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公开(公告)号：KR100928058B1
公开(公告)日：2009-11-23
申请号：KR1020080010050
申请日：2008-01-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 대물렌즈 조리개 제조방법, 제조된 대물렌즈 조리개 및 이를 이용한 패턴형성장치가 개시된다. 본 발명에 따른 대물렌즈 조리게 제조방법은 결정질 시편의 회절도형을 획득하고, 획득된 회절도형을 바탕으로 원하는 고분해능 원자이미지를 얻기 위해, 투과시킬 회절빔 및 투과빔을 선택한다. 그리고 선택된 회절빔 및 투과빔을 투과시키는 개구부를 대물렌즈 조리개용 플레이트에 형성시킨다. 본 발명에 따르면, 하나의 시편을 이용하여 다양한 원자이미지를 얻을 수 있어 여러 가지 패턴을 형성하고자 할 때 시편을 교체하는데 소요되는 시간과 노력이 절감된다.
Abstract translation: 提供一种目标孔径制造方法和使用该方法的图案形成装置，以通过从TEM中去除穿透样本的背景噪声来保持电子束的背景强度均匀。 目标孔径制造方法包括：获得晶体样本的衍射图案的步骤（S710）; 根据e衍射图案选择衍射光束和透射光束以获得高分辨率的原子图像的步骤（S720）; 在用于物镜孔径的板上形成开口部分的步骤; 以及通过开口部分传送衍射光束和选择的传输光束的步骤（S730）。
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公开(公告)号：KR1020090084085A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020080010050
申请日：2008-01-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G03B9/07 , G02B21/0016 , G02B26/04 , H01L21/268
Abstract: An objective aperture manufacturing method and a pattern forming device using the same are provided to keep the background intensity of the electronic beam uniform by removing the background noise penetrating a specimen from a TEM. An objective aperture manufacturing method comprises: a step of obtaining the diffraction pattern of a crystalloid specimen(S710); a step of selecting the diffraction beam and transmitting beam in order to get the atom image of the high resolving power based on e diffraction pattern(S720); a step of forming an opening part at a plate for the objective lens aperture; and a step of transmitting the diffraction beam and the selected transmitting beam through the opening part(S730).
Abstract translation: 提供了一种客观孔径制造方法和使用其的图案形成装置，通过从TEM中去除穿透样本的背景噪声来保持电子束的背景强度均匀。 一种客观孔径制造方法，包括：获得晶体样品的衍射图案的步骤（S710）; 选择衍射光束和透射光束以便获得基于e衍射图案的高分辨能力的原子图像的步骤（S720）; 在用于物镜孔的板上形成开口部的步骤; 以及通过开口部发送衍射光束和所选择的发射光束的步骤（S730）。
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公开(公告)号：KR100907473B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：KR1020070095633
申请日：2007-09-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 실리사이드 나노점(silicide nanodot) 형성방법 및 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물을 개시한다. 본 발명에 따른 실리사이드 나노점 형성방법은 기판 상에 금속층과 산소를 함유하는 실리콘층으로 이루어진 계면이 적어도 하나 형성된 적층구조물을 준비하고 이 적층구조물 상에 전자빔을 조사하여 계면 상에 실리사이드 나노점을 형성하는 것이다. 그리고 본 발명에 따른 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물은 기판과 기판 상에 형성된 금속층과 금속층 상에 형성된 금속층과 동종의 금속이 포함되어 있는 실리사이드 나노점을 구비한다. 본 발명에 따른 실리사이드 나노점 형성방법에 의하면, 실리사이드 나노점의 크기가 실리사이드 나노점을 둘러싸고 있는 산소를 많이 함유한 실리콘에 의해 제한되므로 균일한 형상을 갖는 10nm 이하의 나노점을 형성할 수 있다. 또한, 전자빔을 이용함으로써 손쉽게 크기와 밀도가 균일한 패터닝된 나노점 어레이를 구현할 수 있다. 그리고 본 발명에 따른 실리사이드 나노점이 형성되어 있는 적층구조물은 금속층 상에 실리사이드 나노점이 형성되어 있어 나노와이어나 탄소 나노튜브의 촉매나 전계방출소자(field emission display, FED)의 에미션 팁(emission tip) 그리고 에칭이나 산화시에 하드마스크로서 사용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090072993A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020080132248
申请日：2008-12-23
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0758 , G03F7/004 , G03F7/0043 , G03F7/0045 , G03F7/075 , G03F7/0754
Abstract: A resist for the electron beam lithography is provided to improve the sensitivity and resolution to the electron beam and to allow a semiconductor device to be prepared more easily. A resist for the electron beam lithography is a copolymer obtained by copolymerizing a compound represented by the formula 1 and a compound represented by the formula 2, and has a number average molecular weight of 500 ~ 30,000, wherein R1 ~ R9 are hydrogen or an alkyl group of the carbon number 1 ~ 5; X is hydrogen, -OH, an alkyl group of the carbon number 1 ~ 5, an alkoxy radical of the carbon number 1 ~ 5, norbornyl, a norbornylalkyl group of the carbon number 8 ~ 13, norbornenyl, a norbornenylalkyl group of the carbon number 8 ~ 13, a haloalkylphenyl group of the carbon number 7 ~ 12, or a haloalkylphenylalkyl group of the carbon number 8 ~ 18; and Z is an alkyl group of the carbon number 1 ~ 6 or the group represented by the formulas 3 to 5.
