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公开(公告)号：KR1020090063059A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020080047400
申请日：2008-05-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01H36/00 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L45/1608 , B82Y10/00 , H01L45/141 , H01L45/1666
Abstract: A programmable switch device and a method for manufacturing the same are provided to reduce a size of a switch device by forming the switch device of a simple structure comprised of two electrodes and a nano wire. A substrate(100) has a silicon oxide film by thermally oxidizing the surface of a silicon substrate or the silicon semiconductor substrate. A first electrode layer(110) is formed on the substrate. The first electrode layer is comprised of two first patterns(111) with a square shape and a second pattern(112) with a line shape connected to the first pattern. The first electrode layer is divided into two parts of both sides of a groove formed on the surface of the substrate. A second electrode layer(120) serving as the terminal of the switch device is formed in the upper part of the first electrode layer. A chalcogenide nano wire(130) is formed between the cross sections of the second pattern of the first electrode layer.
Abstract translation: 提供了可编程开关装置及其制造方法，通过形成由两个电极和纳米线组成的简单结构的开关装置来减小开关装置的尺寸。 通过热氧化硅衬底或硅半导体衬底的表面，衬底（100）具有氧化硅膜。 在基板上形成第一电极层（110）。 第一电极层由具有正方形的两个第一图案（111）和与第一图案连接的线形的第二图案（112）组成。 第一电极层被分成在基板的表面上形成的凹槽的两侧的两部分。 用作开关装置的端子的第二电极层（120）形成在第一电极层的上部。 在第一电极层的第二图案的横截面之间形成硫族化物纳米线（130）。
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公开(公告)号：KR100895797B1
公开(公告)日：2009-05-08
申请号：KR1020070127796
申请日：2007-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 본 발명은 발열층을 포함하는 상변화 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 발열층의 형성 온도를 상온에서 500℃ 사이의 온도로 한정함으로써 반도체 공정에서 널리 사용되는 Al 등의 금속을 그 하부에 위치하는 하부전극 물질로 사용할 수 있도록 한다.
본 발명의 상변화 소자는, 하부 전극층; 상기 하부 전극층 상면에 형성되며 전도도를 높이는 도펀트를 함유하는 SiGe 재질의 발열층; 상기 발열층 상면에 형성된 상변화 특성을 가지는 상변화 영역; 및 상기 상변화층 상면에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상변화, 메모리, 비휘발성, 발열층, 실리콘-게르마늄, 스퍼터링-
公开(公告)号：KR1020080052083A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020060124118
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666 , G11C13/0004
Abstract: A phase shift memory device is provided to reduce the power consumption of the entire phase shift memory by reducing reset current. A transistor includes a gate electrode on a semiconductor substrate(100) and first and second impurity regions formed in the semiconductor substrate at both sides of the gate electrode. A bitline is electrically connected to the first impurity region. A phase shift resistance device(150) is electrically connected to the second impurity region. The phase shift resistance device includes a lower electrode(152) made of a doped SiGe layer, a phase shift layer(154) in contact with the lower electrode, and an upper electrode(156) connected to the phase shift layer. A conductive base layer can be formed between the semiconductor substrate and the lower electrode.
Abstract translation: 提供一种相移存储器件，通过减少复位电流来降低整个相移存储器的功耗。 晶体管包括在半导体衬底（100）上的栅电极和形成在栅电极两侧的半导体衬底中的第一和第二杂质区。 位线与第一杂质区电连接。 相移阻抗器件（150）电连接到第二杂质区域。 相移电阻装置包括由掺杂的SiGe层制成的下电极（152），与下电极接触的相移层（154）和连接到相移层的上电极（156）。 可以在半导体衬底和下电极之间形成导电基层。
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公开(公告)号：KR1020080051777A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020060123401
申请日：2006-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: A phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a contact area between a heat radiating electrode and a phase change layer pattern by contacting a side of the heat radiating electrode with the phase change layer pattern. A lower electrode(110) is formed on a semiconductor substrate(100), and a first insulating pattern(122) is formed on the lower electrode. A heat radiating electrode(132) is extended from the first insulating pattern to the lower electrode, on which one side is laid on the first insulating pattern. A second insulating pattern(124) is formed on the heat radiating electrode in the same pattern as the heat radiating pattern. A phase change layer pattern(134) is extended from the second insulating pattern to the first insulating pattern, of which a portion contacts one side of the heat radiating electrode on the first insulating pattern. A contact(142) is electrically connected to the phase change layer pattern, and an upper electrode(144) is electrically connected to the phase change layer pattern.
Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其通过使热辐射电极的一侧与相变层图案接触来减小散热电极与相变层图案之间的接触面积。 在半导体衬底（100）上形成下电极（110），在下电极上形成第一绝缘图案（122）。 散热电极（132）从第一绝缘图案延伸到下电极，一侧被放置在第一绝缘图案上。 第二绝缘图案（124）以与散热图案相同的图案形成在散热电极上。 相变层图案（134）从第二绝缘图案延伸到第一绝缘图案，其中一部分接触第一绝缘图案上的散热电极的一侧。 触点（142）电连接到相变层图案，并且上电极（144）电连接到相变层图案。
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公开(公告)号：KR100833491B1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：KR1020060038331
申请日：2006-04-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/0635 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , G11C2213/79 , H01L21/8249 , H01L27/2445 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , Y10S438/947
Abstract: 고기능 및 다기능의 SOC의 구현에 필요한 임베디드 메모리 및 그 제조방법에 대해 개시한다. 그 메모리 및 방법은 기판에 각각 인접하여 배치되고 전기적으로 연결된 바이폴라 트랜지스터, 상변화 메모리 소자 및 MOS 트랜지스터를 포함한다. 이때, 바이폴라 트랜지스터는 콜렉터 상에 배치된 SiGe으로 이루어진 베이스를 포함한다. 상변화 메모리 소자는 전류에 의하여 비정질 상태와 결정 상태로 가역적으로 변환되는 상변화 재료층 및 상변화 재료층의 하부에 콘택되며 SiGe으로 이루어진 발열층을 포함할 수 있다.
