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公开(公告)号：KR100137676B1
公开(公告)日：1998-04-27
申请号：KR1019960019036
申请日：1996-05-31
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 박종구
IPC: C04B35/583
Abstract: 본 발명은 입방정 질화붕소 분말에 소결 조제를 가하고 이를 소결하여 입방정 질화붕소 소결체를 제조함에 있어서, 소결 조제로서 질화규소와 질화티타늄의 혼합물을 사용하는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100119192B1
公开(公告)日：1997-09-30
申请号：KR1019940018896
申请日：1994-07-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01G3/02
Abstract: A high-temperature superconductor is disclosed which has a critical temperature of 165-260K and contains a composition expressed by following formula: (Ca1-xMx)2CuO3+ ; wherein x is a number greater than 0 but not greater than 0.25, M stand for at least element selected from the group consisting Hg, Ba La, and Cd, and is a number between -0.2 and 0.2. A calcium source is selected from CaO3, Ca(OH)2 and Ca(NO3)2, and at least one dopant is selected from the group consisting HgO, Ba(NO3)2 and BaCO3, LaCO3 and La(NO3)2, and CdO. The high-temperature superconductor can be produced by synthesizing and sintering a calcium source, copper oxide powder and at least one dopant.
Abstract translation: 公开了一种高温超导体，其具有165-260K的临界温度，并包含由下式表示的组成：（Ca1-xMx）2CuO3 +; 其中x是大于0但不大于0.25的数，M表示选自Hg，Ba La和Cd中的至少一种元素，并且为-0.2至0.2之间的数。 钙源选自CaO 3，Ca（OH）2和Ca（NO 3）2，并且至少一种掺杂剂选自HgO，Ba（NO 3）2和BaCO 3，LaCO 3和La（NO 3）2，以及 氧化镉。 可以通过合成和烧结钙源，氧化铜粉末和至少一种掺杂剂来生产高温超导体。
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公开(公告)号：KR1019960010588A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019950031529
申请日：1995-09-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은 (a) 하기조성을갖는조립분말을제공하는단계 (여기서, p는 5 내지 20중량%, q는 0 내지 1.5중량%, r은 15 내지 30중량%, s는 0 내지 5중량%이고, 다만 q와 s는동시에 0중랑%는아니고, MeC는 VC, WC, TaC 또는 NbC 중에서선택된 1종또는 2종이상의탄화물이다.); b)상기조립분말을가압성형하는단계; 및 c)분말성형체를소결시키는단계로이루어지는것을특징으로하는잔류기공이없는 TiN 고용체의고상입자와 Ni 고용체기지(matrix)만으로구성된소결체의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: （A）提供具有以下组成的颗粒状粉末，其中p为5至20重量％，q为0至1.5重量％，r为15至30重量％，s为0至5重量％ q，s不同时为0价，MeC为选自VC，WC，TaC或NbC中的1种或2种以上的碳化物）。 b）模压造粒粉末; 本发明还涉及制造仅由TiN固溶体的固溶体和没有残留孔隙的Ni固体基质的固溶体颗粒组成的烧结体的方法。
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公开(公告)号：KR1019960004278A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019940018896
申请日：1994-07-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01G3/02
Abstract: 본 발명은 신규의 산화물계 고온 초전도체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 고온 초전도체는 기본 구조를 Ca
2 CuO
3+δ 로 하고 Ca
2 CuO
3+δ 상 내의 Ca 이온 자리의 일부를 Hg,Ba,La 및 Cd 중에서 선정한 원소의 단독 또는 복합물로 대체시킨 물질로서, 초전도 임계 온도가 165 내지 260K이고, 조성이 (Ca
1+X M
X )
2 CuO
3+δ (M=Hg,Ba,La 또는 Cd)인 고온 초전도체이다. 본 발명의 고온 초전도체는 분말의 합성 및 소결단계를 거쳐 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019950025111A
公开(公告)日：1995-09-15
申请号：KR1019940002664
申请日：1994-02-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C27/04
Abstract: 본 발명은 구리기지내에 텅스텐 분말이 분산되어 이루어진 텅스텐-구리 복합재료의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 텅스텐만으로 이루어진 텅스텐 골격체 내부에 용융상태의 구리가 스며들게 하여 얻어진 용침법에 의한 W-Cu재료를 구리의 용융온도(1080℃) 이상의 온도와 800℃ 이하의 온도 사이에서 가열과 냉각을 반복으로 수행하도록 한 데에 기술적 특징이 있다. 본 벌명의 방법은 반복열처리에 의해 조직의 균일화와 텅스텐 함량의 변화를 가져올수 있음을 물론 조직내 잔류기공을 제거할 수 있는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100054403B1
公开(公告)日：1992-09-03
申请号：KR1019900014472
申请日：1990-09-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B21/064
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公开(公告)号：KR101889931B1
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：KR1020170125165
申请日：2017-09-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/054 , H01L31/0216 , H01L31/048 , H01L31/0236 , C03C3/066 , C03C3/068 , H01L31/055 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은파장변환유리층을포함하는태양전지및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의파장변환유리(층)는유리조성물과파장변환제로이루어지고, 상기파장변환제는파장변환유리층의전체함량에서 1-20중량%로함유된다. 본발명의파장변환유리(층)는파장변환제를포함하지않는일반유리(층)와비교하여 300-400 nm의입사광을 10% 이상더 흡수하여파장변환제를포함하지않는일반유리층과비교하여광전효율측면에서 0.1% 이상우수하다. 더욱이, 본발명의파장변환유리(층)는 (i) 높은가시광투과도; (ii) 파장변환제의산화, 열화및 백화현상에대한우수한보호능; (iii) 태양광노출에따라유발되는황변현상의효과적억제; 및 (iv) 태양전지의내마모성, 내열성, 내화학성, 밀봉효과등의개선효과등을나타낸다. 따라서, 본발명의파장변환유리(층)는우수한광전효율을가지는태양전지의제조에간편하고효과적으로이용될수 있다.
