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公开(公告)号：KR1020100000945A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080060633
申请日：2008-06-26
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C03C8/14 , C03C3/078 , C03C3/083 , C03C3/087 , C03C3/089 , C03C4/16 , C03C8/04 , C03C8/24 , H01B3/10 , H01B3/12
Abstract: PURPOSE: A low fired dielectric ceramic composition is provided to ensure 220 MPa or more strength value and low dielectric loss. CONSTITUTION: A brosilicate glass frit contains 60-70 mole% of SiO2, 15-30 mole% of B2O3, 1-5 mole% of Al2O3, 0.1-3 mole% of Li2O and 0.5-15 mole% of at least two or more selected from MgO, CaO, SrO, and ZnO. A low fired dielectric ceramic composition contains borodilicate glass frit; at least one or more filler selected from single and complex oxide comprising Al2O3, SiO2, cordierite, Mullite, MgAl2O4, ZnAl2O4, Mg2SiO4, and ZrSiO4; at least one or more ceramic selected from CaTiO3, SrTiO3, and BaTiO3.
Abstract translation: 目的：提供低烧电介质陶瓷组合物，以确保220 MPa或更高的强度值和低介电损耗。 构成：硼硅酸盐玻璃料含有60-70摩尔％的SiO 2，15-30摩尔％的B2O3，1-5摩尔％的Al2O3，0.1-3摩尔％的Li 2 O和0.5-15摩尔％的至少两个或更多个 选自MgO，CaO，SrO和ZnO。 低烧烧介电陶瓷组合物含有硼硅酸盐玻璃料; 选自包含Al 2 O 3，SiO 2，堇青石，莫来石，MgAl 2 O 4，ZnAl 2 O 4，Mg 2 SiO 4和ZrSiO 4的单一和复合氧化物的至少一种或多种填料; 选自CaTiO 3，SrTiO 3和BaTiO 3中的至少一种或多种陶瓷。
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公开(公告)号：KR100918293B1
公开(公告)日：2009-09-18
申请号：KR1020060113643
申请日：2006-11-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 탄화규소 나노선의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 규소(Si)와 탄소(C)를 동시에 제공하는 단일 전구체로서 특히 디클로로메틸비닐실란(dichloromethylvinylsilane, CH
2 CHSiC(CH
3 )Cl
2 )을 사용하고 이를 유입량이 조절된 운반가스와 함께 고온으로 유지되는 환원분위기의 반응기 내로 주입하여 기판 상에 증착시킴으로써, 지름이 매우 작고, 우수한 단결정성을 가지는 탄화규소 나노선을 재현성 있게 제조할 수 있으므로 우수한 전계 방출 특성을 나타내는 전계 방출 소자의 제조가 가능하게 한 탄화규소 나노선의 제조방법에 관한 것이다.
나노선, 탄화규소, 전계 방출 소자-
公开(公告)号：KR101773951B1
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020160074557
申请日：2016-06-15
IPC: H01L31/0236 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/3213 , H01L21/67 , H01L31/18 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02366 , H01L21/02063 , H01L21/32139 , H01L21/67098 , H01L29/0665 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 본발명은텍스처링된반도체기판에있어서, 상기반도체기판이텍스쳐링된포물선형구조체와상기포물선형구조체의표면과상기반도체기판의표면을포함하는전체표면에는일정간격의나노홀구조를구비하되, 상기포물선형구조체의표면에는복수의나노홀구조가형성된것을특징으로하는텍스처링된반도체기판을제공한다.