SOC, 임베디드 메모리, SiGe, 베이스, 상변화 메모리, BiCMOS-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070030475A
公开(公告)日：2007-03-16
申请号：KR1020050085167
申请日：2005-09-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/052 , H01L51/0055 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 저온 경화형 고분자 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 게이트 절연막은 아크릴레이트계 화합물, 안하이드라이드계 화합물 및 에폭시계 화합물로부터 저온에서 형성될 수 있으며, 저온 형성이 가능하기 때문에 선공정막에 미치는 영향이 최소화될 수 있고, 이렇게 형성된 게이트 절연막은 내화학성, 고내열성 및 우수한 표면 특성을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 게이트 절연막을 유기 활성막, 게이트 전극 및 소스-드레인 전극을 구비하는 유기 박막 트랜지스터에서 게이트 전극 상부에 형성시킴으로써 우수한 전기적 특성을 갖게 한다.
게이트 절연막, 저온 경화, 유기 박막 트랜지스터Abstract translation: 低温固化型聚合物栅极绝缘膜及使用其的有机薄膜晶体管本发明涉 根据本发明的栅极绝缘膜是基于丙烯酸酯的化合物，酸酐系化合物，并且可以在从环氧化合物的低温下形成，可以是形成，这样形成的栅极绝缘膜上最小化，因为它可以是冷seongong jeongmak冲击 具有耐化学性，高耐热性和优异的表面性能。
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公开(公告)号：KR100687709B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020040089162
申请日：2004-11-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C11/5692 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 복수의 개별적인 단위 상변화 메모리 소자가 수평 또는 수직으로 배치되어 있는 멀티비트형 상변화 메모리 소자 및 그 구동 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 멀티비트형 상변화 메모리 소자는 발열성 전극과 각각 접촉하는 복수개의 접촉부로 이루어지고 각각 단위 상변화 메모리 소자를 구성하는 복수개의 활성 영역을 가지는 상변화 재료층을 구비한다. 상기 상변화 재료층은 복수개의 상기 활성 영역이 복수개의 어레이 형태로 배열되어 있는 하나의 재료층으로 구성될 수 있다. 또는, 상기 상변화 재료층은 1개 또는 복수개의 상기 활성 영역이 각각 하나의 어레이 형태로 배열되어 있는 복수개의 상변화 재료층으로 구성될 수도 있다. 이 때, 상기 복수의 상변화 재료층은 각각 동일한 수평면상에 형성될 수도 있고, 각각 동일한 수직선상에서 서로 다른 수평면상에 형성될 수도 있다.
멀티비트, 상변화 메모리, 어레이, 수평, 수직-
公开(公告)号：KR1020060070290A
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1020040108976
申请日：2004-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1691 , H01L21/28123 , H01L45/1675
Abstract: 상변화 메모리 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 리소그래피 장비를 폴리실리콘층을 패터닝하여 폴리실리콘 패턴을 형성하고, 폴리실리콘 패턴을 산화시켜 임계선폭이 작은 폴리실리콘 패턴을 형성한다. 상기 임계선폭이 작은 폴리실리콘 패턴을 이용하여 금속 마스크막에 미세홀을 형성할 수 있고, 상기 미세홀에 의해 절연층에 미세 접점을 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명은 상기 미세 접점 형성 공정을 이용하여 저소비전력형 고밀도 상변화 메모리 소자를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060042560A
公开(公告)日：2006-05-15
申请号：KR1020040091257
申请日：2004-11-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C08J5/22 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/052 , H01L51/0052
Abstract: 본 발명은 열경화성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 따른 열경화성 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 유기고분자 게이트 절연막 소재로써 폴리비닐 페놀에 열경화성 물질을 포함시켜 내화학성과 절연특성을 향상시킨 것이고, 유기박막 트랜지스터는 상기 조성물로부터 형성된 유기고분자 게이트 절연막을 구비한다.
본 발명에 따른 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 유기 고분자에 열경화성을 부여하여 내화학성과 절연특성을 향상시키면서, 소자 특성이 향상된 막을 형성시킬 수 있다.
폴리비닐 페놀, 게이트 절연막, 열경화성, 유기박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020060033391A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：KR1020040082491
申请日：2004-10-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/052
Abstract: 본 발명은 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 따른 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 폴리비닐 피롤리돈과 광반응성 물질을 포함하며, 유기박막 트랜지스터는 상기 조성물로부터 형성된 광반응성 유기고분자 게이트 절연막을 구비한다.
본 발명에 따른 광반응성 유기고분자 게이트 절연막 조성물은 유기 고분자에 미세패턴이 가능한 광 특성을 부여하면서, 전기적 특성이 향상된 막을 형성시킬 수 있다.
폴리비닐 피롤리돈, 게이트 절연막, 리소그라피, 유기박막 트랜지스터
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