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公开(公告)号：KR101408134B1
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：KR1020120043410
申请日：2012-04-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C09K11/79
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/7706 , C09K11/7774
Abstract: 본 발명은 실리케이트 발광재료의 제조방법 및 실리케이트 발광재료에 과한 것으로, (1) 희토류 금속의 이온, NaOH, 실리카를 포함하는 수용액인 반응용액을 수열 처리하여 희토류 금속으로 치환된 실리카 층상물질을 얻는 수열처리단계, 그리고 (2) 상기 희토류 금속으로 치환된 실리카 층상물질을 소성하여 결정성 실리케이트 물질을 형성하는 소성단계를 포함하는 실리케이트 발광재료의 제조방법을 제공한다. 상기 실리케이트 발광재료의 제조방법은 공유결합성이 강하여 발광강도가 좋고, 고온에서도 안정하기 때문에 LED 용 발광재료로 활용될 수 있는 실리케이트 발광재료를 간단하고 경제성 있게 제조할 수 있으며, 다양한 종류의 희토류 금속을 실리콘 자리에 치환시키는 것이 가능하기 때문에 적색, 녹색, 청색 등의 발광을 선택적으로 이용할 수 있는 실리케이트 발광재료를 간단하고 경제적으로 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101389832B1
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：KR1020120126525
申请日：2012-11-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0326 , H01L31/03923 , H01L31/072 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: The present invention relates to CIGS or CZTS based film solar cells and a method for preparing thereof. According to one embodiment of the present invention, the CIGS or CZTS based film solar cells and a method for preparing thereof include a substrate, a molybdenum backside electrode layer, a Cu thin film, and a light absorption powder layer. The composition of light absorption powder layer has CuxInyGa1-y(SzSe1-z)2 (0
Abstract translation: 本发明涉及基于CIGS或CZTS的薄膜太阳能电池及其制备方法。 根据本发明的一个实施例，基于CIGS或CZTS的薄膜太阳能电池及其制备方法包括基板，钼背面电极层，Cu薄膜和光吸收粉末层。 光吸收粉末层的组成具有CuxInyGa1-y（SzSe1-z）2（0
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公开(公告)号：KR1020130036269A
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：KR1020130019391
申请日：2013-02-22
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B33/18 , C01P2002/70 , C01P2004/32 , C01P2006/60 , C09D1/00
Abstract: PURPOSE: A sphere oxide particle, a manufacturing method thereof, and a photonic crystal and a coating agent of the particle are provided to regularly arrange a silica particle in a wide area and manufacture a three dimensional megacrystal by preventing a monodisperse oxide particle changing the particle property according to an external circumstance. By remarkably increasing the stability of the silica particle according to the heating process, the sphere oxide particle, the manufacturing method thereof, and the photonic crystal and a coating agent of the particle are provided to lengthen a processing time and select a processing temperature from a room temperature to the hundreds >=. CONSTITUTION: A manufacturing method of a sphere oxide particle satisfying more than one among below properties include heating the sphere oxide particle in a temperature higher than a room: (1) A weight reduction after the heating processing higher than 550>= is 12 weight% or less; (2) A non-surface area increasing rate after the heating processing higher than 550>= is 9% or less; (3) A size contraction (average diameter changing standard) after the heating processing higher than 550>= is 2 % or less; (4) A transmittance at 960 cm^-1 is 9% or less than the transmittance at 1100 cm^-1 when measuring an infrared spectrum in a powdered status; (5) An inclination augmenter within a Q=0.7~2 nm^-1 domain is 8% or less than before the heating processing when analyzing a low-angle scattering X-ray in the powdered status after the heating process higher than 550>=. [Reference numerals] (AA) Weight[%]; (BB) Temperature[°C];
Abstract translation: 目的：提供球形氧化物颗粒，其制造方法，以及颗粒的光子晶体和涂层剂，以规模地将二氧化硅颗粒布置在广泛的区域，并通过防止单分散氧化物颗粒改变颗粒来制造三维晶体 财产根据外部情况。 通过根据加热工艺显着提高二氧化硅颗粒的稳定性，提供球状氧化物颗粒，其制造方法以及颗粒的光子晶体和涂层剂，以延长处理时间，并从 室温到数百= 构成：在以下特性中满足多于一个的球状氧化物粒子的制造方法包括在高于室内的温度下加热球状氧化物粒子：（1）加热处理后的重量减少高于550≥= 12重量％ 或更少; （2）加热处理后的550℃以上的非表面积增加率为9％以下; （3）加热处理后的尺寸收缩（平均直径变化标准）高于550≥= 2％以下; （4）当测量粉末状态下的红外光谱时，960cm -1处的透射率为在1100cm -1处的透射率的9％或更小; （5）在加热处理后的加热处理中分析散热状态下的低角度散射X射线高于550℃以上时，Q = 0.7〜2nm ^ -1区域内的倾斜增强器为8％以下， =。 （标号）（AA）重量[％]; （BB）温度[℃];
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