Abstract translation: 但是，本发明设置有纹理化半导体衬底上的一个预定距离的纳米孔结构，所述整个表面包括表面和与该抛物面结构纹理化半导体衬底的抛物线状结构的所述半导体衬底的表面上，该抛物线 类型结构和多个纳米孔结构形成在基板的表面上。
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公开(公告)号：KR1020130017684A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020110080261
申请日：2011-08-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of GaAs(gallium arsenide) nano wire is provided to grow nano rod using the gold dots by using polystyrene spheres and forming the large area gold dots with low cost. CONSTITUTION: A manufacturing method of GaAs nano wire uses size adjusted gold dots as a catalyst. The manufacturing method of the GaAs nano wire comprises the following steps. The Gold is evaporation coated on the surface of silicon(si) or gallium arsenide(GaAs) board. Polystyrene sphere(PS) with 1 micron diameter is dispersed on the gold. The diameter of the polystyrene sphere is reduced to 150-200nm by reactive ion etching(RIE). The gold is etched to form patterned gold dots. The polystyrene sphere is removed. The GaAs nano wire is aged by molecular beam epitaxy(MBE) or metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD). [Reference numerals] (1) Preparing a substrate; (2) Depositing Au; (3) Arranging PS; (4) Reducing the size of the PS; (6) Removing the PS; (7) Growing nanowire
Abstract translation: 目的：提供GaAs（砷化镓）纳米线的制造方法，通过使用聚苯乙烯球形成金点，以低成本形成大面积的金点，生长纳米棒。 构成：GaAs纳米线的制造方法使用尺寸调整金点作为催化剂。 GaAs纳米线的制造方法包括以下步骤。 金在蒸发涂覆在硅（si）或砷化镓（GaAs）板的表面上。 直径为1微米的聚苯乙烯球体（PS）分散在金子上。 通过反应离子蚀刻（RIE）将聚苯乙烯球的直径减小到150-200nm。 金被蚀刻以形成图案化的金点。 去除聚苯乙烯球。 GaAs纳米线通过分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）来老化。 （附图标记）（1）准备基板; （2）沉积Au; （3）安排PS; （4）减小PS的大小; （6）取出PS; （7）生长纳米线
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公开(公告)号：KR101109124B1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：KR1020090011628
申请日：2009-02-12
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C12P3/00 , C01G49/08 , C01G51/02 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2002/88 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , H01M4/485 , H01M4/621 , H01M10/0525 , Y10T428/13
Abstract: 본 발명은 박테리아 및 전이금속 산화물로 이루어진 유ㆍ무기 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 높은 음전하를 나타내는 박테리아를 템플릿(template)으로 하여 박테리아 표면에 양이온의 전이금속 전구체를 부착시키고, 소듐 보로하이드라이드(sodium borohydride, NaBH
4 ) 및 상온 조건 하에서 박테리아와 전이금속 이온을 환류시켜 환원ㆍ자발 산화 반응을 유도함으로써 뛰어난 고용량의 전기화학적 특성을 갖는 박테리아 및 전이금속 산화물로 이루어진 유ㆍ무기 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
따라서, 본 발명에 따른 유ㆍ무기복합체의 제조방법은 합성 과정의 단순화에 따른 비용 절감 및 시간 절약 효과뿐만 아니라 대량 생산이 용이하고, 저온 합성 및 균일한 나노구조체 크기, 1 차원의 형태 조절과 다른 금속 산화물에 적용이 가능하므로, 상기 유ㆍ무기복합체는 리튬 이차 전지 및 슈퍼 커패시터 등의 전기화학 분야 소자 및 나노전기 광 시스템, 촉매 분야 등에 적용이 가능하다.
