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公开(公告)号：KR1019970074931A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：KR1019960017039
申请日：1996-05-20
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 에너지 대사 과정에 중요한 역할을 하고 그의 유전적 결함에 의해 비구상성 용혈성 빈혈 등이 유발되는, 사람의 아데닐레이트 키나제 유전자, 그의 염기 서열 및 본 유전자를 포함하여 아데닐레이트 키나제를 대장균에서 대량 생산할 수 있는 발현 벡터에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019970043048A
公开(公告)日：1997-07-26
申请号：KR1019950055519
申请日：1995-12-23
Abstract: 본 발명은 사람 파필로마바이러스 18형 E7 유전자를 함유하는 재조합 플라스미드에 의해 형질전환되어 가용성 18형 E7 재조합 단백질을 고효율로 생산할 수 있는 대장균 형질전환체, 대장균 형질전환체를 이용하여 비융합형이고 가용성인 18형 E7재조합 단백질을 제조하는 방법 및 상기 재조합 단백질에 대해 특이적인 폴리클로날 항체에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020130017684A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020110080261
申请日：2011-08-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of GaAs(gallium arsenide) nano wire is provided to grow nano rod using the gold dots by using polystyrene spheres and forming the large area gold dots with low cost. CONSTITUTION: A manufacturing method of GaAs nano wire uses size adjusted gold dots as a catalyst. The manufacturing method of the GaAs nano wire comprises the following steps. The Gold is evaporation coated on the surface of silicon(si) or gallium arsenide(GaAs) board. Polystyrene sphere(PS) with 1 micron diameter is dispersed on the gold. The diameter of the polystyrene sphere is reduced to 150-200nm by reactive ion etching(RIE). The gold is etched to form patterned gold dots. The polystyrene sphere is removed. The GaAs nano wire is aged by molecular beam epitaxy(MBE) or metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD). [Reference numerals] (1) Preparing a substrate; (2) Depositing Au; (3) Arranging PS; (4) Reducing the size of the PS; (6) Removing the PS; (7) Growing nanowire
Abstract translation: 目的：提供GaAs（砷化镓）纳米线的制造方法，通过使用聚苯乙烯球形成金点，以低成本形成大面积的金点，生长纳米棒。 构成：GaAs纳米线的制造方法使用尺寸调整金点作为催化剂。 GaAs纳米线的制造方法包括以下步骤。 金在蒸发涂覆在硅（si）或砷化镓（GaAs）板的表面上。 直径为1微米的聚苯乙烯球体（PS）分散在金子上。 通过反应离子蚀刻（RIE）将聚苯乙烯球的直径减小到150-200nm。 金被蚀刻以形成图案化的金点。 去除聚苯乙烯球。 GaAs纳米线通过分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）来老化。 （附图标记）（1）准备基板; （2）沉积Au; （3）安排PS; （4）减小PS的大小; （6）取出PS; （7）生长纳米线
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公开(公告)号：KR1019970065715A
公开(公告)日：1997-10-13
申请号：KR1019960009150
申请日：1996-03-29
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 닭의 생체 시스템에서 발암 유전자 myb에 의해서 유도되는 단백질인 mim-1유전자와 상동성을 갖는 인체 조직 유래의 상동 유전자에 관한 것으로 인체의 태아 간조직에서는 발현되는 본 발명의 cDNA 클론 20G06으로부터 예측되는 단백질은 닭의 mim-1 단백질과 77%의 상동성을 보이며 특히 단백질의 생리적인 활성도와 관련이 높은 단백질 분자의 3차 구조를 결정하는데 중요한 역할을 담당하는 시스테인들과 그 주변의 아미노산 서열의 상동성이 잘 유지되고 있다. 이와 같은 인체 조직 유래의 mim-1상동 유전자는 아직 밝혀지지 않은 인체 조혈 세포계의 발암 기전을 이해하는 재료로써, 또한 이를 응용하는 암의 진단 시약 및 치료제의 개발에 유용하게 이용할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100202387B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970006762
申请日：1997-02-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 인체로부터 유도된 아데닐레이트 키나제(adenylate kinase: AK) 2B 단백질에 관한 것으로, 인간 태아의 간조직으로부터 인간 AK2B 유전자를 유도하여 이의 염기 서열 및 아미노산 서열을 규정하고, 이를 포함하는 플라스미드로 형질전환된 대장균을 인간 AK2B의 발현에 적합한 조건에서 배양하는 단계를 포함하는 본 발명의 방법에 의해 인간 AK2B 단백질을 대량 발현시킴으로써 인간 AK2B 단백질의 특성 및 이들과 관련된 질환의 분자병학적 연구에 크게 이바지할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100176418B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019960009150
申请日：1996-03-29
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 닭의 생체 시스템에서 발암 유전자 myb에 의해서 유도되는 단백질인 mim-1 유전자와 상동성을 갖는 인체 조직 유래의 상동 유전자에 관한 것으로, 인체의 태아 간조직에서 발현되는 본 발명의 cDNA 클론 20G06으로부터 예측되는 단백질은 닭의 mim-1 단백질과 77%의 상동성을 보이며 특히 단백질의 생리적인 활성도와 관련이 높은 단백질 분자의 3차 구조를 결정하는데 중요한 역할을 담당하는 시스테인들과 그 주변의 아미노산 서열의 상동성이 잘 유지되고 있다. 이와같은 인체 조직 유래의 mim-1 상동 유전자는 아직 밝혀지지 않은 인체 조혈 세포계의 발암 기전을 이해하는 재료로써, 또한 이를 응용한 암의 진단 시약 및 치료제의 개발에 유용하게 이용할 수 있다.
