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公开(公告)号：KR101436385B1
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020130031468
申请日：2013-03-25
Applicant: 한국광기술원
Abstract: The present invention relates to a III-nitride semiconductor light emitting device. The present invention includes a substrate; a buffer layer formed on the substrate; a first nitride semiconductor layer which is formed on the buffer layer and is doped to have a first conductivity; and a defect reduction layer which is formed between the buffer layer and the first nitride semiconductor layer, blocks the progress of crystal defects or reduces the propagation of the crystal defects which are propagated to the first nitride semiconductor by changing the propagation direction of the crystal defects. According to the present invention, the propagation of crystal defects is reduced, thereby greatly improving an optical property (for examples: IV) and an electrical property (for examples: Vr, Ir).
Abstract translation: 本发明涉及III族氮化物半导体发光器件。 本发明包括基板; 形成在所述基板上的缓冲层; 第一氮化物半导体层，其形成在所述缓冲层上并被掺杂以具有第一导电性; 以及形成在缓冲层和第一氮化物半导体层之间的缺陷减少层，通过改变晶体缺陷的传播方向来阻止晶体缺陷的进行或减少传播到第一氮化物半导体的晶体缺陷的传播 。 根据本发明，晶体缺陷的传播减少，从而大大提高光学性能（例如：IV）和电性能（例如：Vr，Ir）。
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公开(公告)号：KR1020140070764A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020120135078
申请日：2012-11-27
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0008 , H01L33/06 , H01L2924/12041
Abstract: Disclosed is a light emitting diode which forms light with a long wavelength range and prevents overflow of electrons. A supperlattice layer having a high energy barrier for preventing the overflow of the electrons is formed in an active layer which performs a light emitting operation, and is formed adjacent to an n-type junction layer which supplies the electrons. In addition, an n junction supperlattice layer having a high energy barrier can be formed between the n-type junction layer and the active layer.
Abstract translation: 公开了一种形成具有长波长范围的光并防止电子溢出的发光二极管。 在执行发光操作的有源层中形成具有用于防止电子溢出的高能量势垒的超晶格层，并且与提供电子的n型结层相邻地形成。 此外，可以在n型结层和有源层之间形成具有高能量势垒的n结超晶格层。
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公开(公告)号：KR101681279B1
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：KR1020140049354
申请日：2014-04-24
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 질화물박막및 그제조방법이개시된다. 본발명의질화물박막은, 실리콘기판을반응로내에서고온의제1온도로가열하고, 상기반응로내에수소를주입하고, 상기실리콘기판을상기제1온도보다낮은제2온도로냉각하고, 상기반응로내에수소를일정하게주입하면서, 트리메틸알루미늄(TMA)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소및 TMA를일정하게주입하면서, 암모니아(NH)를소정시간주입하고, 상기반응로내에수소, TMA 및 NH를일정하게주입하면서, 상기실리콘기판을상기제1온도로가열하여제조한다.
