公开(公告)号：KR100194618B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950052660

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김기홍 ,  박병선 ,  오응기 ,  박철순

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 모스 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체 기판 상에 게이트 산화막과 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막을 폭이 서로 다른 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 소정 부분이 중첩되도록 이동시키면서 2번 노광시키고 현상하여 상기 마스크들이 2번 중첩된 부분의 게이트 산화막이 노출되게 모두 제거되고 마스크들이 1번만 대응된 부분이 소정 두께가 남게되며 상기 소정 두께가 남는 부분의 일측이 타측 보다 폭이 큰 비대칭 T형의 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구에 의해 노출된 부분의 게이트 산화막을 제거하여 반도체 기판을 노출시키고 상기 개구 내에 반도체 기판과 접촉되며 머리 부분의 일측이 타측보다 폭이 큰 비대칭 T형의 게이트 전극을 형성하고 상기 감광막을 제거하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마 스크로 사용하여 상기 반도체 기판에 제2도전형의 불순물을 머리 부분이 큰 일측에서 소정 각도로 제1이온 주입하고 열처리하여 상기 게이트 전극의 다리 부분과 타측에 형성된 것은 이격되며 일측에 형성되는 것은 소정 부분 중첩되는 저농도영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로 사용하여 상기 반도체 기판에 제2도전형의 불순물을 고농도로 수직으로 제2이온 주입하고 열처리하여 게이트 전극의 타측에서 상기 저농도영역을 포함하고 일측에서 상기 게이트 전극과 사이에 저농도영역이 잔류되도록 고농도의 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정을 구비한다.
따라서, 게이트 머리 부분의 단면적이 넓어 낮은 게이트 저항 값을 가지므로 소자의 고속 동작이 가능하며, 소오스영역에 저농도영역이 없으므로 소오스영역에서 전압의 강하가 감소되어 소자의 성능이 향상되고 채널의 길이가 줄어드는 효과가 없어지므로 소자의 신뢰성이 향상되고, 또한, 별도의 측벽을 형성하지 않고 게이트 전극을 이용하여 저농도영역을 형성하므로 공정이 간단해진다.

公开(公告)号：KR100170498B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950042596

申请日：1995-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양전욱 ,  오응기 ,  박병선 ,  박철순 ,  편광의

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28587 ,  H01L21/28581 ,  Y10S148/10

Abstract: 본 발명은 T형 게이트 전극의 형성방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상의 소정 부분에 미세 게이트 금속을 형성하고, 반도체 기판 및 미세 게이트 금속 상에 절연막과 평탄화막을 형성한 후 절연막이 노출되도록 평탄화막을 에치백하고, 절연막의 노출된 부분을 등방성으로 식각하여 평탄화막의 역경사를 이루는 측면을 노출시키고 저저항금속을 방향성을 갖도록 증착한다. 따라서, 광학적 리소그라피 공정으로 쉽게 T-형상의 게이트를 형성할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있으며, 미세 게이트 패턴 상에 중첩되는 저저항금속을 자기 정렬되게 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100162757B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019940036028

申请日：1994-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양정욱 ,  오응기 ,  윤형섭 ,  박철순

IPC: H01L29/40

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 특히 안정화된 공중교각(airbridge) 금속을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 공중교각(airbridge) 금속의 형성방법에 의하면, 기저금속이 화학적인 방법에 의해 증착된 분리절연막과 접촉되기 때문에 종래의 포토레지스트와 접촉된 기저금속 사이에서 나타날 수 있는 계면에 따른 측면 방향의 Au 성장을 억제할 수 있으며, 금속선 간의 간락 발생을 방지할 수 있기 때문에 금속선간의 간격을 줄일 수 있다.
또한, 공정을 안정화 시킴과 아울러 단순화 시킬 수 있기 때문에 수율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100161201B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019950036681

申请日：1995-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오응기 ,  양전욱 ,  박철순

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66871 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66878 ,  H01L29/8128