Abstract translation: 提供了用于电子束光刻的抗蚀剂以提高对电子束的灵敏度和分辨率，并且允许更容易地制备半导体器件。 用于电子束光刻的抗蚀剂是通过使由式1表示的化合物与式2表示的化合物共聚得到的共聚物，其数均分子量为500〜30,000，其中R 1〜R 9为氢或烷基 一组碳数1〜5; X为氢，-OH，碳数为1〜5的烷基，碳数为1〜5的烷氧基，降冰片基，碳数为8〜13的降冰片烷基，降冰片烯基，碳原子的降冰片烯基 数8〜13，碳数7〜12的卤代烷基苯基或碳数8〜18的卤代烷基苯基烷基; Z为碳数1〜6的烷基或式3〜5所示的基团。
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公开(公告)号：KR1020090030383A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：KR1020070095633
申请日：2007-09-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: A method for formation a silicide nano-dot is provided to form the silicide nano dot less than 10nm while having uniform shape by restricting a laminated structure with a silicon having much oxide surrounding the silicide nano dot. A silicon having a metal layer and oxide is laminated on a substrate(S110). The metal layer is composed of one of Pd, Ni, Co, Ti, Ta, W, Pt, Cr, V, Zr, Hf, Nb, Fe, Ru, Rh, Re, Os, Ir and Mo. The substrate is formed by depositing a SiO2 of 1000Å thickness on the silicon wafer. The metal layer is formed by depositing Pd by 40Å thickness on the substrate. The silicide nano dot is formed by irradiating an electron beam(E-beam) in a lamination structure(S120). The silicon layer is etched by using a plasma containing oxide(S130).
Abstract translation: 提供一种形成硅化物纳米点的方法，通过用围绕硅化物纳米点的氧化物的硅限制层压结构，形成小于10nm的硅化物纳米点，同时具有均匀的形状。 将具有金属层和氧化物的硅层压在基板上（S110）。 金属层由Pd，Ni，Co，Ti，Ta，W，Pt，Cr，V，Zr，Hf，Nb，Fe，Ru，Rh，Re，Os，Ir和Mo中的一种构成。 通过在硅晶片上沉积1000埃的SiO 2。 通过在基板上沉积厚度为40埃的Pd来形成金属层。 硅化物纳米点通过在层叠结构中照射电子束（E-beam）而形成（S120）。 通过使用含有等离子体的氧化物来蚀刻硅层（S130）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100868321B1
公开(公告)日：2008-11-11
申请号：KR1020060034258
申请日：2006-04-14
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 본 발명은 하나의 단위 셀 내에서 상변화층이 모두 동일한 선폭을 가져도 각각의 상태를 독립적으로 제어할 수 있는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 구조를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 상변화층과, 상기 상변화층과 동일 층 내에서 상기 상변화층과 평행하게 배치된 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 상변화 물질, 보조 저항층, 병렬, 결정질상, 비정질상-
公开(公告)号：KR1020080019905A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060082419
申请日：2006-08-29
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: A thin film deposition method is provided to modify a thin film stably without deformation of the substrate even in the case where glass or a polymer material is used as a substrate, and a thin film deposition apparatus that can realize the thin film deposition method is provided. A thin film deposition method for depositing a thin film on a substrate comprises irradiating electrons onto the thin film deposited onto the substrate through an electron showering process while the thin film is deposited onto the substrate to modify the thin film. The electron showering process comprises sequentially irradiating electrons onto the substrate or the thin film deposited onto the substrate before and after the thin film is deposited onto the substrate. The electron showering process comprises varying intensity and distribution of the electrons irradiated. The electron showering process is conducted in an electron energy range of 0.1 eV to 100 keV.
