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公开(公告)号：KR1019960039180A
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR1019950008890
申请日：1995-04-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 결정의존성 습식식각을 이용하여 제조된 실리콘 팁 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 특히 (110) 면지수를 갖는 단결정 실리콘 기판에 대해 결정의존성 식각을 행하여 기둥모양을 갖는 실리콘 구조물을 행하고, 이 기둥의 끝부분을 뾰족하게 함으로써 전계방출소자용 실리콘 팁 어레이의 제조에 응용할 수 있도록 한 것이다. 본 발명에 의한 실리콘 팁은 바늘(needle) 모양을 하고 있으며, 제조방법은 먼저 (110) 실리콘 기판 상에 결정방향을 고려하여 평행사변형 또는 사각형의 식각마스크를 형성한 뒤, 이를 결정의존성 식각하고, 다음으로 샤프닝(sharpening) 공정을 통하여 팁을 제작하는 것으로, 팁의 밑부분이 차지하는 면적이 작아지게 되므로, 고밀도 팁 어레이를 제작할 수 있으며, 아울러 팁의 종횡비를 매우 크게 할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019960030748A
公开(公告)日：1996-08-17
申请号：KR1019950001030
申请日：1995-01-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/14
Abstract: 본 발명은 백색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과, RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 하부절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과, 상기 발광층 상에 상기 하부절연층과 동일한 스퍼터링법으로 상부절연층을 형성하는 공정과, 상기 상부절연층 상에 발광소자 동작특성의 열화현상을 방지하는 완충층을 형성하는 공정과, 상기 환충층 상에 열중착법으로 알루미늄 전극을 퉁착하는 공정을 통하여 회토류 원소인 Pr을 발광중심으로 한 EL 소자를 제공함으로써 빛의 삼원색인 적,청,녹색 파장의 발광스펙트럼을 모두 갖는 백색형광박막이 적충되어 형성된 우수한 색순도를 갖는 백색 발광 EL 평판 표시소자를 구현하도록 것이다.
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公开(公告)号：KR1020000051878A
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：KR1019990002580
申请日：1999-01-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05B33/10
Abstract: PURPOSE: A device using a tip-shaped reflector and its manufacturing method are provided to reflect the edge emission in an electroluminescent display device. CONSTITUTION: An electroluminescent display device comprises a tip-shaped reflector(10), a lower insulating layer(20), a luminescence layer(30), an upper insulator layer(40), and a rear electrode layer(50). The tip-shaped reflector is selected from the group consisting of Si, poly-Si, Mo, Cr, Ta W and Ti. The luminescence layer is selected from a group consisting of ZnS, SrS, CaS, CaGa2S4, SrGaS4 and BaGa2S4. The upper and lower insulator layers are selected from the group consisting of SiOxNy, SiO2, Si3N4, TiO2, BaTa2O6, Al2O3, BaTiO3 and SrTiO3. The method of forming the device comprises the steps of: growing an oxide film on the base substrate; patterning by using the oxide film; etching the silicon substrate to make the tip-shaped reflector; stacking a lower insulating layer, a luminescence layer, an upper insulator layer, a rear electrode layer in sequence on the reflector layer; and removing the layers stacked on the reflector layer by the lift off technology.
