나노 산화물 입자를 템플레이트로 사용한 나노링 탄소나노튜브 및 이의 제조방법
    13.
    发明授权
    나노 산화물 입자를 템플레이트로 사용한 나노링 탄소나노튜브 및 이의 제조방법 有权
    使用纳米氧化物颗粒作为模板的纳米环碳纳米管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101738343B1

    公开(公告)日:2017-05-23

    申请号:KR1020150030876

    申请日:2015-03-05

    Abstract: 본발명은직경 20 내지 30nm의나노링 형태의탄소나노튜브및 산처리된탄소나노튜브및 금속산화물전구체의용액을반응시켜침전물을얻는단계; 및상기침전물을산성용액에용해시켜금속산화물을제거하여직경 20 내지 30nm의나노링 형태의탄소나노튜브를얻는단계를포함하는나노링 형태의탄소나노튜브의제조방법을제공한다.

    Abstract translation: 本发明包括由碳纳米管和酸处理过的碳纳米管和从20在直径至30nm的金属氧化物前体的纳米环形式的溶液反应获得沉淀物的工序; 并且将沉淀物溶解在酸性溶液中以除去金属氧化物以获得具有20至30nm直径的纳米管形状的碳纳米管。

    고분자 표면 개질층을 이용한 양자점 단일층 발광 다이오드
    14.
    发明公开
    고분자 표면 개질층을 이용한 양자점 단일층 발광 다이오드 无效
    具有单层量子点的发光二极管,使用聚合物表面改性层

    公开(公告)号:KR1020150107249A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:KR1020140029849

    申请日:2014-03-13

    CPC classification number: H01L51/502 H01L51/5056

    Abstract: 본 발명은 고분자 표면 개질층을 이용한 양자점 단일층 발광 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 투명전극 위에 고분자인 에톡시화된 폴리에틸렌이민(PEIE; Polyethylenimine ethoxylated)을 표면 개질층으로 이용하여 그 개질층에 함유된 아민기의 표면 쌍극자(surface dipole)와 양자점의 상호작용으로 인해 양자점 단일층을 형성하도록 구성함으로써, 투명전극을 음극으로 극치환시킨 인버티드(inverted) 구조로 전환하여 우수한 색 구현과 수명 연장이 가능하도록 개선한 고분자 표면 개질층을 이용한 양자점 단일층 발광 다이오드에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有使用聚合物表面改性层的量子点信号层的发光二极管,更具体地,涉及一种使用聚合物表面改性层的量子点单层的发光二极管,其被组织形成 通过在作为表面改性层的透明电极上使用作为聚合物的聚乙烯亚胺乙氧基化(PEIE)在重整层中包含的胺基团的表面偶极之间的相互作用进行量子点单层。 发光二极管的结构通过极性地替代透明电极的负极而被转换为倒置的结构,从而实现了优异的颜色实现和寿命延长。

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