Abstract:
PURPOSE: A method for negotiating a learning profile between a learner and an educational service provider is provided to negotiate an educational service profile between a learner and a CP(Contents Provider) by transferring the learning profile, describing the learner's individual characteristics or requirements, to the CP. CONSTITUTION: A learner inputs information for desired education or study in a learner_learning profile(401). The learner_learning profile information inputted from the learner is transferred to an educational service server through a network(402). The profile manager of the educational service server analyzes the learner_learning profile transferred from the learner, applies an algorithm in order to suggest the most suitable study method to the learner, and records the most suitable study method in a CP_learning profile on the basis of the analyzed result(403). Then the profile manager transfers the CP_learning profile to the learner(404). If the learner has another requirements after reviewing the transferred CP_learning profile(405), he makes out the learner_learning profile again and transfers it to the educational service server(401).
Abstract:
PURPOSE: The method for deducing the statistics of the learning evaluation result based on demand of the teacher is provided to enable the teacher to exactly evaluate the learning level by compiling statistics on the learning result of many learners while reflecting different demand of many teachers about various education contents. CONSTITUTION: The teacher selects target_learners and target_courses(S601). The teacher inputs the statistics demand term according to the selected target_courses list, in other words, the teacher specifies how to process courses_weight, due_dates, overtime_ratios, and nonlearing_ratios(S602). The teacher takes the own evaluation information about the learning data or outcome which keep the due_dates, and stores those on a table(S603). The teacher calculates overtime_ratios(S604). The teacher reflects a score of a non-learner(S605) and the weight of every course(S606). The teacher calculates the average of every learner(S607).
Abstract:
PURPOSE: The method for negotiating QoS(Quality of Service) is provided to proceed the stable transceiving of the data without loading the over-traffic to the receiver. CONSTITUTION: Tests if all senders' QoS negotiation ends(S31). If yes, the values of the high quality QoS is summed up as many as tokens used in the negotiation(S32). If the total values of the QoS excesses the value that the resource of the local system can be capable(S33), the number of the token, used in the previous QoS negotiation, is reduced up to the number of the token that the resource of the local system exits(S34).
Abstract translation:目的:提供用于协商QoS(Quality of Service,服务质量)的方法来进行数据的稳定收发,而不会将过流量加载到接收机。 规定:测试所有发件人的QoS协商结束(S31)。 如果是,高质量QoS的值与协商中使用的令牌相加很多(S32)。 如果QoS的总值超过了本地系统的资源能够达到的值(S33),则在先前的QoS协商中使用的令牌的数目减少到令牌的数量, 本地系统退出(S34)。
Abstract:
본 발명은 AC 결합을 이용하는 고속 광 전송 시스템에서 mBnB 부호와 비트 삽입 부호의 장점을 적절히 결합함으로써 비트 증가율이 작고 구현이 간단하면서도 DC 베이스 라인 요동을 최소화 시키도록 하는 비트 삽입/조작 선로 부호의 부/복호화 장치에 관한 것으로서, m비트의 입력 정보에 대한 디스패리티가 m비트 블록이 가질 수 있는 최소값인 경우 m+1 비트 블록의 디스패리티를 최소로 하기 위한 비트를 삽입하고, 그렇지 않은 경우 '0'을 삽입하여 사전 부호화 처리한 후, 그 사전 부호 처리된 블록의 디스패리티가 최소값을 가지도록 그 사전 부호 처리된 블록의 비트를 일부 조작하며, 누적된 디스패리티값과 그 사전 부호화 처리된 블록의 디스패리티를 비교하여 반전 또는 비반전하여 출력함으로써 부호화를 수행하고, 그 부호화된 정보에서 삽입비트 를 제거하고, 상기 부호화시 블록 반전을 수행한 경우 역반전을 하며, 상기 비트 조작의 역 조작을 함으로써, 복호화를 수행하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
ATM/B-ISDN망에서는 ATM셀 헤더의 CLP bit를 이용해 ATM셀 전송에 두 개의 우선순위를 둘 수있다(CLP=0와 CLP=1). 이에 따라 현재 ITU표준안에서 유일하게 정의된 트래픽 파라미터인 Peak Cell Rate(PCR)과 Cell Loss Ratio(CLR)에 대해 두 개의 값을 정의할 수 있는데 하나는 CLP=0셀 스트림에 대한 PCR과CLR이며 다른 하나는 전체셀인 CLP=0+1에 대한 PCR과 CLR이다. 두 개의 우선순위 트래픽에 대한 UPC/NPC 알고리즘은 CLP=0셀 스트림에 대한 UPC/NPC 기능을 먼저 수행하고 이후 CLP=0+1에 대한 UPC/NPC 기능을 수행하는데 CLP=0에 대한 UPC/NPC는 기존의 CLP=0셀 스트림에 대한 PCRA알고리즘(P0)에 의해 수행하고 CLP=0+1셀 스트림에 대한 UPC/NPC는 기존의 CLP=0+1셀 스트림에 대한 PCRA알고리즘(P0+1)에 도면 3과 같이 shaper 와 pushout버퍼 제어기를 첨가해 구현한다. 이로써 CKP=0셀 스트림 및 CLP=0+1셀 스트림에 대한 CLR을 보장하고 트래픽에 대한 shaping기능을 얻는다.
