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11.发明公开
公开(公告)号：KR1020170038499A
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020150137941
申请日：2015-09-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/205
Abstract: 본원발명은원격고주파유도결합플라즈마가적용된화학적기상증착방법을이용하여금속촉매표면위에고품질육방질화붕소막 (h-BN, Hexagonal Boron Nitride, White Graphene) 을성장시키는공정기술에대한것으로, 보다구체적으로는금속촉매를가열하여금속촉매표면의그레인크기를증가시키는어닐링단계; 어닐링된 금속촉매를육방질화붕소막제조온도로급속냉각하는금속촉매냉각단계; 육방질화붕소막의전구체를공급하는전구체공급단계; 원격고주파유도결합플라즈마를적용하여금속촉매위에육방질화붕소막을형성하는육방질화붕소막제조단계; 및상기육방질화붕소막을상온으로급속냉각하는육방질화붕소막냉각단계를포함하는것을특징으로하는원격고주파유도결합플라즈마를이용한육방질화붕소막의제조방법에대한것이다. 본원발명은기존의 1,000℃이상의높은온도에서화학기상증착법을적용하여제조되던육방질화붕소막을기존에비하여매우낮은온도인 500 내지 600 ℃에서도고품질로제조할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明作为用于远程感应耦合等离子体的工艺技术是使用化学气相沉积工艺，以在高品质的六方氮化硼膜（的h-BN，六方氮化硼，白石墨烯）生长的金属催化剂的表面，具体而言施加更 加热金属催化剂以增加金属催化剂表面的晶粒尺寸的退火步骤; 将退火后的金属催化剂骤冷至氮化硼硼膜形成温度的金属催化剂冷却工序; 提供硼六叠氮化物膜的前体的前体供应步骤; 通过应用远程高频电感耦合等离子体在金属催化剂上形成六氟化硼膜来制备硼六键氮化硼膜的步骤; 并且本发明涉及使用远程感应耦合等离子体包含六方晶系氮化硼薄膜冷却的六方氮化硼薄膜快速冷却至室温步骤六方氮化硼膜的制造方法。 本发明具有产生六方氮化硼可在温度高于1000℃现有相比于常规优质甚至从500至600℃很低的温度下释放通过应用化学气相沉积工艺制备的膜的优点。
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公开(公告)号：KR101712003B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020150109065
申请日：2015-07-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/314 , H01L21/02
Abstract: 기판상에형성된하부전극; 하부전극상에순차적으로형성된하부절연층, 활성층및 상부절연층; 및상부절연층상에형성된상부전극을포함하는메모리소자로서, 활성층은화학기상증착으로성장된이황화몰리브덴(MoS)을포함하고, 하부및 상부절연층은각각화학기상증착으로성장된육방정질화붕소(h-BN)를포함하는것을특징으로하는쌍안정성비휘발성메모리소자가제공된다.
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公开(公告)号：KR101703814B1
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150131191
申请日：2015-09-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은결정성장유도체및 용매를이용한 2차원소재박막의두께를조절하는방법에관한것으로, 보다상세하게는결정성장유도체에하나이상의용매를혼합하여코팅층을형성한후 칼코게나이드계및 전이금속전구체를각각투입하여화학기상증착법에의해 2차원소재박막을형성시킴으로써박막의대면적화가가능한동시에단층또는다층구조의박막을형성할수 있으며, 공정이용이하고, 유독가스대신칼코게나이드계전구체를사용함으로써친환경적이며, 이를이용하여트랜지스터의반도체활성층, 고성능의집적회로, 필드이펙트트랜지스터, 수소발생반응(hydrogen evolution reaction)의촉매전극, 리튬이온전지의전극, 센서, 광감지장치, 플렉서블디바이스및 커패시터등의부품에활용가능한결정성장유도체및 용매를이용한 2차원소재박막의두께를조절하는방법에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020180011662A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：KR1020160094336
申请日：2016-07-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B32B37/24 , C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/56 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C16/52 , B32B9/00 , B32B9/04
CPC classification number: B32B37/24 , B32B9/007 , B32B9/045 , B32B2037/246 , B32B2307/7242 , C23C14/0652 , C23C14/08 , C23C16/02 , C23C16/26 , C23C16/52 , C23C16/56
Abstract: 그래핀계배리어필름의제조방법으로서, 금속촉매층상에제1 화학기상증착공정을수행하여예비그래핀층을형성하는단계; 해당예비그래핀층에제2 화학기상증착공정을수행하여해당예비그래핀층을그래핀층으로변환시키는단계; 해당그래핀층상에고분자보호막을형성하는단계; 해당그래핀층의일면으로부터금속촉매층을제거하는단계; 및해당금속촉매층이제거된그래핀층을대상기판에전사시켜그래핀계배리어필름을형성하는단계; 를포함하는그래핀계배리어필름의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 1。一种石墨烯阻挡膜的制造方法，其特征在于，包括：在金属催化剂层上进行第一化学气相沉积工艺以形成预截平层; 在所述前体石蜡层上执行第二化学气相沉积工艺以将所述前体石墨层转变为石墨烯层; 在石墨烯层上形成聚合物保护膜; 从石墨烯层的一侧除去金属催化剂层; 然后将去除了金属催化剂层的石墨烯层转移到目标衬底上以形成石墨烯阻挡膜; 提供基于阻隔膜。
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公开(公告)号：KR101709704B1
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150094375
申请日：2015-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B32B37/025 , B32B38/10 , B32B2037/246 , B32B2313/04 , B32B2457/14 , B82Y40/00 , C01B31/043 , C01B31/0438 , C01B32/182 , C01B32/23 , Y10T156/10 , Y10T428/30
Abstract: 본발명은그래핀, 그래핀옥사이드, h-BN, MoS, WS, MoS, WS, MoSe, WSe탄소나노튜브로구성된군에서선택된 1 종이상을포함하는소재를석유젤리(Petroleum Jelly, 예: 상품명 vaseline)를전사지지체로사용하여유연기판, 전도체, 유전체또는반도체성소재로이루어진군에서선택되는어느하나인제 2 기재에손상없이전사하고, 전사후 석유젤리전사지지체를손쉽게제거하는방법에대한것으로전사지지체인석유젤리는가격이매우저렴하고친환경적이며공기중에서산화가되지않고화학적안정성을가지고있고, 상온에서는고체형태이나녹는점이 37 ℃정도로낮기때문에전사하고자하는소재를전사공정이끝날때까지안정적지지및 산화방지등의부가적기능의수행이가능하다. 뿐만아니라비교적낮은용융온도를가지므로적은에너지를이용하여지지체를녹여서제거가가능하고소수성유기용매에대한용해도도매우크므로용매를사용하는경우에도소재의표면에남지않고깨끗하게제거가가능한장점이있다.
