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公开(公告)号：KR1019970072506A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960011998
申请日：1996-04-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명의 전계방출소자의 제조방법은, 실리콘 기판에, 복수개의 팁을 구비하는 상부와, 상기 상부를 지지하는 지지부와, 상기 상부와 지지부를 연결하는 연결부로 구성되는 수직형 실리콘 기둥을 형성하는 공정과; 상기 수직형 실리콘 기둥 양측의 실리콘 기판 및 상기 수직형 실리콘 기둥 위에 절연물질과 금속물질을 순차적층시킨 후 리프트 오프하여 상기 수직형 실리콘 기둥 양측에 게이트 전극을 형성하는 공정;을 포함하여 이루어지며, 상기 다수개의 팁을 통해 전계방출영역 및 방출 전류밀도를 증가시킬 수 있고, 상기 리프트 오프 공정에 의해 상기 게이트 전극 및 게이트 절연막을 간단하게 자기 정렬시킬 수 있으며, 또한 상기 게이트 전극과 전체 방출용 팁간의 거리를 매우 짧게 함으로써 게이트 구동전압을 현저히 낮출 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970071983A
公开(公告)日：1997-11-07
申请号：KR1019960011384
申请日：1996-04-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 본 발명에 의한 전계방출소자 및 그 제조방법은, 수직형 홈이 형성되어 있는 실리콘기판 상에 임의의 박막을 소정 두께로 증착하여 “모울드”를 형성하는 공정과; 상기 “모울드” 상에 그 내부를 충분히 채울수 있을 정도의 두께로 기능성 박막을 증착하는 공정 및; 상기 “모울드”를 제거하여 기능성 박막으로 이루어진 기판과 전계방출부를 형성하는 공정으로 이루어져, 그 결과 복수개의 전계방출지점을 갖는 전계방출부와, 1㎛ 이하의 크기를 갖는 전계방출부를 형성할 수 있게 되므로, 소자의 방출전류를 증가시킬 수 있고, 아울러 소자의 크기를 매우 소형으로 제작할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019970030058A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950039797
申请日：1995-11-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 물리증착(physical vapour deposition : PVD)법에 의해 제조된 전계방출소자용 발광체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 유리기판 상에 물리적증착법으로 ZnO:Zn 발광박막을 형성한 뒤 상기 ZnO:Zn 박막 표면에 도전성박막을 코팅하여 발광체 제조를 완료하므로써, 1) 발광막의 두께와 발광체의 열처리 온도 및 분위기 변화를 통하여 에미터의 동작 특성에 맞는 발광문턱과 여러계조의 휘도 및 발광색을 일정 범위내에서 변화시킬 수 있으며, 2) 공정이 용이하고 공정 단가가 낮은 물리증착법(예컨대, 스퍼터법이나 증착법)을 통하여 초박막 상태로도 결정성이 뛰어난 발광막을 얻을 수 있게 되어 고해상도를 요하는 대면적 전계방출소자에 적용할 수 있다는 잇점을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1019970023598A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950036760
申请日：1995-10-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01J31/00
Abstract: 본 발명은 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 모울드를 형성하는 공정과; 상기 실리콘 모울드 상에 기능성막을 형성한 뒤, 상기 기능성 막 상에 반도체(또는 금속)팁을 형성하는 공정과; 상기 반도체(또는 금속)팁 상에 전도성 박막을 형성하는 공정과; 상기 전도성 박막에 기판을 접합하는 공정 및; 상기 실리콘 모울드를 제거하는 공정을 포함하여 마이크로-팁 제조를 완료함으로써, 1) 기능성 막을 팁의 모양과 일치하도록 형성할 수 있게 되어 반도체 팁이 가지는 구조적인 장점들과 함께 기능성 막 재료의 장점들도 동시에 공유할 수 있을 뿐 아니라 2) 모울드의 모양을 매우뾰족한 모양으로부터 둥그스름한 모양에 이르기까지 조절할 수 있어 기능성 막의 도포 방법에 따라 모울드의 모양을 유연성 있게 선택 사용할 수 있는 잇점을 갖는 고신뢰성의 전계 방출용 마이크로-팁을 구현할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019960002284B1
公开(公告)日：1996-02-14
申请号：KR1019920016394
申请日：1992-09-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: The thickness adjustment method includes the steps of: a) forming silicon layer by etching the silicon substrate which forms the circuit unit in front of the substrate; and b) estimating and adjusting the thickness by penetrating the light into the silicon layer.