Abstract translation: 目的：提供一种使用尖端反射器的装置及其制造方法，以反映电致发光显示装置中的边缘发射。 构成：电致发光显示装置包括尖端反射器（10），下绝缘层（20），发光层（30），上绝缘体层（40）和后电极层（50）。 尖状反射体选自Si，Poly-Si，Mo，Cr，TaW和Ti。 发光层选自ZnS，SrS，CaS，CaGa2S4，SrGaS4和BaGa2S4。 上，下绝缘体层选自SiO x N y，SiO 2，Si 3 N 4，TiO 2，BaTa 2 O 6，Al 2 O 3，BaTiO 3和SrTiO 3。 形成器件的方法包括以下步骤：在基底衬底上生长氧化物膜; 通过使用氧化膜图案化; 蚀刻硅衬底以制造尖端形反射器; 在反射层上依次堆叠下绝缘层，发光层，上绝缘体层，后电极层; 并通过剥离技术去除堆叠在反射器层上的层。
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公开(公告)号：KR1019970077067A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960019184
申请日：1996-05-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J31/20
Abstract: 본 발명의 실리콘 전계방출소자의 제조방법은, 실리콘 기판 위에 제1산화막을 형성한 후 패터닝하는 공정과, 상기 패터닝된 제1산화막을 마스크로 하여 상기 실리콘 기판을 결정의존성 식각한 후 그 결과물 전면을 산하시켜 제2산화막을 형성하는 공정과, 상기 제2산하막 위에 금속막을 증착하는 공정과, 상기 결정의존성 식각된 영역의 제1, 제2산화막 및 금속막을 제거한 후 그 결과물 전면에 실리사이드를 자기정렬방식으로 형성할 수 있는 고융점 금속막을 증착하고 어닐링하여 실리사이드를 형성하는 공정을 포함하여 이루어지며, 상기와 같은 전자를 방출하기 위한 실리콘 팁에 실리사이드를 자기정렬하는 간단한 방법으로 실리콘 팁의 수명을 연장시킴과 아울러, 전자방출을 용이하게 할 수 있도록 함으로써 낮은 진공도를 유지해도 되므로 제조비 용을 감소시킬 수 있으며, 확산방지막을 이용하여 상기 실리사이드막의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970072506A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960011998
申请日：1996-04-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명의 전계방출소자의 제조방법은, 실리콘 기판에, 복수개의 팁을 구비하는 상부와, 상기 상부를 지지하는 지지부와, 상기 상부와 지지부를 연결하는 연결부로 구성되는 수직형 실리콘 기둥을 형성하는 공정과; 상기 수직형 실리콘 기둥 양측의 실리콘 기판 및 상기 수직형 실리콘 기둥 위에 절연물질과 금속물질을 순차적층시킨 후 리프트 오프하여 상기 수직형 실리콘 기둥 양측에 게이트 전극을 형성하는 공정;을 포함하여 이루어지며, 상기 다수개의 팁을 통해 전계방출영역 및 방출 전류밀도를 증가시킬 수 있고, 상기 리프트 오프 공정에 의해 상기 게이트 전극 및 게이트 절연막을 간단하게 자기 정렬시킬 수 있으며, 또한 상기 게이트 전극과 전체 방출용 팁간의 거리를 매우 짧게 함으로써 게이트 구동전압을 현저히 낮출 수 있는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970071983A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960011384
申请日：1996-04-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명에 의한 전계방출소자 및 그 제조방법은, 수직형 홈이 형성되어 있는 실리콘기판 상에 임의의 박막을 소정 두께로 증착하여 “모울드”를 형성하는 공정과; 상기 “모울드” 상에 그 내부를 충분히 채울수 있을 정도의 두께로 기능성 박막을 증착하는 공정 및; 상기 “모울드”를 제거하여 기능성 박막으로 이루어진 기판과 전계방출부를 형성하는 공정으로 이루어져, 그 결과 복수개의 전계방출지점을 갖는 전계방출부와, 1㎛ 이하의 크기를 갖는 전계방출부를 형성할 수 있게 되므로, 소자의 방출전류를 증가시킬 수 있고, 아울러 소자의 크기를 매우 소형으로 제작할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019970030058A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950039797
申请日：1995-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 물리증착(physical vapour deposition : PVD)법에 의해 제조된 전계방출소자용 발광체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유리기판 상에 물리적증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 형성한 뒤 상기 ZnO:Zn 박막 표면에 도전성박막을 코팅하여 발광체 제조를 완료하므로써, 1) 발광막의 두께와 발광체의 열처리 온도 및 분위기 변화를 통하여 에미터의 동작 특성에 맞는 발광문턱과 여러계조의 휘도 및 발광색을 일정 범위내에서 변화시킬 수 있으며, 2) 공정이 용이하고 공정 단가가 낮은 물리증착법(예컨대, 스퍼터법이나 증착법)을 통하여 초박막 상태로도 결정성이 뛰어난 발광막을 얻을 수 있게 되어 고해상도를 요하는 대면적 전계방출소자에 적용할 수 있다는 잇점을 갖는다.