박테리아, 전이금속 산화물, 유ㆍ무기 복합체, 소듐 보로하이드라이드, 고용량Abstract translation: 本发明涉及包含细菌和过渡金属氧化物的有机 - 无机复合物及其制造方法。 更具体地说，本发明涉及通过将阳离子过渡金属前体附着在细菌表面上而制造的细菌和过渡金属氧化物的有机 - 无机复合物，其中表面上具有高负电荷的细菌用作模板，回流细菌和 过渡金属离子在室温下在硼氢化钠（NaBH 4）存在下，诱导还原/自发氧化，从而具有优异的高容量电化学性能及其制造方法。 因此，本发明的有机 - 无机复合体的制造方法具有能够降低制造成本和所需时间，批量生产，低温合成，均匀纳米结构的合成，一维型的控制的优点 可以应用于其他的金属氧化物，因此预计可以用作包括锂二次电池，超级电容器，纳米电子光学系统，催化剂等在内的其他电化学领域的部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101038772B1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：KR1020080122940
申请日：2008-12-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/14 , C04B35/19 , C04B35/18 , C04B35/195
Abstract: 본 발명은 저온소성용 저유전율 세라믹 유전체 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 설명을 하면, SiO
2 , B
2 O
3 , Al
2 O
3 , 알칼리토류 산화물 및 알칼리 금속산화물을 함유하는 보로실리케이트 유리프리트 44 ~ 65 중량%; 충전재 34 ~ 55 중량%; 및 ZrO
2 , TiO
2 , La
2 O
3 및 WO
3 중에서 선택된 단종 또는 2 종 이상의 핵 형성제 0.1 ~ 5 중량%;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다. 본 발명의 상기 저유전율 세라믹 유전체 조성물은 800 ~ 950℃에서 저온소성이 가능하고, 상기 조성물을 이용하여 제조된 저유전율 세라믹 유전체는 4.5 ~ 6.0(1 MHz)의 낮은 유전율 및 낮은 유전손실율을 갖는 바, 신호전송속도를 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라, 유리프리트를 부분적으로 결정화시켰기 때문에 200 MPa 이상의 기계적 강도를 갖기 때문에 내충격성이 강한 고집적 전자부품, 안테나 부품, 기판, 특히 저온 동시소성세라믹(LTCC, Low Temperature Co-fired Ceramic) 기판의 제조에 적합하다.
저온소성, 유전율, 세라믹 유전체, 유리프리트, 핵 형성제-
17.发明授权금 나노막대의 표면 실리카 코팅 방법 및 이를 이용한 나노하이브리드 제조방법 그리고 그에 따라 제조된 나노하이브리드 有权制备二氧化硅涂层的Au纳米棒的方法和二氧化硅涂覆的Au纳米棒和二氧化硅纳米管的纳米氧化
公开(公告)号：KR101304325B1
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：KR1020110038472
申请日：2011-04-25
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 표면매개물질의 요구 없이 금 나노막대 표면에 실리카를 안정적으로 코팅할 수 있는 금 나노막대의 표면 실리카 코팅 방법 및 이를 이용한 나노하이브리드 제조방법 그리고 그에 따라 제조된 나노하이브리드에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 금 나노막대의 표면 실리카 코팅 방법은 금 나노막대를 준비하는 단계 및 아민기(amine function)를 갖는 고분자물질과 머캅토기(mercapto function)를 갖는 고분자물질이 혼합된 혼합물을, 상기 금 나노막대와 혼합, 교반하여 금 나노막대 표면에 실리카층을 코팅하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020080044604A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：KR1020060113643
申请日：2006-11-17
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B32/956 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16 , C01P2004/64
Abstract: A manufacturing method of SiC nanowire is provided to obtain SiC nanowire having excellent field emission property which is useful for the preparation of semiconductor nanostructure field emission device in an economical process and selective patterning as a cathode material by employing SiC compound. A manufacturing method of SiC nanowire comprises steps of: forming a catalyst layer which is deposited with a catalyst selected from gold, nickel, cobalt or alloy thereof, on a substrate; feeding 1-20sccm of dichloromethylvinylsilane and 100-1000sccm of carrier gas in a reducing atmosphere which is maintained at 900-1200deg.C and maintaining the state for 10-120 minutes. The nanowire has a diameter of 200-200nm and a length of 10-100mum. The substrate is silicone or sapphire. The carrier gas is inert gas or reducing gas, comprising at least one selected from hydrogen gas, Ar gas, N2 gas and CH4 gas.
