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公开(公告)号：KR100144823B1
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：KR1019940030899
申请日：1994-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: C01B3/0094 , C23C16/452 , Y02E60/327
Abstract: 본 발명은 시료의 표면 개스처리장치에 관한 것으로, 특히 초고진공내에서 수소분자를 뜨거워진 노즐에 충돌시켜 수소원자로 분리한 다음, 반도체나 금속의 표면에 높은 효율로 흡착시키는 효율을 극대화한 노즐을 이용한 수소원자의 표면흡착장치에 관한 것으로 전자빔 가속 방식을 직접적인 전기저항방식으로 바꾸어 구조를 단순화하였고, 수소분자를 통과시켜 수소원자상태로 분리시켜 주는 노즐의 형태를 단순원통형에서 굴곡형상으로 개량하여 충돌율을 극대화하였고, 노즐앞에 탄탈륨 카바를 부착하여 줌으로써 시료표면이 뜨거운 노즐의 방사열 때문에 가열되는 것을 방지하도록 한 것으로 수소분자가 흘러 들어와서 뜨거워진 노즐을 통해 수소원자로 분리되어 반도체나 금속으로 방출되도록 하는 수소원자방출부와 핵심부분인 노즐을 가열� ��기 위한 전기적인 가열장치부와 상기 노즐로부터의 방사열을 차단하기 위해 설치되는 탄탈륨 카바로 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.
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公开(公告)号：KR100133469B1
公开(公告)日：1998-04-23
申请号：KR1019940010638
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02546 , H01L21/02639 , H01L21/30617
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019960004904B1
公开(公告)日：1996-04-17
申请号：KR1019920024318
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B29/42
Abstract: The method of growing GaAs on a porous silicon substrate includes the steps of forming a porous layer(2) on a silicon substrate(1) containing impurities, and trimethyl gallium and AsH3 gas are alternately sprayed to the porous layer(2) on the silicon substrate(1) using ALE and UHVCVD apparatuses, thereby forming a GaAs thin film(3) which is an epitaxial layer.
Abstract translation: 在多孔硅衬底上生长GaAs的方法包括在含有杂质的硅衬底（1）上形成多孔层（2）的步骤，并将三甲基镓和AsH 3气体交替地喷射到硅上的多孔层（2）上 基板（1）使用ALE和UHVCVD装置，从而形成作为外延层的GaAs薄膜（3）。
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公开(公告)号：KR1019960004590B1
公开(公告)日：1996-04-09
申请号：KR1019920024319
申请日：1992-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/18
Abstract: The surface stabilizing method of a porous silicon substrate is characterized by forming a porous layer on the other side of the silicon substrate doped with an impurity and formed with a positive electrode on the one side of the substrate, (b) removing the positive electrode, (c) spraying a trimethyl gallium and an arsine gas to the other side of the substrate at 400˜500deg. C, and (d) depositing a surface stabilizing layer of gallium arsenic(GaAs) compound on the other side of the substrate by the automatic layer epitaxy(ALE) process.
Abstract translation: 多孔硅衬底的表面稳定化方法的特征在于在掺杂有杂质的硅衬底的另一侧上形成多孔层，并在衬底一侧形成正极，（b）去除正极， （c）以400〜500度将三甲基镓和胂气体喷射到基材的另一侧。 C，和（d）通过自动层外延（ALE）工艺在衬底的另一侧上沉积砷化镓（GaAs）化合物的表面稳定层。
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公开(公告)号：KR1019950007484B1
公开(公告)日：1995-07-11
申请号：KR1019910007292
申请日：1991-05-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/26
Abstract: The method comprises the steps of; vapor-depositing fluoride thin film (2) on the semiconductor substrate (1); inspecting an electron beam on the fluoride thin film (2) using accelerating energy of 1-500 KeV and dosing amount of 0.1-10 coulomb/cm2; resolving fluoride component to form a metal film (3); vapor- depositing a protecting film (4) on the metal thin film (3); and diffusing impurity into the semiconductor substrate (1) by heat treatment.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤： 在半导体衬底（1）上蒸镀氟化物薄膜（2）; 使用1-500KeV的加速能量和0.1-10库伦/ cm2的给料量检查氟化物薄膜（2）上的电子束; 分解氟化物成分以形成金属膜（3）; 在金属薄膜（3）上蒸镀保护膜（4）; 并通过热处理将杂质扩散到半导体衬底（1）中。
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