Abstract translation: 公开了一种氮化物薄膜及其制造方法。 本发明的氮化物薄膜通过以下步骤制备：在反应炉中以高温的第一温度加热硅树脂基材; 将氢气送入反应炉; 在低于第一温度的第二温度下冷却硅树脂基材; 均匀地将氢气进料到反应炉中; 喂三甲基铝（TMA）一段时间; 在反应炉中均匀加入氢气和TMA; 在一段时间内喂氨（NH_3） 并在第一温度下加热硅树脂衬底，同时在反应炉中均匀地供给氢气，TMA和NH_3。
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公开(公告)号：KR1020150141002A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020140069361
申请日：2014-06-09
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는플렉서블 LED 및그 제조방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은제 1 도전성반도체층과, 활성층과, 제 2 도전성반도체층과, 반사부가적층되고, 상기제 1 도전성반도체층에제 1 전극이설치되며, 상기반사부에제 2 전극이설치되고, 상기반사부에열을방출하는방열부가설치되며, 상기방열부에잘 구부러지는유연성을갖는플렉서블기판을설치한것을특징으로한다. 따라서본 발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는장점이있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种灵活的LED，其具有容易弯曲LED器件的灵活性及其制造方法。 为此，堆叠第一导电半导体层，有源层，第二导电半导体层和反射部分; 第一电极安装在第一导电半导体层上; 第二电极安装在反射部分上; 并且在反射部上安装有散热部，以将热量辐射到反射部。 具有柔性的柔性基板安装在散热部上。 因此，本发明具有容易弯曲LED器件的灵活性。
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公开(公告)号：KR101568133B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：KR1020140067034
申请日：2014-06-02
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L21/318 , H01L21/20
Abstract: 복수의 GaN 조각을준비하는단계; 제조하고자하는대면적질화물기판의크기에상응하여복수의 GaN 조각을로더상에서로이격시켜배치하는단계; 상기서로이격된복수의 GaN 조각의측면에 GaN을성장시켜상기복수의 GaN 조각사이에 GaN 머지영역을형성하는단계; 상기 GaN 조각및 상기 GaN 머지영역을덮도록상부 GaN층을형성하는단계; 및상기복수의 GaN 조각, GaN 머지영역, 상기상부 GaN층으로이루어진대면적질화물기판을상기로더로부터분리하는단계를포함하는조각 GaN을이용한대면적질화물기판의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 提供一种使用GaN片段制造具有大面积的氮化物衬底的方法，其包括以下步骤：制备多个GaN片段; 对应于具有大面积的氮化物衬底的尺寸，在装载器上分开布置GaN片段; 通过在彼此分离的GaN片段的侧面上生长GaN来在GaN片段之间形成GaN合并区域; 形成顶部GaN层以覆盖GaN合并区域和GaN片段; 并且从装载器中分离具有由GaN片段，GaN合并区域和顶部GaN层组成的大面积的氮化物衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150097307A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140018658
申请日：2014-02-18
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01B13/0026
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 상기 기판상에 탄소 나노 튜브 도전층을 형성하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법에 관한 것으로서, 복수 개의 탄소 나노 튜브를 구비하는 분산액을 제조하는 단계, 상기 분산액에 대하여 원심 분리 공정을 진행하는 단계, 상기 원심 분리 공정을 거친 분산액을 기판에 대하여 성막하는 단계, 상기 성막 단계를 진행하여 형성된 막의 표면에 대하여 활성화 공정을 진행하는 단계, 적어도 금속 원소를 포함하는 도금액을 준비하는 단계, 상기 활성화를 진행한 기판을 상기 도금액에 넣어 도금 공정을 진행하는 단계 및 상기 기판에 대하여 열처리를 구비하는 후처리 공정을 진행하는 단계를 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법을 개시한다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种制造碳纳米管导电层以在基板上形成碳纳米管导电层的方法。 该方法包括：制造具有碳纳米管的分散液的工序; 对分散液体进行离心过滤处理的步骤; 在基板上形成通过离心过滤处理的分散液体层的工序; 在通过进行层形成步骤形成的层的表面上进行活化处理的步骤; 制备至少包含金属元素的电镀溶液的步骤; 将通过激活处理的基板浸渍在电镀液中的电镀工序的工序; 以及对基板进行热处理的后处理工序的工序。
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公开(公告)号：KR1020150036839A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020130115697
申请日：2013-09-27
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은기판, 상기기판상에형성되는반사금속층, 상기반사금속층상에형성되고, p-형 3족-질화물계반도체층, n-형 3족-질화물계반도체층및 상기 p-형 3족-질화물계반도체층과 n-형 3족-질화물계반도체층사이에형성된활성층을구비하는적층체, 상기적층체상에형성되는투명윈도우부재및 상기 p-형 3족-질화물계반도체층및 n-형 3족-질화물계반도체층중 하나에전기적으로연결된패드부를포함하는발광다이오드를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种发光二极管，其包括基板; 形成在所述基板上的反射金属层; 形成在反射金属层上的层压体，并且包括p型III族氮化物基半导体层，n型III族氮化物基半导体层和形成在p型基团III族氮化物基半导体层之间的有源层， 氮化物基半导体层和n型III族氮化物基半导体层; 形成在所述层叠体上的透明窗构件; 以及与p型III族氮化物系半导体层和n型III族氮化物类半导体层中的一者电连接的焊盘部。
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公开(公告)号：KR101402440B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020120134782
申请日：2012-11-26
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: Provided is a manufacturing method of a vertical light emitting diode which includes the steps of: forming a buffer layer on a growth substrate; forming a light-emitting structure including an active layer on the buffer layer; attaching a flexible support substrate on the light-emitting structure; and separating the light-emitting structure from the growth substrate by selectively removing the buffer layer using an etching solution.
