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公开(公告)号：KR1019940004381B1
公开(公告)日：1994-05-23
申请号：KR1019920006306
申请日：1992-04-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/00
Abstract: The dielectric ceramic comprises a Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 + bPbTiO3 + cPbO + dBaO +eCdO + fNb2O5, where 0.80
Abstract translation: 电介质陶瓷包括Pb（Mg1 / 3Nb2 / 3）O3 + bPbTiO3 + cPbO + dBaO + eCdO + fNb2O5，其中0.80 <= a <= 0.90,0.05 <= b <= 0.10,0.0013 <= c < 0.00 <= d <= 0.074,0.0025 <= f <= 0.05，a + b + c + d + e + f = 1. Pb（Mg1 / 3Nb2 / 3）O3，PbTiO3和PBCN。 通过湿法混合和干燥PbO，MgO，Nb2O5，TiO2，CdO和BaCO3的原料，然后煅烧; 然后混合，干燥树混合物，然后煅烧，粉碎和加入粘合剂并进行压模以获得圆形成型; 并烧结模具材料并研磨表面; 模具材料然后丝网印刷形成电极。
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公开(公告)号：KR1019900003929B1
公开(公告)日：1990-06-04
申请号：KR1019900005129
申请日：1990-04-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/12
Abstract: The sensor for detecting methane, Butane, and propane gas at low temperature includes a metal oxide semiconductor layer whose ingredients are In2O3 (30-40%), Y2O3 (9-19%), and Al2O3 (50%). The method for manufacturing the semiconductor layer comprises a first process for mixing and heating the material at 450≦̸C, a second process for pulverizing and mixing with water to form paste, a third process for coating the paste on a ceramic insulator tube and for drying the coated tube, a fourth process for heating at 700-800≦̸C for 30 minutes, and a fifth process for cooling.
Abstract translation: 用于在低温下检测甲烷，丁烷和丙烷气体的传感器包括成分为In2O3（30-40％），Y2O3（9-19％）和Al2O3（50％）的金属氧化物半导体层。 制造半导体层的方法包括在450℃下混合和加热材料的第一种方法; C，用于粉碎和与水混合以形成糊料的第二种方法，第三种将糊料涂覆在陶瓷绝缘管上并进行干燥的方法 涂覆管，在700-800℃下加热30分钟的第四种方法和第五种冷却方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101816069B1
公开(公告)日：2018-01-08
申请号：KR1020160115481
申请日：2016-09-08
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: F16F1/12 , F16F1/04 , F16F2224/0258
Abstract: 본발명은단자부와코일스프링이연결되는코일스프링크림프로서, 단자부는코일스프링의일단이수용되는수용부와, 연결대상제품과접속하는접속부를갖고, 코일스프링은형상기억합금으로이루어지는코일스프링크림프에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101284587B1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：KR1020120052679
申请日：2012-05-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/66742
Abstract: PURPOSE: A p-type transparent oxide semiconductor, a transistor having the same, and a method for manufacturing the same are provided to have high transmittance necessary for transparent display production and to be used for various semiconductor devices including a transparent flexible substrate. CONSTITUTION: An insulating layer (11) is formed on a gate substrate (10). A channel layer (12) including a p-type transparent oxide semiconductor is formed on the insulating layer. The p-type transparent oxide semiconductor includes a tin oxide compound. A source electrode (13) and a drain electrode (14) are formed on the insulating layer. The source electrode is separated from the drain electrode. [Reference numerals] (10) Gate substrate; (11) Insulating layer; (12) Channel layer; (13) Source electrode; (14) Drain electrode
Abstract translation: 目的：提供p型透明氧化物半导体，具有该晶体管的晶体管及其制造方法，以具有透明显示制造所需的高透射率，并用于包括透明柔性基板的各种半导体器件。 构成：在栅极基板（10）上形成绝缘层（11）。 在绝缘层上形成包括p型透明氧化物半导体的沟道层（12）。 p型透明氧化物半导体包括氧化锡化合物。 源电极（13）和漏电极（14）形成在绝缘层上。 源极与漏电极分离。 （附图标记）（10）栅极基板; （11）绝缘层; （12）通道层; （13）源电极; （14）排水电极
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19.发明授权
公开(公告)号：KR101009441B1
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：KR1020090009942
申请日：2009-02-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 하부 전극을 형성하는 공정과; 상기 하부 전극 위에 다층의 바이너리 금속 산화물 박막을 형성하는 공정과; 상기 다층의 바이너리 금속 산화물 박막 위에 상부 전극을 형성하는 공정;을 포함하여 이루어지며, 상기 다층의 바이너리 금속 산화물 박막 및 상기 상부 전극의 형성 공정은 상기 기판의 온도를 상온으로 유지하면서 상압보다 낮은 저압 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 상온 공정에 의한 저항 변화 기억 소자용 다층의 금속 산화물 박막 구조물의 제조 방법을 제공한다.
저항 변화 기억 소자, 상온 박막 공정, 다층의 바이너리 금속 산화물 박막, 소자 수율-
公开(公告)号：KR101009440B1
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：KR1020080099816
申请日：2008-10-10
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E60/528
Abstract: 본 발명은 전극 간 전기적 접촉을 억제하기 위한 3차원 구조를 갖는 용해 납 레독스 흐름 배터리용 전극 및 이를 이용한 용해 납 레독스 흐름 배터리에 관한 것으로서, 적어도 일 표면에 납 이온을 함유하는 전해액의 출입 통로가 형성되고, 그 내부에 상기 출입 통로와 이어지며 내부에서의 전해액의 흐름을 원활하게 해주는 내부 통로가 형성된 3차원 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 용해 납 레독스 흐름 배터리용 전극을 제공한다.
용해 납, 레독스, 흐름, 배터리, 3차원 구조, 탄소 종이, 니켈 폼, 카본 나노파이버
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