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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050122342A
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：KR1020040047423
申请日：2004-06-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01J1/02
Abstract: 본 발명은 HgCdTe 반도체를 사용하여 광전압형 적외선 감지 소자를 제작할 때 ZnS, CdS 등 황(S) 원소를 포함하는 물질로 표면 보호막을 형성할 때 기판의 표면 처리를 통하여 양질의 전기적 특성을 갖는 표면 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 표면 보호막 형성 방법은 HgCdTe 반도체 표면을 습식 식각하여 반도체 표면 상의 자연 산화막을 제거하는 단계, 습식 식각 처리된 HgCdTe 반도체 표면을 황 함유 용액으로 표면 처리하여 표면에 황화물질층을 형성하는 단계 및 상기 황화물질층이 형성된 표면 상에 ZnS 또는 CdS를 증착시켜 표면 보호막을 형성시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, HgCdTe를 이용한 광전압형 소자의 제작시 표면 누설전류를 크게 줄일 수 있는 양질의 표면 보호막을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020070022991A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：KR1020050077109
申请日：2005-08-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L33/0087 , H01L33/0012 , H01L33/0095 , H01L33/285
Abstract: 본 발명은 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법에 관한 것으로, 특히 새로운 구리 금속이 첨가된 p-형 산화아연 박막 제작기술과 이를 이용한 발광 다이오드, 전기 및 자기 디바이스 등의 응용에 관한 것이다.
본 발명의 산화아연을 이용한 p형-진성-n형 구조의 발광 다이오드 제조방법은 사파이어 단결정 기판 위에 저온 산화아연 버퍼층을 증착하는 제1공정; 상기 증착된 저온 산화아연 버퍼층 위에 n형 갈륨 도핑 산화아연층을 증착하는 제2공정; 상기 증착된 n형 갈륨 도핑 산화아연층 위에 진성 산화아연 박막을 증착하는 제3공정; 상기 증착된 진성 산화아연 박막 위에 p형 산화아연 박막층을 형성하는 제4공정; 습식 에칭을 통하여 상기 p형 산화아연 박막층 위에 MESA 구조를 형성하는 제5공정; 및 상기 결과물을 후 열처리하는 제6공정;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
산화아연 반도체, 산화아연 박막, 이온주입, 구리금속, 발광 다이오드Abstract translation: 使用本发明的p型氧化锌 - 本征-n涉及一种发光二极管的制造方法的结构，特别是新的铜金属的溶液中加入p型氧化锌薄膜的制造技术和发光二极管，电和使用其的磁性装置等 Lt。
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公开(公告)号：KR100543490B1
公开(公告)日：2006-01-23
申请号：KR1020040047423
申请日：2004-06-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01J1/02
Abstract: 본 발명은 HgCdTe 반도체를 사용하여 광전압형 적외선 감지 소자를 제작할 때 ZnS, CdS 등 황(S) 원소를 포함하는 물질로 표면 보호막을 형성할 때 기판의 표면 처리를 통하여 양질의 전기적 특성을 갖는 표면 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 표면 보호막 형성 방법은 HgCdTe 반도체 표면을 습식 식각하여 반도체 표면 상의 자연 산화막을 제거하는 단계, 습식 식각 처리된 HgCdTe 반도체 표면을 황 함유 용액으로 표면 처리하여 표면에 황화물질층을 형성하는 단계 및 상기 황화물질층이 형성된 표면 상에 ZnS 또는 CdS를 증착시켜 표면 보호막을 형성시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, HgCdTe를 이용한 광전압형 소자의 제작시 표면 누설전류를 크게 줄일 수 있는 양질의 표면 보호막을 얻을 수 있다.
적외선 감지 소자, 표면 보호막, ZnS, CdS, HgCdTe, 황 함유 용액-
公开(公告)号：KR100727355B1
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020050070827
申请日：2005-08-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05K1/03
Abstract: 본 발명은 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 제조방법에 관한 것으로, 특히 짧은 시간 동안 폴리이미드 표면의 손상 없이 폴리이미드와 금속간의 접착력을 증가시키고, 고온에서도 우수한 내열성 및 내식성을 갖는 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판은 150 ~ 200 eV의 에너지와 적어도 0.5 mA/cm
2 의 이온 전류밀도를 갖되, 적어도 100 mW/cm
2 의 이온전력을 갖는 이온빔이 표면에 조사된 폴리이미드 필름; 상기 폴리이미드 필름 위에 증착되되, Ni-Cr-Zn의 삼원계 합금으로 이루어진 50 ~ 80 Å의 접착층; 및 상기 접착층 위에 도금된 구리 박막;을 포함한다.
이온빔, 폴리이미드, 연성회로기판, 접착층, Ni-Cr-Zn 합금Abstract translation: 具有Ni-Cr-Zn三元粘合层的柔性电路板的制造方法技术领域本发明涉及一种具有Ni-Cr-Zn三元粘合层的柔性电路板的制造方法，特别涉及一种制造具有Ni- 本发明涉及一种具有Ni-Cr-Zn三元粘合层的柔性电路板及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020070016297A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050070827
申请日：2005-08-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05K1/03
CPC classification number: H05K3/386 , C09J1/00 , H05K3/381 , H05K2201/0154
Abstract: 본 발명은 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 제조방법에 관한 것으로, 특히 짧은 시간 동안 폴리이미드 표면의 손상 없이 폴리이미드와 금속간의 접착력을 증가시키고, 고온에서도 우수한 내열성 및 내식성을 갖는 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층이 있는 연성회로기판은 150 ~ 200 eV의 에너지와 적어도 0.5 mA/cm
2 의 이온 전류밀도를 갖되, 적어도 100 mW/cm
2 의 이온전력을 갖는 이온빔이 표면에 조사된 폴리이미드 필름; 상기 폴리이미드 필름 위에 증착되되, Ni-Cr-Zn의 삼원계 합금으로 이루어진 50 ~ 80 Å의 접착층; 및 상기 접착층 위에 도금된 구리 박막;을 포함한다.
이온빔, 폴리이미드, 연성회로기판, 접착층, Ni-Cr-Zn 합금
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