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公开(公告)号：KR100803057B1
公开(公告)日：2008-02-18
申请号：KR1020060108424
申请日：2006-11-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B01J27/053 , B01J27/14 , B01J21/00
CPC classification number: B01J27/053 , B01J27/14 , B01J35/02 , B01J37/08
Abstract: A solid acid catalyst for decomposing methanol and a method for producing the same are provided to suppress the generation of by products and prevent the reduction of hydrogen due to a methanation reaction between hydrogen and carbon monoxide. A solid acid catalyst is produced by hardening a mixture in which one or more kinds of solid acid are mixed. The solid acid is selected from kaolinite, bentonite, attapulgite, zeolite, montmorillonite, ZnO, Al2O3, TiO2, CeO2, V2O5, SiO2, Cr2O3, CaSO4, MnSO4, NiSO4, CuSO4, CoSO4, CdSO4, MgSO4, FeSO4, Al2(SO4)3, ZnSO4, Ca(NO3)2, Zn(NO3)2, Fe(NO3)3, AlPO4, FePO4, CrPO4, Cu3(PO4)2, Zn3(PO4)4, Mg3(PO4)2, AlCl3, TiCl4, CaCl2, AgCl, CaF2, and BaF2. Further, the solid acid is mixed with a sulphuric acid or a phosphoric acid, and plasticized.
Abstract translation: 提供用于分解甲醇的固体酸催化剂及其制备方法，以抑制副产物的产生并防止氢气和一氧化碳之间的甲烷化反应引起的氢气还原。 通过使混合有一种或多种固体酸的混合物硬化来制备固体酸催化剂。 固体酸选自高岭石，膨润土，绿坡缕石，沸石，蒙脱石，ZnO，Al2O3，TiO2，CeO2，V2O5，SiO2，Cr2O3，CaSO4，MnSO4，NiSO4，CuSO4，CoSO4，CdSO4，MgSO4，FeSO4，Al2（SO4） 3，ZnSO 4，Ca（NO 3）2，Zn（NO 3）2，Fe（NO 3）3，AlPO 4，FePO 4，CrPO 4，Cu 3（PO 4）2，Zn 3（PO 4）4，Mg 3（PO 4）2，AlCl 3，TiCl 4， CaCl 2，AgCl，CaF 2和BaF 2。 此外，将固体酸与硫酸或磷酸混合并增塑。
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公开(公告)号：KR100537093B1
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：KR1020030068792
申请日：2003-10-02
Applicant: 한국과학기술연구원 , 주식회사 한국전자홀딩스
Abstract: 본 발명은 마이크로머시닝(microelectromechanical system, MEMS) 기술로 제작된 구조물 위에 탄소나노튜브를 직접 성장시켜 탄소나노튜브를 가스센서의 감응물질로 적용한 탄소나노튜브 가스센서 및 그 제작방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제작된 탄소나노튜브 가스센서는 고민감도이며, 상온 동작이 가능하며, 크기를 소형화 및 집적화시키고 전력소모를 줄일 수 있다. 또한 감응 가스의 종류가 다양하여 가스센서 어레이로의 개발 가능성이 크다.
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公开(公告)号：KR1020020015795A
公开(公告)日：2002-03-02
申请号：KR1020000048907
申请日：2000-08-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C23C16/04 , C23C16/26 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B29/605 , D01F9/12 , H01L51/0048 , H01L51/0504 , Y10S977/842 , C01B32/05 , B82B3/00
Abstract: PURPOSE: Provided is a method for growing carbon nano tubes selectively and directly in the desired position in the horizontal direction for the application to integrated electron, spin, and photo elements. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: forming an insulating film on a substrate at a temperature of 1100deg.C in an electric furnace by an oxidation process or a CVD(chemical vapor deposition) method; forming fine patterns of a catalyst metal layer containing a contact electrode pad on the insulating film by using a catalyst metal such as Ni, Ni/Ti(or Nb), Co, Co/Ti(or Nb), Fe, Fe/Ti(or Nb), and etc.; growing the carbon nano tubes(106) directly among the catalyst patterns under C2H2(or C2H4)/N2(H2, NH3) gas and the gas pressure of 10-500torr for 10-3000sec by a thermal chemical vapor deposition or a plasma process.
Abstract translation: 目的：提供一种用于在水平方向上选择性且直接生长在所需位置的碳纳米管的方法，用于集成电子，旋转和光电元件。 方案：该方法包括以下步骤：在电炉中通过氧化或CVD（化学气相沉积）方法在1100℃的温度下在基板上形成绝缘膜; 通过使用诸如Ni，Ni / Ti（或Nb），Co，Co / Ti（或Nb），Fe，Fe / Ti（或Nb）的催化剂金属，在绝缘膜上形成含有接触电极焊盘的催化剂金属层的精细图案 或Nb）等; 在C2H2（或C2H4）/ N2（H2，NH3）气体之间的催化剂图案中直接生长碳纳米管（106），并通过热化学气相沉积或等离子体处理将10-500torr的气体压力生长10-3000秒。
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