公开(公告)号：KR100714115B1

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：KR1020050124045

申请日：2005-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  채병규 ,  김경옥

IPC: H02H7/22 ,  H02H1/00

Abstract: 전기전자시스템 특히, 고전압 개폐기 등과 같이 초고전압으로부터 보호하기 위해 초고전압 잡음을 바이패스 시키기 위한 소자 및 그 소자를 이용하여 초고전압 잡음을 바이패스 시키는 고전압 잡음 제거회로 및 그 회로를 포함한 전기전자시스템을 제공한다. 그 소자는 기판; 및 기판 상면 및 하면 각각에 형성된 제1 및 제2 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 구조물;을 포함한다. 그 제거회로는 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬연결되고, 적어도 2개의 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자가 직렬연결된 급격한 MIT 소자열을 포함한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 개폐기, 고전압 잡음

公开(公告)号：KR1020070040709A

公开(公告)日：2007-04-17

申请号：KR1020060015636

申请日：2006-02-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  이용욱 ,  채병규 ,  김봉준 ,  최상국 ,  윤선진

IPC: G08B17/06 ,  G08B3/00 ,  G08B5/00

CPC classification number: G01K3/005 ,  G01K7/22 ,  G08B17/06 ,  G08B3/1025 ,  G08B5/22

Abstract: Provided are a temperature sensor using a metal-insulator transition (MIT) device subject to abrupt MIT at a specific temperature and an alarm including the temperature sensor. The abrupt MIT device includes an abrupt MIT thin film and at least two electrode thin films that contacts the abrupt MIT thin film. The abrupt MIT device generates abrupt metal-insulator transition at a specific transition temperature. The alarm includes a temperature sensor comprising an abrupt MIT device, and an alarm signaling device serially connected to the temperature sensor. Accordingly, the alarm can be manufactured to have a simple circuit and be of a small size by including the temperature sensor using an abrupt MIT device.

公开(公告)号：KR100687760B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020060017888

申请日：2006-02-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  윤선진 ,  김현탁 ,  채병규 ,  김봉준 ,  강광용

IPC: H01L21/316

Abstract: An insulator experiencing abruptly metal-insulator transition and a method for manufacturing the same, and a device using the same are provided to quickly transit metal and insulator without changing a structure of the insulator. An insulator is abruptly transited into a metal by energy variation between electrons, without changing its structure, and has an energy band gap of 2 eV or more. The energy variation is conducted by changing temperature, pressure and electric field applied from an exterior. The insulator is any one of Al oxide, Ti oxide, and oxide of Al-Ti alloy. A device includes a substrate(10), a first insulator thin film formed on the substrate, and at least two electrodes(16,18) spaced apart from each by the insulator thin film.

Abstract translation: 提供了一种经历突然金属 - 绝缘体转变的绝缘体及其制造方法，以及使用该绝缘体的装置，以快速转移金属和绝缘体而不改变绝缘体的结构。 绝缘体通过电子之间的能量变化而突然转变为金属，而不改变其结构，并且具有2eV或更大的能带隙。 能量变化通过改变从外部施加的温度，压力和电场来进行。 绝缘体是Al氧化物，Ti氧化物和Al-Ti合金的氧化物中的任何一种。 一种器件包括衬底（10），在衬底上形成的第一绝缘体薄膜，以及至少两个由绝缘体薄膜隔开的电极（16,18）。

公开(公告)号：KR100687743B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020050048398

申请日：2005-06-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 류호준 ,  유용구 ,  정우석 ,  서동우 ,  백문철 ,  강광용

IPC: G11B7/26

Abstract: 지그를 이용한 초소형 광디스크의 보호층 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 바디와, 바디 내에 일정 깊이로 형성된 원통 형태의 월(wall)과, 상기 원통 형태의 월의 중심부에 위치한 핀을 포함하는 지그에 초소형 광디스크 원판을 장착한다. 이어서, 상기 지그에 장착된 광디스크 원판 상에 광경화성 물질층을 도포한다. 상기 광경화성 물질층을 평탄화 장치를 이용하여 평탄화한 후, 상기 평탄화된 광경화성 물질층을 경화시켜 광디스크 원판 상에 보호층을 형성한다. 상기 보호층이 형성된 광디스크 원판을 상기 지그에서 이탈시켜 초소형 광디스크의 보호층 형성을 완성한다. 이렇게 지그를 이용하여 보호층을 형성할 경우, 제조 공정이 간단하고 균일하게 보호층을 형성함으로써 광디스크의 제조비용을 크게 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070014939A

