公开(公告)号：KR101277365B1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：KR1020110010469

申请日：2011-02-07

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  신수진 ,  오동섭

IPC: H01L33/16 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 m-면 사파이어 기판에 질화물계 박막을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 질화물계 반도체에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물계 박막을 형성하는 방법은 (A) m-면 사파이어 기판을 질화 처리하는 단계와; (B) 상기 질화 처리된 m-면 사파이어 기판을 고온 수소 분위기 하에서 질화물계 물질을 기 설정된 제1 성장 시간 동안 에피텍셜 성장시켜 에피텍셜 성장층을 형성하는 단계와; (C) 상기 에피텍셜 성장층의 표면을 열 에칭시켜 상기 에피텍셜 성장층의 표면에 식각면을 형성하는 단계와; (D) 고온 수소 분위기 하에서 기 설정된 제2 성장 시간 동안 상기 식각면으로부터 질화물계 물질을 에피텍셜 성장시켜 질화물계 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, m-면 사파이어 기판 상에 질화물계 박막을 형성하는데 있어, 표면 특성과 결정성, 광학적 효율을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130052964A

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020110118346

申请日：2011-11-14

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 오동섭 ,  송기룡 ,  신민재 ,  이성남

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

Abstract: PURPOSE: A high quality nitride semiconductor thin film and a manufacturing method thereof are provided to improve a surface profile property by forming a low temperature defect reducing layer between a first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer. CONSTITUTION: A first nitride semiconductor layer(110) is formed on a substrate at a first temperature. A low temperature defect reducing layer(120) is formed on the first nitride semiconductor layer. A second nitride semiconductor layer(130) is formed on the low temperature defect reducing layer at a third temperature. The second temperature is lower than the first temperature and the third temperature. [Reference numerals] (AA) Growth temperature; (BB) Growth time

Abstract translation: 目的：提供一种高质量的氮化物半导体薄膜及其制造方法，以通过在第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层之间形成低温缺陷降低层来改善表面轮廓特性。 构成：在第一温度下在基板上形成第一氮化物半导体层（110）。 在第一氮化物半导体层上形成低温缺陷降低层（120）。 在第三温度下在低温缺陷还原层上形成第二氮化物半导体层（130）。 第二温度低于第一温度和第三温度。 （附图标记）（AA）生长温度; （BB）成长时间

公开(公告)号：KR1020110022451A

公开(公告)日：2011-03-07

申请号：KR1020090080056

申请日：2009-08-27

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  장종진 ,  이성남

IPC: H01L33/12

Abstract: PURPOSE: A high quality non-polar/antipolarity semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the defect of a template layer and improve the crystalline quality by forming the template layer as a double buffer layer. CONSTITUTION: A sapphire substrate(110) comprises a crystal plane for the growth of non-polar or the antipolarity nitride semiconductor layer. A template layer(120) is formed on the sapphire substrate. The template layer comprises a low temperature buffer layer(121) and a high temperature buffer layer(122). The high temperature buffer layer is formed at the temperature higher than the formation temperature of the low temperature buffer layer.

Abstract translation: 目的：提供高质量的非极性/反极性半导体器件及其制造方法，以通过将模板层形成为双缓冲层来减少模板层的缺陷并提高结晶质量。 构成：蓝宝石衬底（110）包括用于生长非极性或反极性氮化物半导体层的晶面。 在蓝宝石衬底上形成模板层（120）。 模板层包括低温缓冲层（121）和高温缓冲层（122）。 在比低温缓冲层的形成温度高的温度下形成高温缓冲层。

公开(公告)号：KR101678763B1

公开(公告)日：2016-12-06

申请号：KR1020150011354

申请日：2015-01-23

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  한상현

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/60 ,  H01L27/15 ,  H01L33/02 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20

Abstract: 본발명은 p-p 전극형의발광다이오드및 n-n 전극형의발광다이오드에관한것이다. 본발명에따른 p-p 전극형의발광다이오드는활성층과, 상기활성층을사이에두고양측에각각형성된 n형반도체층 및 p형반도체층을포함하고; 상기 p형반도체층은 p형반도체로동작하는제1 p형영역과, 음의임계바이어스가인가되어브레이크다운(Breakdown)된제2 p형영역으로분리되며; 상기제1 p형영역에 (+) 전원이인가되고, 상기제2 p형영역에 (-) 전원이인가되는경우, 상기제1 p형영역과상기 n형반도체층 사이의상기활성층영역에서발광하는것을특징으로한다. 이에따라, n형반도체층의노출을위한식각공정이제거됨으로써, 공정효율이증가할뿐만아니라식각공정에서야기될수 있는불량문제를원천적으로제거할수 있게된다.

Abstract translation: 本发明涉及P-P电极型发光二极管和N-N电极型发光二极管。 根据本发明的P-P电极型发光二极管分别包括活性层和​​形成在有源层两侧的N型半导体层和P型半导体层。 P型半导体层被分为作为P型半导体工作的第一P型区域和施加负临界偏压的第二P型区域，使得其中发生击穿。 当对第一P型区域施加正（+）功率并且向第二P型区域施加负（ - ）功率时，从第一P型区域和N型区域之间的有源区域发射光 半导体层。 因此，可以省略用于露出N型半导体层的蚀刻工艺，从而提高了工艺效率，并且从根本上防止了在蚀刻工艺中可能发生的误差。

公开(公告)号：KR1020120090189A

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020110010469

申请日：2011-02-07

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  신수진 ,  오동섭

IPC: H01L33/16 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/16

Abstract: PURPOSE: A method for forming a nitride thin film on an m-surface sapphire substrate and the nitride semiconductor manufactured thereby are provided to increase photoluminescence intensity by epitaxially re-growing an etching surface after a heat etching process. CONSTITUTION: An M-surface sapphire substrate(10) is nitrified. A nitride thin film(32) is formed by epitaxially growing the nitrified M-surface sapphire substrate with nitride materials under a high temperature hydrogen atmosphere. The M-surface sapphire substrate is nitrified within an MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition) chamber in an atmosphere including hydrogen gas and ammonia gas for over 5 minutes. The growth temperature for the nitrified M-surface sapphire substrate is 1030°C. The nitride materials include GaN(Gallium Nitride).

Abstract translation: 目的：提供一种在m面蓝宝石衬底上形成氮化物薄膜的方法和由其制造的氮化物半导体，以通过在热蚀刻工艺之后外延再生蚀刻表面来提高光致发光强度。 构成：M表面蓝宝石衬底（10）被硝化。 通过在高温氢气氛下用氮化物材料外延生长硝化的M面蓝宝石衬底来形成氮化物薄膜（32）。 M表面蓝宝石衬底在包含氢气和氨气的气氛中在MOCVD（金属有机化学气相沉积）室内硝化超过5分钟。 硝化的M面蓝宝石衬底的生长温度为1030℃。 氮化物材料包括GaN（氮化镓）。