이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템
    13.
    发明公开
    이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템 无效
    双门敏感场效应晶体管传感器多重检测系统

    公开(公告)号:KR1020160087709A

    公开(公告)日:2016-07-22

    申请号:KR1020150007017

    申请日:2015-01-14

    CPC classification number: G01N27/4145 G01N2800/7028

    Abstract: 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서의감지시스템은제1 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서, 그리고제2 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서를포함하며, 제1 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서를통해제1 바이오신호를감지하고, 제2 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터바이오센서를통해제2 바이오신호를감지하고, 그리고제1 바이오신호와제2 바이오신호는서로다른종류이다.

    Abstract translation: 具有双门图标感测场效应的晶体管生物传感器的传感器系统包括:双栅离子感测场效应的第一晶体管生物传感器; 以及双栅离子感测场效应的第二晶体管生物传感器。 通过第一晶体管生物传感器感测第一生物信号的双栅离子感测场效应,通过第二晶体管生物传感器感测到第二生物信号的双栅离子感测场效应,以及第一生物信号的类型 生物信号和第二生物信号的类型彼此不同。

    Bi 박막 제조방법 및 Bi 박막을 이용한 소자
    15.
    发明公开
    Bi 박막 제조방법 및 Bi 박막을 이용한 소자 失效
    使用通过电沉积方法和溅射方法制造的薄膜的薄膜生产方法和旋转电子元件

    公开(公告)号:KR1020040081628A

    公开(公告)日:2004-09-22

    申请号:KR1020030016173

    申请日:2003-03-14

    Abstract: PURPOSE: A Bi thin film fabrication method is provided to fabricate a Bi thin film having a very big magnetoresistance property at room temperature by an electrodeposition method and a sputtering method, thereby being applicable to various spin electron elements. CONSTITUTION: By applying a current having a range of 1-100mA to a Bi solution at room temperature, a Bi thin film is formed on a substrate through an electrodeposition method with a deposition rate of 0.1-10micrometer/min. The fabricated Bi thin film has more than 600% of magnetoresistance ratio at room temperature when a 9T magnetic field is applied. Before depositing the Bi thin film, a Pt or Au under layer is deposited on the substrate with a thickness of 50-500 angstrom.

    Abstract translation: 目的:提供Bi薄膜制造方法,通过电沉积法和溅射法在室温下制造具有非常大的磁阻特性的Bi薄膜,从而适用于各种旋转电子元件。 构成:通过在室温下向Bi溶液施加1-100mA范围的电流,通过电沉积法以0.1-10微米/分钟的沉积速率在基板上形成Bi薄膜。 当施加9T磁场时,制造的Bi薄膜在室温下具有超过600%的磁阻比。 在沉积Bi薄膜之前,将Pt或Au下层沉积在衬底上,厚度为50-500埃。

    나노프로브 융합 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서
    17.
    发明授权
    나노프로브 융합 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서 有权
    NANOPROBE-FUSED ION-SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR BIOSENSOR

    公开(公告)号:KR101616560B1

    公开(公告)日:2016-04-28

    申请号:KR1020140164134

    申请日:2014-11-24

    Abstract: 이온감지전계효과트랜지스터바이오센서는 ISFET와교체형센서를포함하고, 교체형센서에는나노프로브가결합되어있으며, ISFET에서발생하는정전결합현상과나노프로브기술을결합시켜, PBS 버퍼용액을사용하는기존의바이오센서플랫폼과는달리, PBS 버퍼용액을사용하지않고, 임상샘플을직접사용함으로써간단한진단이가능한바이오센서플랫폼이제공될수 있다.

    Abstract translation: 离子敏感场效应晶体管生物传感器包括ISFET和可更换传感器。 纳米探针耦合到可更换传感器。 在ISFET中产生的静电耦合现象与纳米探针技术相结合。 与使用PBS缓冲溶液的现有生物传感器平台相比,提供了一种用于简单诊断的生物传感器平台,通过直接使用临床样品而不使用PBS缓冲液。

    이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터(ISFET) 센서
    18.
    发明公开
    이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터(ISFET) 센서 无效
    双门敏感场效应晶体管传感器

    公开(公告)号:KR1020160013768A

    公开(公告)日:2016-02-05

    申请号:KR1020140096028

    申请日:2014-07-28

    CPC classification number: G01N27/414 C12Q1/00 G01N33/50

    Abstract: 이중게이트이온감지전계효과트랜지스터(ISFET) 센서가제공되고, 본발명의일 실시예에따른이중게이트이온감지전계효과트랜지스터(ISFET) 센서는하부게이트전극, 하부게이트전극위에위치하는하부절연막, 하부절연막위에위치하고서로이격되어있는소스및 드레인, 하부절연막위에위치하고소스및 상기드레인사이에위치하는채널층, 소스, 드레인, 그리고채널층위에위치하는상부절연막, 그리고상부절연막위에위치하는상부게이트전극을포함하고, 채널층의두께는 10 nm 이하이고, 초정전결합을이용한것일수 있다.

    Abstract translation: 提供了双栅离子敏感场效应晶体管(ISFET)传感器。 根据本发明的实施例,ISFET传感器包括:下栅电极; 下绝缘膜放置在下栅电极上; 放置在下绝缘膜上以彼此远离的源极和漏极; 放置在下绝缘膜上并位于源极和漏极之间的沟道层; 放置在源极,漏极和沟道层上的上绝缘膜; 以及放置在上绝缘膜上的上栅电极。 通道层厚度为10nm或更薄,并且可以使用超电容耦合。

Patent Agency Ranking