Abstract: 본 발명은 T형 게이트와 자기정렬 LDD 구조를 갖는 MESFET의 제조방법에 관한 것으로서, 양측에 소오스 및 드레인 영역이 형성된 채널영역의 소정 부분에 캡층을 이용하여 역메사부분을 형성하고, 상기 역메사부분을 마스크로 이용하여 소오스 및 드레인 영역과 채널영역 사이에 작은 에너지와 저농도로 이온주입하여 소오스 쪽 보다 드레인 쪽이 넓은 저농도 소오스 및 드레인 영역을 형성하며, 상기 역메사부분의 표면이나 역메사부분을 제거하여 형성된 홈에 T형 게이트 전극을 저농도 소오스 및 드레인 영역과 접촉되지 않게 형성한다. 따라서, 저농도 드레인 영역이 넓으므로 드레인 항복 전압이 향상되며, T형 게이트 전극에 의해 게이트저항이 감소되므로 소자의 고주파특성 및 잡음특성을 향상시킬 수 있고, 게이트 전극과 저농도 소오스 및 드레인 영역이 접촉되는 것을 방지하므로 누설전류가 발생되는 것을 방지하며, 또한, 역메사부분 형성시 식각에 의한 채널층의 두께를 조절할 수 있으므로 게이트의 길이와 채널층의 두께의 비를 크게하여 숏채널 효과를 줄인다.

公开(公告)号：KR1019980044522A

公开(公告)日：1998-09-05

申请号：KR1019960062615

申请日：1996-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양전욱 ,  오응기 ,  박철순 ,  편광의

IPC: H01L29/772

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 장치 제조방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
얕은 채널영역의 형성 및 소오스 저항의 감소로 인한 소자의 트랜스콘덕턴스 특성 및 잡음 특성을 향상시키기 위한 반도체 장치의 전계효과트랜지스터 제조방법을 제공하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
갈륨비소 기판내에 실리콘 이온을 각각의 이온주입 마스크를 사용하여 이온주입하여 채널 영역 및 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 갈륨비소 기판 전체 표면에 이후의 열처리 공정시 상기 갈륨비소 기판이 손상되는 것을 방지하기 위한 보호막으로 적어도 실리콘을 함유하는 막을 형성하는 단계; 상기 갈륨비소 기판에 대해 열처리하여 기판 표면에 고농도 활성층을 형성하는 단계; 상기 보호막을 제거하는 단계; 채널 영역 및 소오스/드레인 영역이외의 상기 고농도 활성층을 제거하는 단계; 소오스/드레인 영역이 노출되는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 소오스/드레인 영역에 저항성 금속막을 형성하고, 열처리하는 단계; 상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 게이트 전극 형성될 부위의 고농도 활성층이 노출되는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 고농도 활성층을 식각하여 제거하는 단계; 및 상기 제2 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 갈륨비소 기판상에 게이트 전극용 금속막을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 장치의 전계효과트랜지스터 제조방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자 제조 공정 중 반도체 장치의 전계효과트랜지스터 제조 공정에 이용됨.

公开(公告)号：KR100371026B1

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：KR1019990029163

申请日：1999-07-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  강성원 ,  오응기 ,  이재진

IPC: H03G3/30

Abstract: PURPOSE: A gain controlled amplifier is provided to make a control width be wider and to prevent a degradation of a power characteristics using a two-stage active feedback circuit that uses a drain common field effect transistor. CONSTITUTION: An amplifier part(220) has the first input terminal(201) that inputs an exterior signal, the first to third capacitor(202,204,205) and the first and second field effect transistor(203,206). The amplifier part(220) amplifies and outputs the input signal with two-stage. A feedback part(230) has an output terminal to which the amplified signal is output and the second input terminal(209) which a bias is inputted to. The feedback part(230) has the forth and fifth capacitor(208,213) and the third field effect transistor(210) having a source and drain connected to a load(211,212). The feedback part(230) feedbacks a part of the signal output to the output terminal(207) to the amplifier part(220) when the high bias is inputted through the second input terminal(209).

