작할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过该方法制造的具有优异透光性的抗反射膜和抗反射膜的制造方法。 通过使用磁控溅射法在基板上形成防反射膜。 真空室中的工艺气体压力为20-200mTorr，防反射膜为多孔薄膜。 根据本发明，如果在20-200mTorr的高工艺压力下通过使用磁控管沉积源的反应沉积法沉积多孔薄膜，则玻璃基板的反射率可以降低，透光率可以是 由薄膜的孔形成增加。 此外，当将本发明的抗反射膜应用于硅太阳能电池时，可以提高能量转换效率。 此外，根据本发明，不使用多层防反射膜法或扫视角淀积法，在玻璃基板上，在高压处理条件下，可以在玻璃基板上沉积多孔氧化硅膜 真空室，因此无需额外的工艺，可以在非晶硅薄膜太阳能电池的玻璃基板上制造防反射膜。
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公开(公告)号：KR1020140038771A
公开(公告)日：2014-03-31
申请号：KR1020120105293
申请日：2012-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3485 , H01J37/3405 , H01J37/3467
Abstract: A method for depositing a metal thin film on a substrate is disclosed. The method for depositing a metal thin film on a substrate, according to the present invention, comprises the steps of mounting a substrate on a substrate mounting stand located inside a vacuum chamber; vacuuming the inside of the vacuum chamber using a vacuum pump; maintaining the internal pressure of the vacuum chamber to be constant by injecting a gas to be used into the vacuum chamber; and applying a bipolar pulsed direct current generated at a bipolar pulsed direct current generator to a magnetron sputtering deposition source mounted on the vacuum chamber.
Abstract translation: 公开了一种在衬底上沉积金属薄膜的方法。 根据本发明的在基板上沉积金属薄膜的方法包括以下步骤：将基板安装在位于真空室内的基板安装台上; 使用真空泵对真空室的内部进行抽真空; 通过将真空室内的气体注入真空室来保持真空室的内部压力恒定; 以及将在双极脉冲直流发电机处产生的双极脉冲直流电应用到安装在真空室上的磁控溅射沉积源。
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