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7.发明公开대면적 나노임프린트 방법으로 패턴된 (111) 실리콘 기판위에 Ｖｏｌｍｅｒ―Ｗｅｂｅｒ 방법으로 성장한 ＩｎＧａＡｓ 나노선 无效通过大面积纳米法制作的图形硅（111）衬底上的压电陶瓷生长模式的INGAAS纳米阵列
公开(公告)号：KR1020130017685A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020110080262
申请日：2011-08-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: An InGaAs(indium gallium arsenide) nanowire is provided to have excellent optical/electrical property without misfit dislocation by growing with volmer-weber method on silicon board patterned by a large area nano imprint method. CONSTITUTION: A manufacturing method of an InGaAs nanowire comprises the following steps. SiO2 is deposited on silicon substrate(111). On SiO2 layer, the nano hole pattern is formed. InxGa1-xAs nano array is perpendicularly grown along the form of nano hole pattern. The SiO2 layer is 10-300nm thickened by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD). The nano hole pattern is formed by the nano imprint lithography method. The nano hole comprises the diameter of 50-500nm and the distance between the holes is 400-1000nm. The InxGa1-xAs nano wire is grown by the metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) on the patterned silicon substrate. [Reference numerals] (111) Silicon substrate
Abstract translation: 目的：通过在大面积纳米压印方法图案化的硅板上采用伏安法进行生长，提供InGaAs（砷化铟镓）纳米线，具有优异的光学/电学性能，无误差位错。 构成：InGaAs纳米线的制造方法包括以下步骤。 SiO 2沉积在硅衬底（111）上。 在SiO2层上形成纳米孔图案。 In x Ga 1-x As纳米阵列沿着纳米孔图案的形式垂直生长。 通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD），SiO 2层增厚10-300nm。 纳米孔图案通过纳米压印光刻法形成。 纳米孔的直径为50-500nm，孔间距为400-1000nm。 InxGa1-xAs纳米线通过金属 - 有机化学气相沉积（MOCVD）在图案化的硅衬底上生长。 （111）硅基板
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公开(公告)号：KR100220089B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019960017039
申请日：1996-05-20
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 에너지 대사 과정에 중요한 역할을 하고 그의 유전적 결함에 의해 비구상성 용혈성 빈혈 등이 유발되는, 사람의 아데닐레이트 키나제 유전자, 그의 염기 서열 및 본 유전자를 포함하여 아데닐레이트 키나제를 대장균에서 대량 생산할 수 있는 발현 벡터에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019980069616A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970006762
申请日：1997-02-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 인체로부터 유도된 아데닐레이트 키나제(adenylate kinase: AK) 2B 단백질에 관한 것으로, 인간 태아의 간조직으로부터 인간 AK2B 유전자를 유도하여 이의 염기 서열 및 아미노산 서열을 규정하고, 이를 포함하는 플라스미드로 형질전환된 대장균을 인간 AK2B의 발현에 적합한 조건에서 배양하는 단계를 포함하는 본 발명의 방법에 의해 인간 AK2B 단백질을 대량 발현시킴으로써 인간 AK2B 단백질의 특성 및 이들과 관련된 질환의 분자병학적 연구에 크게 이바지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980026589A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960045086
申请日：1996-10-10
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 메탐페타민에 대한 특이항체 분비세포주에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 활성화된 메탐페타민-소혈청 알부민(MA-NH
2 -BSA)을 면역원으로 사용하여 쥐의 비장에 직접 면역한 후 세포융합을 통하여 수립된 새로운 하이브리도마 세포주 NK-1과 이 세포주로부터 분비되는 메탐페타민과 특이적으로 반응할 수 있는 단일클론항체(monoclonal antibody)에 관한 것이다.
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