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公开(公告)号：KR1020150018118A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020130094636
申请日：2013-08-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 사파이어 기판 위에 템플레이트층을 형성함에 있어서 별도의 마스크나 복잡한 공정 없이 시간과 비용을 단축시키기 위하여 간단한 질화처리 또는 Al 처리와 식각을 통하여 나노구조 질화물 반도체층을 형성하여, 이러한 템플레이트층 위에 제조되는 반도체 소자(예, 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 태양 전지 등)가 저 결함의 질화물 반도체 기반으로 제작되어 광추출 효율이 향상될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及制造用于高质量半导体器件的衬底的方法，其能够通过在模板层（例如发光二极管（LED），激光二极管（LED）等）上制造半导体器件来提高光提取的效率 LD）和太阳能电池），通过简单的硝化处理或AI处理和蚀刻形成纳米结构氮化物半导体层，以便在没有复杂工艺或成形的额外掩模的情况下降低成本和时间，基于具有低故障的氮化物半导体 蓝宝石衬底上的模板层。
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公开(公告)号：KR1020140134809A
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020130054465
申请日：2013-05-14
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 사파이어 등의 기판 위에 형성되는 질화물 반도체층 사이에 양자섬(Quantum Island)을 삽입한 후 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 재성장되도록 한 템플레이트층을 이용하여, 내부양자효율이 향상된 고품질 반도체 소자가 제조될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及制造高质量半导体衬底的方法。 具有提高的内部量子效率的高质量半导体衬底可以通过在将量子岛插入形成在诸如蓝宝石的衬底上的氮化物半导体层之后使用用于再生长具有低缺陷密度的氮化物半导体层的模板层来制造 。
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公开(公告)号：KR101402785B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020110145408
申请日：2011-12-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체층에서 발생하는 면 적층 결함(BSFs)이 없도록 하기 위하여 반극성 질화물 반도체층 성장이 가능한 사파이어 결정면 위에 반극성 질화물 반도체 결정을 형성하되, 산화막, 질화막 등 절연막 마스크를 일정 두께 이상 형성 후 그 사이의 윈도우를 통해 질화물 반도체 결정을 성장시켜 절연막 마스크에 의한 적층 결함(BSFs)의 측면 성장을 블로킹함으로써, 절연막 마스크 패턴 위로는 저 결함밀도를 갖는 질화물 반도체층이 이루어지도록 하고, 그 위에 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시킨 고품질 반도체 소자를 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101277653B1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：KR1020110079338
申请日：2011-08-10
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 GaN보다 에너지 밴드갭(Eg)이 큰 ETB층(Electron Tunneling Barrier: 전자 터널링 배리어층)을 N형 GaN층과 활성층인 MQW층(Multi Quantum Well: 다중 양자 우물층) 사이에 삽입하여 터널링 효과로 인한 MQW층에서의 전자와 홀(hole)의 비율을 맞추고 캐리어 범람현상을 감소시켜 기존의 EBL층(Electron Blocking Layer: 전자 차단층)을 사용하지 않아도 내부양자효율과 광추출 효율을 향상시키며, EBL층이 필요 없기 때문에 홀 주입이 증가되어 효율을 더욱 높일 수 있는 고품질 반도체 광소자 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
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