Abstract translation: 提供了薄膜沉积方法，即使在使用玻璃或聚合物材料作为基板的情况下也能稳定地修饰薄膜而不会发生基板的变形，并且提供可实现薄膜沉积方法的薄膜沉积设备 。 用于在衬底上沉积薄膜的薄膜沉积方法包括通过电子喷镀工艺将电子照射到沉积在衬底上的薄膜上，同时将薄膜沉积到衬底上以改变薄膜。 电子淋洗过程包括在薄膜沉积到衬底上之前和之后，将电子依次照射到衬底上或沉积在衬底上的薄膜。 电子喷淋工艺包括照射的电子的强度和分布变化。 电子喷淋过程在0.1eV至100keV的电子能量范围内进行。
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公开(公告)号：KR100742644B1
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：KR1020060001407
申请日：2006-01-05
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: 본 발명은 양자점 형성 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 단원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)를 이용하여 양자점을 형성하는 방법에 관한 것으로, 이러한 방법을 적용하여 높은 공간 밀도를 갖고 균일한 크기를 갖는 나노미터 크기의 양자점 형성을 제어할 수 있다.
단원자층 증착법(atomic layer deposition), 핵생성 (nucleation), 양자점 (quantum dot), 나노 결정 (nanocrystal)-
公开(公告)号：KR100607874B1
公开(公告)日：2006-08-08
申请号：KR1020040050049
申请日：2004-06-30
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G02B21/02
Abstract: 본 발명은 투과전자 현미경용 또는 전자 빔 리소그라피 장치중에서 원자이미지를 이용한 패턴형성 장치용 대물렌즈의 조리개에 관한 것으로, 특히 시편에 조사된 전자빔이 시편을 통과하여 나오는 투과빔(transmitted beam)과 회절빔(diffracted beam)의 간섭에 의해 상이 형성되는 고분해능 이미지형성에 있어서의 배경잡음을 제거할 수 있는 투과전자 현미경용 또는 전자 빔 리소그라피 장치중에서 원자이미지를 이용한 패턴형성 장치용 대물렌즈 조리개의 구조에 관한 것이다.
대물렌즈 조리개, 배경잡음, 고분해능 이미지, 투과전자현미경, 전자빔 리소그라피 장치, 원자 이미지-
公开(公告)号：KR1020060000986A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040049986
申请日：2004-06-30
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/7045 , G03F7/095 , G03F7/7005
Abstract: 본 발명은 원자이미지를 이용한 패턴형성방법인 원자이미지 투사 전자빔 리소그라피(AIPEL: atomic image projection electron beam lithography) 기술에 관한 것이며, 특히 AIPEL공정에서 다층감광막을 사용하여 미세패턴을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 순차적으로 전자빔용 감광막(electron beam resist)과 포토레지스트(photoresist)를 도포하여 다층 감광막을 형성한 후, 미세 패턴(AIPEL 패턴)이 필요한 지점의 영역과 영역의 형태 등을 포토리소그래피 공정을 통하여 선택적으로 결정하며, 이렇게 선택된 영역에서만 드러나는 전자빔용 감광막의 표면에 투사방식의 원자이미지를 이용한 전자빔 리소그래피 공정을 진행하고 현상을 하게 되면, 원하는 위치에 원하는 형태의 최종의 미세 패턴(AIPEL 패턴)을 얻을 수 있다.
원자이미지, 다층감광막, AIPEL, 포토리소그라피, 전자빔리소그라피Abstract translation: 本发明是使用原子图像形成原子图像投影电子束光刻的方法的模式：其通过在AIPEL过程，使用所述多层光敏膜涉及（AIPEL原子图像投影电子束光刻）技术，尤其涉及一种用于形成精细图案 。 通过顺序地通过光刻工艺将电子束施加光致抗蚀剂（电子束抗蚀剂）和精细图案（AIPEL图案）的光致抗蚀剂（光致抗蚀剂）型区域和所述点的所需要的区域，例如通过选择性地形成的多层光敏膜之后 决定，因此，当使用投影系统的原子图像的电子束光致抗蚀剂的表面上，用于仅在所选择的区域和的现象揭示了前进的电子束光刻工艺，能够在期望的位置，以获得所期望的形状的最终的精细图案（AIPEL图案） 。
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