Abstract:
본 발명은 ATM 망에서 QoS 보장을 위한 UPC/NPC 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 두개의 우선순위 트래픽에 대한 UPC/NPC 방법은 CLP=0 셀 스트림에 대한 UPC/NPC 기능을 먼저 수행하고 이후 CLP=0+1에 대한 UPC/NPC 기능을 수행하는데 CLP=0에 대한 UPC/NPC는 기존의 CLP=0 셀 스트림에 대한 PCRA 알고리즘(P 0 )에 의해 수행하고 CLP=0+1 셀 스트림에 대한 UPC/NPC는 기존의 CLP=0+1 셀 스트림에 대한 PCRA 알고리즘(P 0+1 )에 하나의 레지스터를 사용하는 보상회로를 첨가해 구현되는 것을 특징으로 하여, ATM 망에서 두개의 PCR의 정의된 트래픽 협상에서 CLP=0 셀 스트림과 CLP=0+1 셀 스트림에 대한 MPP 문제를 해결하고 CLR을 보장할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
ATM/B-ISDN 망에서는 ATM셀 헤더의 CLP bit를 이용해 ATM셀 전송에 두개의 우선순위를 둘 수 있다(CLP=0와 CLP=0+1). 이에 따라 현재 ITU 표준안에서 유일하게 정의된 트래픽 파라미터인 Peak Cell Rate(PCR)과 Cell Loss Ratio(CLR)에 대해 두개의 값을 정의할 수 있는데 하나는 CLP=0 셀 스트림에 대한 PCR과 CLR이며 다른 하나는 전체셀인 CLP=0+1에 대한 PCR과 CLR이다. 두개의 우선순위 트래픽에 대한 UPC/NPC 알고리즘은 CLP=0 셀 스트림에 대한 UPC/NPC 기능을 먼저 수행하고 이후 CLP=0+1에 대한 UPC/NPC 기능을 수행하는데 CLP=0에 대한 UPC/NPC는 기존의 CLP=0 셀 스트림에 대한 PCRA 알고리즘(P 0 )에 의해 수행하고 CLP=0+1 셀 스트림에 대한 UPC/NPC는 기존의 CLP=0+1 셀 스트림에 대한 PCRA 알고리즘(P 0+1 )에 도면 3과 같이 shaper와 pushout 버퍼 제어기를 첨가해 구현한다. 이로서 CLP=0 셀 스트림 및 CLP=0+1 셀 스트림에 대한 CLR을 보장하고 트래픽에 대한 shaping 기능을 얻는다.
Abstract:
An apparatus and a method for sorting transferred articles are provided to reduce the manufacturing cost by reducing the number of assembling process when the sorting apparatus is manufactured. An apparatus for sorting transferred articles includes an upper endless conveyor belt(20), a plurality of lower endless conveyor belts(30), a rotational member, a diverter(60), and a drive unit. An article is transferred between the upper conveyor belt and the lower conveyor belts. The rotational member is provided between the lower conveyor belts and one end of the rotational member is restored to a shaft. The diverter is provided on the upper conveyor belt opposite to the rotational member. One end of the diverter can be rotated to a shaft. The drive unit rotates the diverter.
Abstract:
A semiconductor device and its manufacturing method are provided to reduce a sheet resistance and to improve the performance and qualities of the semiconductor device itself by forming uniformly a silicide layer using a heat treatment on a predetermined stack structure composed of a first metal film, a second metal film, a third metal film and a nitride layer. A semiconductor layer containing silicon is formed on a substrate(101). A gate insulating layer(111) is formed on the semiconductor layer. A gate electrode(112) is formed on the gate insulating layer. Source/drain regions(115) are formed in the semiconductor layer. A first metal film is formed on the resultant structure. A second metal film is formed on the first metal film. A third metal film is formed on the second metal film. A nitride layer is formed on the third metal film. A silicide layer(131) is formed on the gate electrode and the source/drain regions by performing a heat treatment on the resultant structure.