Abstract translation: 目的：提供一个增益控制放大器，使控制宽度更宽，并防止使用使用漏极公共场效应晶体管的两级有源反馈电路降低功率特性。 构成：放大器部件（220）具有输入外部信号的第一输入端子（201），第一至第三电容器（202,204,205）以及第一和第二场效应晶体管（203,206）。 放大器部分（220）放大并输出具有两级的输入信号。 反馈部分（230）具有输出放大信号的输出端子和输入偏压的第二输入端子（209）。 反馈部分（230）具有第四和第五电容器（208,213）和第三场效应晶体管（210），其源极和漏极连接到负载（211,212）。 当通过第二输入端子（209）输入高偏压时，反馈部分（230）将输出到输出端子（207）的信号的一部分反馈到放大器部分（220）。

公开(公告)号：KR100340046B1

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：KR1019990047886

申请日：1999-11-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오응기 ,  김민건 ,  강성원 ,  이재진

IPC: H04B7/208

CPC classification number: H04B1/18

Abstract: 본발명은셀룰라, PCS, WLL 및 IMT2000 등의무선/이동통신시스템에범용으로사용이가능하며, 적은소비전력, 낮은잡음특성, 높은이득그리고작은크기를가지는 RF 부의다중대역및 다중모드용주파수변환수신기를제공하는데그 목적이있으며, 본발명의일 측면에따르면, 다수의무선이동통신시스템을지원하기위한다중대역및 다중모드용주파수변환수신기에있어서, 고주파입력신호를증폭하기위한광대역저잡음증폭수단; 국부발진주파수신호및 상기광대역저잡음증폭수단으로부터출력되는증폭된고주파신호를혼합하여상대적으로높은선형성을가지는중간주파수신호를검출하기위한주파수혼합수단; 상기주파수혼합수단으로부터출력되는상기중간주파수신호를증폭하여최종적인중간주파수신호를출력하는중간주파수증폭수단; 및입력단및 접지전원단사이에직렬연결되는인덕터및 커패시터를포함하며, 상기인덕터및 상기커패시터의공통연결단에상기광대역저잡음증폭수단의입력단이연결되며, 상기무선이동통신시스템의주파수대역내 고주파신호를인가받아상기광대역저잡음증폭수단의상기고주파입력신호로임피던스정합시키되, 상기주파수변환수신기의동작주파수대역을결정하는입력정합회로부를구비하며, 상기광대역저잡음증폭수단은, 상기입력정합회로부로부터의상기고주파입력신호를증폭하여서로상보적인제1 및제2 고주파신호를출력하는소오스접지형입력단회로부; 상기입력단회로부로부터출력되는제1 및제2 고주파신호를각각증폭하는게이트접지형증폭회로부; 및상기게이트접지형증폭회로부로부터출력되는증폭된상기제1 및제2 고주파신호에응답하여상기증폭된고주파신호를구동하는푸시-풀구조의능동정합형출력단회로부를구비하는것을특징으로하는다중대역및 다중모드용주파수변환수신기가제공된다.

公开(公告)号：KR100298207B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：KR1019980049841

申请日：1998-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  강성원 ,  오응기 ,  이재진

