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    복합표면 분석장치
    11.
    发明授权
    복합표면 분석장치 失效
    复合表面分析装置

    公开(公告)号：KR1019960009752B1

    公开(公告)日：1996-07-24

    申请号：KR1019920011454

    申请日：1992-06-29

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 박형호 ,  곽병화 ,  이중환 ,  권오준

    IPC: G01B15/00

    Abstract: The multi-function surface analysis device performs the uniform surface etching regardless of the surface condition of the specimen in analyzing the depth profile of the specimen by using the specimen position adjuster(20) and the specimen holder(30). The device includes a tapered hole(22) for adjusting the specimen(33) position to keep normal to the ion gun, a rotary disk(23) of a doughnut shape having a rectangular protrusion(23a), a specimen position adjuster(20) having the protrusion(21) of a hemispheric shape, a shaft(31) inserted into the hole(22), ane under plate(32) having the groove(32a) receiving the rectangular protrusion(23a) to be flush with the upper plate(23) when the protrusion(21) and the concave surface(32b) are fitted to each other, and the upper plate(23).

    Abstract translation: 多功能表面分析装置通过使用试样位置调整器（20）和试样保持架（30），分析试样的深度轮廓而与样品的表面状态无关地进行均匀的表面蚀刻。 该装置包括用于调节样品（33）位置以保持与离子枪正常的锥形孔（22），具有矩形突起（23a）的环形旋转盘（23），样品位置调节器（20） 具有半球形的突起（21），插入孔（22）中的轴（31），底板（32）的底部（32），其具有容纳矩形突起（23a）的槽（32a）以与上板齐平 （21）和所述凹面（32b）彼此嵌合时，所述上板（23）与所述上板（23）接合。

    진공급속 열처리장치
    13.
    发明授权
    진공급속 열처리장치 失效
    真空热处理设备

    公开(公告)号：KR1019940008379B1

    公开(公告)日：1994-09-12

    申请号：KR1019910024774

    申请日：1991-12-28

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 김상기 ,  곽병화 ,  권오준

    IPC: H01L21/324

    Abstract: The apparatus is useful to form ultra very thin films by removing the contaminated sources in the semiconductor process. The apparatus comprises (A) a long chamber (1); (B) a short halogen lamp (2) connected to the outlet (6); (C) a coolant line (4) surrounding the outer lamp; (D) baffles (12) formed alternately inside the chamber; (E) an oil filter (13) to remove impurities; (F) a vacuum pump (15) connected the oil filter through clamps (14).

    Abstract translation: 该装置可用于通过在半导体工艺中去除污染的源来形成超极薄膜。 该装置包括（A）长室（1）; （B）连接到出口（6）的短卤素灯（2）; （C）围绕外灯的冷却剂管线（4）; （D）在室内交替形成的挡板（12） （E）去除杂质的滤油器（13） （F）通过夹具（14）连接油过滤器的真空泵（15）。

    표면 분석장비의 가스주입 장치
    14.
    发明公开
    표면 분석장비의 가스주입 장치 失效
    用于表面分析设备的气体注射设备

    公开(公告)号：KR1019940015506A

    公开(公告)日：1994-07-21

    申请号：KR1019920023350

    申请日：1992-12-04

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 박형호 ,  곽병화 ,  권오준

    IPC: G01N23/00

    Abstract: 본 발명은 시료의 표면분석 장비에 관한 것으로 시료의 깊이분포 분석시 분석챔버내로 가스주입을 위한 샘 밸브와 상기 이온총 사이에 장착된 전기밸브와, 상기 전기밸브를 제어하는 제어수단을 포함한 것을 특징으로 하는 표면분석 장비의 가스주입 장치이다.

    금속지지대를 갖는 그물망 그리드구조의 시편장착장치
    17.
    发明公开
    금속지지대를 갖는 그물망 그리드구조의 시편장착장치 失效

    公开(公告)号：KR1019950019693A

    公开(公告)日：1995-07-24

    申请号：KR1019930029091

    申请日：1993-12-22

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 이대우 ,  곽병화 ,  이중환 ,  서경수 ,  조경익

    IPC: G01N1/00

    Abstract: 본 발명은 고정밀 분석기(2차 이온 질량분석기 등)에서 사용될 수 있는 시편장치로서 종래의 시편장착장치의 문제점인 그리드가 시편을 지지하고 있는 금속용수철의 힘으로 많은 힘을 받게 됨으로, 오랜 기간 사용시 그리드 표면이 수평을 유지하기 힘들고 휘어질 수 있으며 이로 인하여 여러 시편의 측정시 시편위치에 따라 분석위치가 달라지게 될 뿐만 아니라 강한 전기장을 사용하는 분석기에는 불균일한 전기장의 영향으로 인해 분석결과에 미치는 오차는 매우 크게 된다. 이와 은 문제점을 해결하기 위하여 시편이 놓이게 되는 그리드를 그물망 구조로 하고 상기 그물망구조의 그리드 하부에 일정간격으로 다수의 금속지지대를 부착설치하여 그리드의 휘어짐을 방지하도록 한 것임.

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