Abstract translation: 提供了一种垂直发光二极管的制造方法，其包括以下步骤：在生长衬底上形成缓冲层; 在缓冲层上形成包括活性层的发光结构; 将柔性支撑基板附接到发光结构上; 并且通过使用蚀刻溶液选择性地除去缓冲层，将发光结构与生长衬底分离。
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公开(公告)号：KR101392366B1
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120088980
申请日：2012-08-14
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은질화물발광다이오드제조방법에관한것으로서, [110] 또는 [100] 결정방향을가지는 Si 기판을이용하여기판표면에요철구조를형성하고, 형성된요철구조의표면이 [111] 결정방향을가지도록함으로써, 우수한 GaN 박막성장이가능할뿐만아니라, 추가적인구조가없어도스트레인(strain)을스스로제어할수 있는고출력의질화물발광다이오드제조방법을제공함에그 목적이있다. 이러한목적을달성하기위한본 발명은, (a) [110] 결정방향을가지는 Si 기판상부에마스크를증착하는단계; (b) 포토레지스트패터닝및 건식식각을수행하여상기기판에마스크패턴을형성하는단계; (c) 상기기판을이방성습식식각하여, 측면이 [111] 결정방향을가지는요철구조를형성시키는단계; (d) 상기요철구조(30)의표면과기판의상면에 AIN 버퍼층을성장시키는단계; (e) 상기요철구조의측면방향([111] 결정방향)에서초기 GaN 박막을성장시키는단계; 및 (f) 성장된 GaN 박막이서로머징(merging)될경우, 측면방향으로의성장을억제시키고, 수직방향으로 GaN 박막을성장시키는 GaN 박막평탄화성장을수행하는단계; 를포함한다.
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20.发明授权
公开(公告)号：KR101270056B1
公开(公告)日：2013-05-31
申请号：KR1020120008907
申请日：2012-01-30
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/46
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing the structure of a reflection layer and the structure manufactured by the method, and a light emitting diode for the same are provided to optimize reflectivity and light extraction efficiency and to secure a high efficiency LED. CONSTITUTION: A light emitting structure(130) includes a first electrode(101), a first conductive semiconductor layer(102), an active layer(103), and a second conductive semiconductor layer(105). A contact layer(106) is formed in the lower part of the second conductive semiconductor layer. The contact layer maximizes the scattered reflection effect of the light coming from the outside. A reflector(107) is formed under the contact layer or the light emitting structure. The reflector mainly reflects specific wavelength light.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造反射层结构的方法和通过该方法制造的结构，以及用于其的发光二极管以优化反射率和光提取效率并确保高效率的LED。 构成：发光结构（130）包括第一电极（101），第一导电半导体层（102），有源层（103）和第二导电半导体层（105）。 接触层（106）形成在第二导电半导体层的下部。 接触层使来自外部的光的散射反射效应最大化。 反射器（107）形成在接触层或发光结构下方。 反射器主要反射特定的波长光。
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