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：KR1020060018506

申请日：2006-02-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  윤선진 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  채병규

IPC: G01R31/12 ,  H02J7/02

CPC classification number: G01R31/1245 ,  H01L49/003

Abstract: A partial discharge measuring device and a measuring system having the same are provided to check partial discharge without external noise by bypassing current generated due to the partial discharge by rapid metal-insulator transition through an arrester unit. A partial discharge measuring device includes an arrester unit(140) conducted with partial discharge of a gas insulator executing rapid metal-insulator transition; a first electrode(150) electrically connected to the arrester unit to detect the partial discharge and have a first resistance value; and at least one second electrode(160) connected with the first electrode in parallel, wherein the second electrode has a resistance value smaller than the resistance value of the first electrode. The insulator is SF6(Sulfur Hexafluoride) gas.

Abstract translation: 提供了一种局部放电测量装置及其测量系统，以通过绕过由于通过避雷器单元的快速金属 - 绝缘体转变而产生的局部放电产生的电流来检查没有外部噪声的局部放电。 局部放电测量装置包括：执行快速金属 - 绝缘体转换的气体绝缘体的局部放电导管的避雷器单元（140）; 电连接到避雷器单元以检测局部放电并具有第一电阻值的第一电极（150） 以及与第一电极并联连接的至少一个第二电极（160），其中第二电极具有小于第一电极的电阻值的电阻值。 绝缘子是SF6（六氟化硫）气体。

公开(公告)号：KR1020070003529A

公开(公告)日：2007-01-05

申请号：KR1020060015634

申请日：2006-02-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  김봉준 ,  강광용 ,  윤선진 ,  이용욱 ,  채병규

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/10 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/51 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L49/003

Abstract: A memory device using abrupt metal-insulator transition and a method for operating the same are provided to define an on-state by using a conductive path covering the abrupt metal-insulator transition material layer. A memory device comprises a substrate(102), a metal-insulator transition material layer disposed on the substrate for undergoing abrupt metal insulator transition by energy change between electrons, and at least two electrodes contacting the metal-insulator transition material layer and melted by heat to form a conductive path on the metal-insulator transition material layer. The metal-insulator transition material layer contains at least one selected from the group consisting of an inorganic compound semiconductor or insulator material to which low-concentration holes are added, an organic semiconductor or insulator material to which low-concentration holes are added, a semiconductor material to which low-concentration holes are added, and an oxide semiconductor or insulator material to which low-concentration holes are added.

Abstract translation: 提供使用突变金属 - 绝缘体转变的存储器件及其操作方法，以通过使用覆盖突变金属 - 绝缘体转移材料层的导电路径来限定导通状态。 存储器件包括衬底（102），设置在衬底上的金属 - 绝缘体转变材料层，用于通过电子之间的能量变化进行突然的金属绝缘体转变，以及至少两个接触金属 - 绝缘体转变材料层的电极并通过热量熔化 以在金属 - 绝缘体转变材料层上形成导电路径。 金属 - 绝缘体过渡材料层含有从添加有低浓度空穴的无机化合物半导体或绝缘体材料中选择的至少一种，添加低浓度孔的有机半导体或绝缘体材料，半导体 添加低浓度孔的材料和添加有低浓度孔的氧化物半导体或绝缘体材料。

公开(公告)号：KR100609690B1

公开(公告)日：2006-08-08

申请号：KR1020040108982

申请日：2004-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 곽민환 ,  류한철 ,  문승언 ,  김영태 ,  이수재 ,  강광용

IPC: H01Q3/30

Abstract: 높은 특성 임피던스를 가지는 CPW(Coplanar Waveguide)에 강유전체 박막을 이용한 가변 축전기(tunable capacitor)가 주기적으로 연결된 구조를 가진 분포 정수형 위상 변위기에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 분포 정수형 위상 변위기는 기판과, 상기 기판과의 사이에 공기층이 개재되도록 상기 기판으로부터 소정 거리 이격되어 있는 신호선을 포함한다. 복수의 가변 축전기가 상기 신호선의 양측에서 상기 신호선의 길이 방향을 따라 주기적으로 형성되어 있다. 상기 가변 축전기에 DC 전압을 인가하기 위하여 상기 기판상에는 전극이 형성되어 있다.
강유전체 박막, 분포 정수형 위상 변위기, CPW, IDC

