公开(公告)号：KR100132539B1

公开(公告)日：1998-04-16

申请号：KR1019940012262

申请日：1994-06-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강광남 ,  이정일 ,  김회종 ,  한일기 ,  최원준 ,  이유종 ,  이명복

IPC: H01L21/027

Abstract: Computer central processing unit scans electron beam by scanning circuit by running analog/digital convertor and detects generating signal with detector(S10). Detected signal converted through analog/digital convertor after passing through an image signal amplifier and is stored at data storing device by computer central processing unit. Stored signal outputs to computer monitor and outputs to electron microscope monitor(S11) through an image signal amplifier from a detector(S10). Therefore, electron beam lithography device carries mask pattern alignment from an output alignment mark image and by using electron beam blocker(S4) blocks electron beam and controls electron microscope magnification so all electron beam lithography area are positioned within range of scanning.

Abstract translation: 计算机中央处理单元通过运行模拟/数字转换器扫描电路扫描电子束，并用检测器检测生成信号（S10）。 检测信号通过模拟/数字转换器通过图像信号放大器后转换，并由计算机中央处理单元存储在数据存储装置中。 存储的信号输出到计算机监视器并通过来自检测器的图像信号放大器输出到电子显微镜监视器（S11）（S10）。 因此，电子束光刻设备从输出对准标记图像和使用电子束阻挡器（S4）携带掩模图案对准，阻止电子束并控制电子显微镜放大率，使得所有电子束光刻区域位于扫描范围内。

公开(公告)号：KR100326773B1

公开(公告)日：2002-03-12

申请号：KR1019990044158

申请日：1999-10-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  강광남 ,  김선호 ,  우덕하 ,  이석 ,  한일기 ,  김회종 ,  이희택

IPC: H01L21/18

Abstract: 본발명은양자우물무질서화기술에서유전체-반도체덮개층조합에의한 InGaAs/InGaAsP 양자우물밴드갭의조작방법에관한것으로서, 유전자덮개층을이용하여 InGaAs/InGaAsP 양자우물구조기판에국부적으로다른밴드갭을형성하기위한양자우물무질서화공정에있어서, 상기유전체덮개층으로 SiN나 SiO를사용하고 InGaAs/InGaAsP 양자우물상부의반도체덮개층으로동일두께의 InP이나 InGaAs 혹은 InGaAsP 을사용하여양자우물을무질서화하는경우, 상기유전체덮개층및 반도체덮개층을이용한유전체-반도체조합을양자우물기판상에형성하고소정온도및소정시간의열처리를통하여양자우물구조기판에국부적으로다른밴드갭을형성시킴으로써양자우물구조의밴드갭이동량을조절할수 있다.

公开(公告)号：KR1020010077692A

公开(公告)日：2001-08-20

申请号：KR1020000005660

申请日：2000-02-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박윤호 ,  이석 ,  강병권 ,  김선호 ,  우덕하 ,  최원준 ,  변영태 ,  한일기 ,  김회종

IPC: H01L31/14

Abstract: PURPOSE: A method for extending the gain bandwidth of a semiconductor optical amplifier is provided to extend the gain bandwidth by forming differently the thickness of quantum well layers and by using all wave lengths of the light irradiated from each quantum well layer. CONSTITUTION: In a semiconductor optical amplifier, the structure of quantum well layers comprises InGaAs/InGaAsP/InP. The quantum well layers of different thickness are used as a combination. The combination of the quantum well layers has different barrier. The farther from p-layer, the thinner quantum well layer is arranged. Therefore, the quantum well layers have flat gain characteristic in a wide area and low critical current.

Abstract translation: 目的：提供一种用于扩展半导体光放大器的增益带宽的方法，以通过不同地形成量子阱层的厚度并且通过使用从每个量子阱层照射的光的全部波长来扩展增益带宽。 构成：在半导体光放大器中，量子阱层的结构包括InGaAs / InGaAsP / InP。 使用不同厚度的量子阱层作为组合。 量子阱层的组合具有不同的屏障。 距离p层越远，布置了较薄的量子阱层。 因此，量子阱层在广泛区域和低临界电流下具有平坦增益特性。

公开(公告)号：KR1019950033667A

公开(公告)日：1995-12-26

申请号：KR1019940011792

申请日：1994-05-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강광남 ,  이정일 ,  우덕하 ,  김회종 ,  이석 ,  이유종 ,  이명복

IPC: G03F7/00

Abstract: 본 발명은 전자 현미경을 그 본래의 기능을 살리면서 전자빔 리소그래피를 할 수 있도록 간단한 부가 장치로 개조하여 사용함으로써 다층의 마스크 제작시 각각의 마스크 패턴을 간단히 수정할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 방법은 전자 현미경의 기능을 활용하므로써 마스크를 만들기 직전에 마스크의 결함을 간단히 수정 보완할 수 있다는 장점과 전자 현미경 기능을 그대로 살리면서 전자빔 리소그래프를 하여 시료위에 패턴을 직접 묘사할 수 있고 마스크를 제작할 수 있다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1019960002545A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019940012262

申请日：1994-06-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강광남 ,  이정일 ,  김회종 ,  한일기 ,  최원준 ,  이유종 ,  이명복

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 다층 집적회로 제조용 마스크(Mest)를 제작시 사용하는 전자빔리소그래프(lithography)장치 및 다층의 공정 레벨 관련 패턴을 정렬하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 발명은 전자 현미경에 후방 산란 전자를 검지하고 그 검지 신호를 처리하기 우한 부가적인 전자회로 장치를 사용하지 않고, 전자 현미경에 간단한 기능만을 추가한 리소그래피의 다층 정렬방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 다층 집적회로 제조용 마스크를 제작하는데 사용되는 전자 현미경을 이용한 전자빔 리소그래피 장치는, 전자빔을 차단하기 위한 전자빔 차단기를 포함하는 전자 현미경, 아날로그 디지탈 변환기, 및 상기 아날로그 디지탈 변환기에 의해 변환된 디지탈 신호를 저장 및 출력하기 위한 컴퓨터를 포함하며 구성된다.