Abstract translation: 本发明的石墨烯，石墨烯氧化物，的h-BN，MOS，WS，MOS，WS，摩西，WSE含有至少一种选自由碳纳米管，凡士林组成的组中选择的材料（凡士林，例如，商品名： 凡士林）转印片到约一个使用从柔性基底，导体，电介质，或由无损坏半导体材料传递的组中选出摄取2衬底上的转印片材构件，和凡士林转印片构件转印后容易地除去 延迟凡士林被稳定地支撑和氧化，直到价格很便宜，环境友好型，并具有没有在空气中被氧化的化学稳定性，在以固体形式或在传输结束的熔点室温步材料由于被转移到下部的程度，37℃ 可以执行其他功能，例如预防。 此外，有可能的优点，而不必离开材料的表面干净地除去，即使相对因为，通过使用可用能量与使用溶解度图少量的除去溶解的支撑的低熔融温度的溶剂为疏水性有机溶剂非常大 。
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公开(公告)号：KR1020160115505A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020150043309
申请日：2015-03-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B21/064 , C01B35/14 , B32B9/00
CPC classification number: C23C16/342 , C01B21/0641 , C01P2002/82 , C01P2004/01 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C23C16/01 , C23C16/0209 , C23C16/56 , C25B1/02 , C01B21/064 , B32B9/00 , C01B35/146 , C01P2006/40 , C01P2006/60
Abstract: 본발명은기재위에복층의육방정계질화불소(hexagonal boron nitride: h-BN) 후막을제조하는방법에대한것으로, 보다구체적으로는 (a) 제 1 기재를가열하는기재가열단계; (b) 가열된상기제 1 기재에 h-BN 전구체를공급하는 h-BN 전구체공급단계; (c) 공급된상기 h-BN 전구체를제 1 기재에용해시키는전구체용해단계: 및 (d) h-BN 전구체가용해된제 1 기재를냉각시키는기재냉각단계;를통하여기재위에복층의 h-BN 후막을형성하는방법과상기제조방법에따라제조되는복층의 h-BN 후막;과상기 h-BN 후막과적층구조를이루는기재를포함하는적층체에대한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及在基板上制造多层六方氮化硼（h-BN）厚膜的方法，更具体地说，涉及一种在基板上形成多层h-BN厚膜的方法，该方法包括：（a） （b）将h-BN前体供应到加热的第一基底的h-BN前体供应步骤，（c）将所供应的h-BN前体溶解在第一基底中的前体溶解步骤， 以及（d）将含有溶解的h-BN前体的第一基板冷却的基板冷却工序，以及包含通过制备方法制备的多层h-BN厚膜的层压体和形成具有h- BN厚膜
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公开(公告)号：KR1020180124259A
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：KR1020170058464
申请日：2017-05-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은환경친화적이며경제적인방법으로얻은투명하고유연한나노섬유시트에전도성을부여하는것을특징으로하는전도성나노섬유멤브레인의제조방법에관한것이다. 상기전도성나노섬유멤브레인은투명성및 유연성이우수하고, 통전성능이뛰어나므로태양전지, 트랜지스터, 디스플레이, 바이오센서, 가스센서등의전자소재또는기능성의류소재등에유용하게사용될수 있다.
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公开(公告)号：KR101851171B1
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：KR1020160094336
申请日：2016-07-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B32B37/24 , C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/56 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C16/52 , B32B9/00 , B32B9/04
Abstract: 그래핀계배리어필름의제조방법으로서, 금속촉매층상에제1 화학기상증착공정을수행하여예비그래핀층을형성하는단계; 해당예비그래핀층에제2 화학기상증착공정을수행하여해당예비그래핀층을그래핀층으로변환시키는단계; 해당그래핀층상에고분자보호막을형성하는단계; 해당그래핀층의일면으로부터금속촉매층을제거하는단계; 및해당금속촉매층이제거된그래핀층을대상기판에전사시켜그래핀계배리어필름을형성하는단계; 를포함하는그래핀계배리어필름의제조방법이제공된다.
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