IPC: H03D3/00

Abstract: 본 발명은 단일신호를 상보적인 신호로 만들거나 상보적인 신호를 단일 신호로 묶는 역할을 하는 발룬회로를 사용하지 않아, 칩의 소비 전력을 줄이고 칩의 면적을 줄여 저 가격화를 이룰수 있는 단일밸런스능동혼합기 회로를 제공하고자 하는 것으로 이를 위한 본 발명의 단일밸런스능동혼합기 회로는, 고주파신호 입력단; 발진자신호 입력단; 상기 고주파신호 및 상기 발진자신호에 응답된 중간주파수신호를 출력하는 출력단; 상기 출력단으로부터 제1전원전압단으로 채널이 직렬 접속되고, 게이트단이 각기 상기 발진자신호 입력단 및 상기 고주파신호 입력단에 연결된 제1 및 제2 트랜지스터; 상기 출력단과 상기 발진자신호 입력단 사이에 채널이 접속되고 게이트단이 제2전원전압단에 연결된 제3트랜지스터; 및 상기 발진자신호 입력단과 상기 고주파신호 입력단 사이에 채널이 접속되고, 게이트단이 제3전원전압단에 연결된 제4트랜지스터를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100298204B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：KR1019980049842

申请日：1998-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김민건 ,  강성원 ,  오응기 ,  이재진

IPC: H03D3/00

Abstract: 본 발명은 입력되는 상보적인 RF+ 신호와 RF- 신호 간의 비대칭성을 보상하여, 선형성이 크게 향상된 이중밸런스능동혼합기를 제공하고자하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 이중밸런스능동혼합기, 외부로부터 입력되는 서로 상보적인 위상을 갖는 제1 및 제2 고주파신호를 증폭하여 전달하는 입력단트랜지스터부와, 서로 상보적인 위상을 갖는 제1 및 제2 발진자신호에 응답하여 상기 입력단트랜지스터부로부터 출력되는 증폭된 제1 및 제2 고주파신호를 단속하므로써 서로 상보적인 제1 및 제2 중간주파신호를 출력하는 출력단트랜지스터부를 포함하는 이중밸런스능동혼합기에 있어서, 상기 입력단트랜지스터부는, 상기 외부로부터 입력되는 제1고주파신호를 게이트로 입력받아 증폭하는 제1트랜지스터; 상기 외부로부터 입력되는 제2고주파신호를 게이트로 입력받아 증폭하는 제2트랜지스터; 상기 외부로부터 입력되는 제1고주파신호를 소오스로 입력받아 증폭하는 제3트랜지스터; 및 상기 외부로부터 입력되는 제2고주파신호를 소오스로 입력받아 증폭하는 제4트랜지스터를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020010044853A

公开(公告)日：2001-06-05

申请号：KR1019990047886

申请日：1999-11-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오응기 ,  김민건 ,  강성원 ,  이재진

IPC: H04B7/208

CPC classification number: H04B1/18

Abstract: PURPOSE: A very high frequency integrated frequency conversion receiving circuit is provided so that it is employed in a wireless mobile communication system such as PCS, WLL and IMT2000 for general uses. CONSTITUTION: A wide band low noise amplification unit(202) amplifies a high frequency input signal. A frequency mixing unit(204) detects an intermediate frequency signal having a relatively high linearity by mixing a local oscillation frequency signal and the amplified high frequency signal outputted from the wide band low noise amplification unit(202). An intermediate frequency amplification unit(205) amplifies the intermediate frequency signal outputted from the frequency mixing unit(204) for thereby outputting a final intermediate frequency signal. An input matching circuit(201) unit performs impedance matching of a high frequency signal in a frequency band of the wireless mobile communication system to the high frequency input signal of the wide band low noise amplification unit(202), and decides an operating frequency band of a frequency conversion receiver.

Abstract translation: 目的：提供一种非常高频率的集成频率转换接收电路，以便在诸如PCS，WLL和IMT2000之类的无线移动通信系统中被用于一般用途。 构成：宽带低噪声放大单元（202）放大高频输入信号。 频率混合单元（204）通过混合本地振荡频率信号和从宽带低噪声放大单元（202）输出的放大高频信号来检测具有较高线性度的中频信号。 中频放大单元（205）放大从混频单元（204）输出的中频信号，从而输出最终的中频信号。 输入匹配电路（201）单元对无线移动通信系统的频带内的高频信号与宽带低噪声放大单元（202）的高频输入信号进行阻抗匹配，并且决定工作频带 的变频接收机。