Abstract translation: 厚度调整方法包括以下步骤：a）通过在衬底前蚀刻形成电路单元的硅衬底来形成硅层; 以及b）通过将光穿入硅层来估算和调整厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940010492B1
公开(公告)日：1994-10-24
申请号：KR1019910020835
申请日：1991-11-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: To eliminate the deterioration of dynamic properties of semiconductor device which occurs by the defects on the interface between two bonded substrates, silicon structure with cavity is manufactured by fusion bonding of two wafers, one of which has preformed cavity. The method for manufacturing has the steps of (A) forming shallow cavity (3) on the upper substrate (1) by photolithography, (B) fusion-bonding upper and lower (2) substrates, (C) thinning the upper substrate (1) by chemical, electrochemical, or mechanical method, and (D) removing part of the upper substrate (4) to make a cantilever structure. The structure is used for the substrate for pressure-sensitive sensors or accelaration sensors by forming sensors on the surface (6).
Abstract translation: 为了消除由两个键合衬底之间的界面上的缺陷引起的半导体器件的动态特性的劣化，通过两个晶片的熔合结合制造具有空腔的硅结构，其中之一具有预成型腔。 制造方法具有以下步骤：（A）通过光刻法在上基板（1）上形成浅空腔（3），（B）上下基板熔合，（C）使上基板（1） ）通过化学，电化学或机械方法，和（D）去除上部基板（4）的一部分以制成悬臂结构。 通过在表面（6）上形成传感器，该结构用于压敏传感器或加速度传感器的基板。
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公开(公告)号：KR1019930011146A
公开(公告)日：1993-06-23
申请号：KR1019910020836
申请日：1991-11-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 실리콘기판의 용융접합에 관한 것으로, 산화성분위기에서의 고온열처리를 통해 단시간내에 접합계면에 존재하는 미세틈새를 제거할 수 있는 실리콘기판의 용융접합방법 및 그 장치에 관한 것이다.
본 발명은 일반적인 전처리 공정을 거친 접합대상 실리콘기판에 대해 산화제본위기하에서 안정화처리를 행한다음 일차접합을 행하고 나서 역시 산화제분위기가 유지된 열처리로중에서 단시간에 걸쳐 열처리 함으로써 미세틈새로 공급되는 산화제에 의한 계연산화막의 성장을 유도하여 미세틈새의 제거 및 접합강도의 강화를 도모하도록 이루어진다.
본 발명의 용융접합방법은 2분 내지 10분정도의 단시간 내에 미세틈새의 제거가 이루어짐에 따라 절연막상의 실리콘(SOI)구조나 실리콘센서용 미세기계구조용 소재로 적합하다.-
公开(公告)号：KR100649124B1
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020040024823
申请日：2004-04-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B5/08
Abstract: 본 발명은 이중 광반사 구조물, 상기 이중 광반사 구조물의 제조 방법 및 상기 이중 광반사 구조물을 이용한 미세 세포 관찰 장치에 관한 것으로, 특히, 엑스레이를 광반사용 기판에 조사(irradiate)하여 경사 식각하는 방법으로 제조된 이중 광반사 구조물, 그 제조 방법 및 상기 이중 광반사 구조물을 이용하여 세포의 배면 영상 및 측면 영상을 얻을 수 있는 미세 세포 관찰 장치에 관한 것이다.
