公开(公告)号：KR1020150028529A

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：KR1020130107266

申请日：2013-09-06

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 조은애 ,  권초롱 ,  유성종 ,  헨켄스마이어디억 ,  윤성필 ,  류재윤 ,  남석우 ,  임태훈 ,  김형준 ,  장종현

IPC: H01M4/90 ,  H01M4/88 ,  B01J21/06

CPC classification number: H01M4/90 ,  B01J21/06 ,  H01M4/88 ,  H01M4/8803

Abstract: 본 발명은 Nb 도핑된 TiO
2 촉매 담체 및 이것의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 촉매 담체는 연료전지용 전극에 적용되어 우수한 활성 및 내부식성을 제공한다.

Abstract translation: 在本发明中，通过使用通过静电纺丝使用掺杂有Nb的TiO_2纳米纤维，提供了在PEMFC中在各种燃烧温度下具有高导电性的催化剂载体。 本发明涉及掺杂有Nb的TiO_2催化剂载体及其制造方法，其中催化剂载体用于燃料电池的电极中，因此具有突出的活性和耐腐蚀性。 在本发明的一个实施方案中，提供了用于燃料电池的Nb-TiO_2催化剂载体，其中Nb-TiO_2催化剂载体是纳米纤维，并且通过使用静电纺丝制造，并且纳米纤维的Nb含量不大于50原子％。

公开(公告)号：KR1020130017685A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020110080262

申请日：2011-08-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최경진 ,  신재철 ,  김재화 ,  김도양 ,  권초롱 ,  김효진

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: An InGaAs(indium gallium arsenide) nanowire is provided to have excellent optical/electrical property without misfit dislocation by growing with volmer-weber method on silicon board patterned by a large area nano imprint method. CONSTITUTION: A manufacturing method of an InGaAs nanowire comprises the following steps. SiO2 is deposited on silicon substrate(111). On SiO2 layer, the nano hole pattern is formed. InxGa1-xAs nano array is perpendicularly grown along the form of nano hole pattern. The SiO2 layer is 10-300nm thickened by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD). The nano hole pattern is formed by the nano imprint lithography method. The nano hole comprises the diameter of 50-500nm and the distance between the holes is 400-1000nm. The InxGa1-xAs nano wire is grown by the metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) on the patterned silicon substrate. [Reference numerals] (111) Silicon substrate

Abstract translation: 目的：通过在大面积纳米压印方法图案化的硅板上采用伏安法进行生长，提供InGaAs（砷化铟镓）纳米线，具有优异的光学/电学性能，无误差位错。 构成：InGaAs纳米线的制造方法包括以下步骤。 SiO 2沉积在硅衬底（111）上。 在SiO2层上形成纳米孔图案。 In x Ga 1-x As纳米阵列沿着纳米孔图案的形式垂直生长。 通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD），SiO 2层增厚10-300nm。 纳米孔图案通过纳米压印光刻法形成。 纳米孔的直径为50-500nm，孔间距为400-1000nm。 InxGa1-xAs纳米线通过金属 - 有机化学气相沉积（MOCVD）在图案化的硅衬底上生长。 （111）硅基板

公开(公告)号：KR101094670B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020110083426

申请日：2011-08-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 홍석원 ,  최경진 ,  이상협 ,  이재상 ,  최시혁 ,  권초롱 ,  김희찬

IPC: C01G23/053 ,  B01J21/06 ,  B82B3/00 ,  C02F1/72

Abstract: PURPOSE: Substrate fixing titanium dioxide nano-wires, a method for manufacturing the same, and a water treating method using the same are provided to maximize the activity of a photo-catalyst by optimizing the crystal phase ratio of titanium dioxide. CONSTITUTION: A method for manufacturing a substrate fixing titanium dioxide nano-wires includes the following: Titanium dioxide nano-wires are fixed to a substrate. A mixed solution containing a titanium dioxide precursor and the substrate are prepared(S201). The mixed solution is electro-spun to the substrate in order to deposit the titanium dioxide nano-wires(S202). The titanium dioxide nano-wires are fixed on the substrate through a thermal compressing operation(S203). The anatase crystal phase and rutile crystal phase ratios of the titanium dioxide nano-wires are adjusted(S204).

Abstract translation: 目的：提供底物固定二氧化钛纳米线，其制造方法和使用其的水处理方法，以通过优化二氧化钛的结晶相比来使光催化剂的活性最大化。 构成：固定二氧化钛纳米线的基板的制造方法包括：将二氧化钛纳米线固定在基板上。 制备含有二氧化钛前体和底物的混合溶液（S201）。 将混合溶液电纺到基底上以沉积二氧化钛纳米线（S202）。 通过热压缩操作将二氧化钛纳米线固定在基板上（S203）。 调整二氧化钛纳米线的锐钛矿晶相和金红石晶相比（S204）。

公开(公告)号：KR1020130017684A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020110080261

申请日：2011-08-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최경진 ,  김재화 ,  김도양 ,  권초롱

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of GaAs(gallium arsenide) nano wire is provided to grow nano rod using the gold dots by using polystyrene spheres and forming the large area gold dots with low cost. CONSTITUTION: A manufacturing method of GaAs nano wire uses size adjusted gold dots as a catalyst. The manufacturing method of the GaAs nano wire comprises the following steps. The Gold is evaporation coated on the surface of silicon(si) or gallium arsenide(GaAs) board. Polystyrene sphere(PS) with 1 micron diameter is dispersed on the gold. The diameter of the polystyrene sphere is reduced to 150-200nm by reactive ion etching(RIE). The gold is etched to form patterned gold dots. The polystyrene sphere is removed. The GaAs nano wire is aged by molecular beam epitaxy(MBE) or metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD). [Reference numerals] (1) Preparing a substrate; (2) Depositing Au; (3) Arranging PS; (4) Reducing the size of the PS; (6) Removing the PS; (7) Growing nanowire

Abstract translation: 目的：提供GaAs（砷化镓）纳米线的制造方法，通过使用聚苯乙烯球形成金点，以低成本形成大面积的金点，生长纳米棒。 构成：GaAs纳米线的制造方法使用尺寸调整金点作为催化剂。 GaAs纳米线的制造方法包括以下步骤。 金在蒸发涂覆在硅（si）或砷化镓（GaAs）板的表面上。 直径为1微米的聚苯乙烯球体（PS）分散在金子上。 通过反应离子蚀刻（RIE）将聚苯乙烯球的直径减小到150-200nm。 金被蚀刻以形成图案化的金点。 去除聚苯乙烯球。 GaAs纳米线通过分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）来老化。 （附图标记）（1）准备基板; （2）沉积Au; （3）安排PS; （4）减小PS的大小; （6）取出PS; （7）生长纳米线