公开(公告)号：KR1020060064479A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050053053

申请日：2005-06-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서동우 ,  박용우 ,  백문철 ,  류호준 ,  정희숙 ,  강광용

IPC: G11B7/124

Abstract: 본 발명의 광 헤드는 빔을 내보내는 송광 소자와, 기판 상에 형성되어 있고, 상기 송광 소자에서 발진된 빔이 전파되는 평면 도파로를 포함한다. 본 발명은 상기 평면 도파로의 일부 표면 상에 박막 형태로 집적되어 있고, 상기 평면 도파로를 통하여 전달된 빔을 받아 상기 평면 도파로 상부에 위치하는 디스크를 향하여 수직으로 보내거나, 상기 디스크에서 반사되는 빔을 다시 평면 도파로를 통하여 보내는 빔 입출사 커플러와, 상기 빔 입출사 커플러를 통하여 상기 평면 도파로로 전파하는 빔을 받는 수광소자를 포함한다. 본 발명의 상기 빔 입출사 커플러는 평면 도파로 상에 박막 형태로 집적되어 상기 광헤드의 두께를 대폭적으로 줄일 수 있다.

公开(公告)号：KR100467330B1

公开(公告)日：2005-01-24

申请号：KR1020030035556

申请日：2003-06-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  윤두협 ,  채병규

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L49/003

Abstract: Provided is a field effect transistor. The field effect transistor includes an insulating vanadium dioxide (VO 2 ) thin film used as a channel material, a source electrode and a drain electrode disposed on the insulating VO 2 thin film to be spaced apart from each other by a channel length, a dielectric layer disposed on the source electrode, the drain electrode, and the insulating VO 2 thin film, and a gate electrode for applying a predetermined voltage to the dielectric layer.

Abstract translation: 提供了一种场效应晶体管。 场效应晶体管包括用作沟道材料的绝缘二氧化钒（VO 2 SUB）薄膜，设置在绝缘VO 2 SUB 2薄膜上的源电极和漏电极， 薄膜通过沟道长度彼此间隔开，设置在源电极，漏电极和绝缘VO SUB / 2薄膜上的电介质层以及用于施加预定电压的栅电极 电压到电介质层。

公开(公告)号：KR1020040099797A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020030031903

申请日：2003-05-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  윤두협 ,  채병규

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L21/31691 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: PURPOSE: An FET(Field Effect Transistor) and a manufacturing method thereof are provided to obtain large current amplification at a low gate voltage and a low source-drain voltage by using an insulator-semiconductor phase transition material layer as channel substance. CONSTITUTION: An insulator-semiconductor phase transition material layer(120) is formed on a substrate(110). A first state of few hole charges and a second state of a lot of hole charges are selectively obtained for the material layer according to the value of a gate voltage. A gate insulating layer(150) is formed on the material layer. A gate electrode(160) is formed on the gate insulating layer. When the gate electrode applies a predetermined negative voltage to the material layer, a lot of hole charges flow into a surface of the material layer. A source(130) and a drain(140) are formed at both sides of the material layer to flow carriers through the material layer in the second state. At this time, the material layer is used as a conductive channel. The material layer is made of VO2.

Abstract translation: 目的：提供一种FET（场效应晶体管）及其制造方法，通过使用绝缘体 - 半导体相变材料层作为沟道物质，在低栅极电压和低源极 - 漏极电压下获得大电流放大。 构成：在衬底（110）上形成绝缘体 - 半导体相变材料层（120）。 根据栅极电压的值，为材料层选择性地获得少孔电荷的第一状态和大量空穴电荷的第二状态。 在该材料层上形成栅极绝缘层（150）。 在栅极绝缘层上形成栅电极（160）。 当栅电极向材料层施加预定的负电压时，大量的孔电荷流入材料层的表面。 在物料层的两侧形成有源极（130）和漏极（140），以在第二状态下使载流子流过材料层。 此时，材料层用作导电通道。 材料层由VO2制成。