Abstract translation: 提供SiC纳米线的制造方法，以获得具有优异的场致发射特性的SiC纳米线，其可用于在经济的工艺中制备半导体纳米结构场致发射器件，并通过使用SiC化合物作为阴极材料的选择性图案化。 SiC纳米线的制造方法包括以下步骤：在基板上形成沉积有选自金，镍，钴或其合金的催化剂的催化剂层; 在保持在900-1200℃的还原气氛中进料1-20sccm的二氯甲基乙烯基硅烷和100-1000sccm的载气，并保持10-120分钟。 纳米线的直径为200-200nm，长度为10-100μm。 基材是硅胶或蓝宝石。 载气是惰性气体或还原气体，包括选自氢气，Ar气体，N 2气体和CH 4气体中的至少一种。
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公开(公告)号：KR101777792B1
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020160082812
申请日：2016-06-30
CPC classification number: G01N3/20 , G01N3/04 , G01N21/1717 , G01N2021/177
Abstract: 본발명은베이스부, 베이스부의상면에설치되며, 상하방향및 좌우방향으로이동하고축방향으로회전가능한스테이지부, 베이스부와스테이지부또는스테이지부에설치되고, 평가시험하고자하는유연소자를그립하는그립부, 유연소자의측면방향에이격되게설치되어평가시험시 유연소자의이미지를측정하는카메라부및 스테이지부와연결되어스테이지부의이동을구동제어하고, 카메라부와연결되어카메라부로부터유연소자의변형되는이미지정보를수신하여유연소자의변형및 성능변화를측정하는제어부를포함하는유연소자의신뢰성평가시험장치를제공한다. 따라서유연소자의전기적신호및 응용측정이가능할뿐만아니라, 반복시험에도기계적신뢰성및 내구성저하를방지할수 있으며, 스테이지의다축방향으로의이동이가능하여실제유연소자를구동시킬경우발생되는다축방향에대한응력평가가가능하다.
Abstract translation: 本发明被安装在基座部分，所述基座部分，运动在垂直方向和水平方向的上表面和设置在可旋转的载物台部，所述基部和所述台部或在轴向方向上的阶段上，绘制所述柔性设备进行测试，评估 把持部，被安装在该柔性元件的横向方向上被间隔开，被连接到摄像头模块，并在评价试验的时间测量所述柔性装置的图像的各个阶段，以及载物台移动部的驱动控制，被连接到从相机单元的柔性装置的相机单元的变形 以及控制单元，用于接收图像信息并测量柔性装置的变形和性能变化。 因此，不仅将电信号和应用测量所述柔性装置是可能的，在反复试验，并可以防止机械的可靠性和耐久性降低，用于移动到该级的多轴方向时所产生的多轴方向上能够实际柔性元件驱动到 压力评估是可能的。
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公开(公告)号：KR1020160108727A
公开(公告)日：2016-09-20
申请号：KR1020150031281
申请日：2015-03-05
CPC classification number: D01D5/0061 , D01D4/02 , D01D5/0007
Abstract: 본발명은일방향으로정렬된나노섬유를간편하게제조할수 있는전기방사장치를제공하는것을그 목적으로한다. 상기의목적을달성하기위하여본 발명은, 전기방사장치에있어서, 폴리머솔루션을가압하는펌프; 상기펌프에의하여가압된폴리머솔루션을분사하는노즐; 상기노즐에서분사된폴리머솔루션이나노섬유로집적되는콜렉터; 상기노즐과상기콜렉터에전원을인가하는전원공급장치; 및상기콜렉터에서상기나노섬유가집적되는면에형성되는함몰부;를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明提供一种静电纺丝装置，其可以以便利的方式制造沿一个方向排列的纳米纤维。 为达到上述目的，本发明的静电纺丝装置包括：用于对聚合物溶液进行加压的泵; 用于喷射由泵加压的聚合物溶液的喷嘴; 用于聚集喷射在喷嘴中的聚合物溶液作为纳米纤维的收集器; 用于向喷嘴和收集器施加电力的电源装置; 以及形成在其上从收集器收集纳米纤维的表面上的凹陷单元。
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