하나의 광반사용 기판에 엑스레이를 비스듬하게 조사하여 식각함으로써, 완전히 평행한 광반사면을 갖는 이중 광반사 구조물로 구현할 수 있으며, 상기 이중 광반사 구조물을 미세 세포 관찰 장치에 이용함으로써, 세포 조작시 조작 대상 세포를 입체적으로 인식할 수 있으므로, 세포 조작에 드는 시간 및 비용을 경감시키며, 보다 정확한 세포 조작이 가능하다.-
公开(公告)号：KR1020060062437A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101279
申请日：2004-12-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B32/158 , B82B3/0066 , B82Y40/00 , G03F5/00 , H01J1/30
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄소나노튜브 페이스트를 제작하는 제1공정, 상기 제작된 탄소나노튜브 페이스트를 기판의 전극 상에 스크린 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법을 사용하여 후막을 형성시키는 제2공정, 상기 탄소나노튜브 후막에서 유기물을 제거시키는 제3공정, 상기 유기물이 제거된 탄소나노튜브 후막에 전기장을 적용하여 탄소나노튜브를 수직배향시키는 제4공정에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 탄소나노튜브 후막 제조시 스크린 인쇄법이나 잉크젯 인쇄법을 사용하고 전기장을 사용하여 표면처리를 하므로 탄소나노튜브의 손상이나 불순물 혼입을 효율적으로 방지할 수 있고 탄소나노튜브 제작 비용을 절감시킬 수 있으며 이와 같이 제작된 탄소나노튜브 후막을 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학 센서 감지막으로 이용하는 경우 성능이 우수한 제품을 생산할 수 있다.
탄소나노튜브페이스트, 수직배향 탄소나노튜브 후막, 전계방출형 표시소자, 평판형 램프, 화학 센서 감지막.Abstract translation: 本发明是碳纳米管的厚膜和本发明涉及一种场致发射显示装置，平面型灯以及使用该相同的，并且更具体地，第一步骤的化学传感器感测膜，产生的碳纳米管糊状以产生碳纳米管糊状 所述第二步骤，第三步骤中，将电场施加到碳纳米管，厚膜是有机材料被去除以除去从碳纳米管厚膜有机物使用丝网印刷法或在衬底的电极上的喷墨印刷方法，以形成厚膜 应用使用相同的涉及一种场发射显示设备，以及根据权利要求由垂直排列的碳纳米管，板状斜坡，和化学传感器的步骤中产生的检测膜4到碳纳米管的厚膜。 根据本发明使用的碳纳米管的厚膜制造丝网印刷法或喷墨印刷法，和使用电场，因此，表面处理可以有效防止碳纳米管的损坏或杂质可以降低CNT生产成本 当如此制造的碳纳米管厚膜用作场致发射显示装置，平板灯和化学传感器感测膜时，可以生产具有优异性能的产品。
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公开(公告)号：KR100586851B1
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1020030081690
申请日：2003-11-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 랩온어칩(lab-on-a-chip)에 관한 것으로서, 특히 전면 발광을 하는 박막구조의 광원 또는 고휘도 발광 다이오드 배열 광원을 이용하여 랩온어칩의 소형화를 달성할 수 있는 전면 발광 광원을 이용한 랩온어칩에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 의한 랩온어칩은 높은 광량 및 전면 발광이 가능한 박막구조의 유기 발광 다이오드 또는 탄소나노튜브 램프나 박막구조는 아니지만 이와 동일한 기능을 갖는 있는 고휘도 발광 다이오드 배열 광원을 이용하고, 이러한 광원, 박막형태의 광학필터 및 형광 검출 센서가 적층구조로 형성된다. 따라서, 본 발명은 랩온어칩의 소형화를 달성하고 채널에서의 센서 위치와 광원의 입사 위치를 정렬시켜야 하는 불편함을 제거할 수 있다.
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