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公开(公告)号：KR1019950015054A
公开(公告)日：1995-06-16
申请号：KR1019930024140
申请日：1993-11-13
IPC: G06F17/18
Abstract: 본 발명은 일반적인 큐 길이 분포에 관한 새로운 해석적인 근사적 계산을 개인용 컴퓨터를 이용하여 구현하는 방법에 관한 것으로, 입출력하는 트래픽 모델을 선정하여 입출력 트래픽 파라메트를 읽어 확률 생성 함수들을 도출하는 제1단계(201 내지 203), 상기 제1단계(201 내지 203) 수행 후, 분석하려는 큐 길이값을 '0'으로 지정하여 연속 시간상 모델인가를 판단하는 제2단계(204, 205) ; 상기 제2단계(204, 205) 수행 후, 연속 시간상 모델인 경우 실수 공간상의 모델에 대한 확률을 계산하고 종료하는 제3단계(206, 208) ; 및 상기 제2단계(204, 205) 수행 후, 연속 시간상 모델이 아닌 경우 불연속 시간상의 모델에 대한 확률을 계산하고 종료하는 제4단계(207, 209) ; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020110049641A
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：KR1020100053243
申请日：2010-06-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/02
Abstract: PURPOSE: A GaN type led device and manufacturing method thereof are provided to control an area where an amorphous layer is formed, thereby reducing stress which can occur in the amorphous layer. CONSTITUTION: An amorphous layer(200) is formed on a substrate. A unit LED cell area is defined on the amorphous layer. A width pattern separates the unit LED cell area on the amorphous layer. An amorphous layer is etched according to the width pattern. A light emitting structure(500) is formed on a substrate from which the amorphous layer is etched. A buffer layer(400) is formed on the substrate before the light emitting structure is formed to form a light emitting structure on the buffer layer.
Abstract translation: 目的：提供一种GaN型LED器件及其制造方法，以控制形成非晶层的区域，从而减少可能在非晶层中发生的应力。 构成：在衬底上形成非晶层（200）。 在非晶层上定义单位LED电池区域。 宽度图案分离非晶层上的单元LED单元面积。 根据宽度图案蚀刻非晶层。 在非晶层被蚀刻的基板上形成发光结构（500）。 在形成发光结构之前在衬底上形成缓冲层（400）以在缓冲层上形成发光结构。
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公开(公告)号：KR1020080050942A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020070046618
申请日：2007-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/16
Abstract: A nitride semiconductors based light emitting device is provided to improve the uniformity of light emitting at a light emitting surface of a light emitting device by effectively using a quasi-2-dimensional free electron and free hole gas. A buffer layer(120) is grown on a substrate(110). A first p-type contact layer(130a) is grown on the buffer layer. A second p-type contact layer(130b) is grown on the first p-type contact layer. A first hole diffusion layer(140a) is formed on the second p-type contact layer. A second hole diffusion layer(140b) is grown on the first hole diffusion layer. A light emitting active region is grown on the second hole diffusion layer. A second electron diffusion layer(160a) is grown on the light emitting active region. A first electron diffusion layer(160b) is grown on the second electron diffusion layer. A second n-type contact layer(170a) is grown on the first electron diffusion layer. A first n-type contact layer(170b) is grown on the second n-type contact layer.
Abstract translation: 提供了一种基于氮化物半导体的发光器件，以通过有效地使用准二维自由电子和自由空穴气体来改善发光器件的发光表面发光的均匀性。 在衬底（110）上生长缓冲层（120）。 在缓冲层上生长第一p型接触层（130a）。 在第一p型接触层上生长第二p型接触层（130b）。 在第二p型接触层上形成第一孔扩散层（140a）。 在第一孔扩散层上生长第二孔扩散层（140b）。 在第二孔扩散层上生长发光有源区。 在发光有源区域上生长第二电子扩散层（160a）。 第一电子扩散层（160b）在第二电子扩散层上生长。 在第一电子扩散层上生长第二n型接触层（170a）。 在第二n型接触层上生长第一n型接触层（170b）。
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公开(公告)号：KR100466543B1
公开(公告)日：2005-01-15
申请号：KR1020020074420
申请日：2002-11-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to be capable of embodying a SAW filter using an Sl(Semi Insulating)-GaN layer of an HEMT(High Electron Mobility Transistor) for integrating the devices on a unit wafer. CONSTITUTION: An HEMT device is manufactured by depositing an SI GaN layer(12) and an AlxGa1-xN layer(13) on a semiconductor substrate(11). The first predetermined region of the AlxGa1-xN layer is etched. An FET(Field Effect Transistor) device is manufactured by forming FET electrodes(14a,14b) on the predetermined region of the AlxGa1-xN layer. The second predetermined region of the AlxGa1-xN layer is etched for exposing the SI GaN layer. Then, a SAW filter is manufactured by forming SAW filter electrodes(15) on the exposed SI-GaN layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，其能够体现使用HEMT（高电子迁移率晶体管）的S1（半绝缘）-GaN层的SAW滤波器，用于将器件集成在单元晶片上。 构成：通过在半导体衬底（11）上沉积SI GaN层（12）和Al x Ga 1-x N层（13）来制造HEMT器件。 AlxGa1-xN层的第一预定区域被蚀刻。 通过在AlxGa1-xN层的预定区域上形成FET电极（14a，14b）来制造FET（场效应晶体管）器件。 蚀刻Al x Ga 1-x N层的第二预定区域以暴露SI GaN层。 然后，通过在暴露的SI-GaN层上形成SAW滤波器电极（15）来制造SAW滤波器。
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公开(公告)号：KR1020040049744A
公开(公告)日：2004-06-12
申请号：KR1020020077599
申请日：2002-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/737
Abstract: PURPOSE: A HFET(hetero-structure field effect transistor) is provided to improve mobility and saturation velocity of free electrons by decreasing a possibility that the free electrons exist in an AlGaN layer while not greatly varying the density of free electrons induced to a quasi two-dimensional electron channel. CONSTITUTION: The first semiconductor layer(104) is formed on a substrate(100). The second semiconductor layer(106) is formed on the first semiconductor substrate, having a band gap different from that of the first semiconductor layer. The third semiconductor layer(108) is formed on the second semiconductor layer, having a band gap different from that of the second semiconductor layer. A gate(110) is formed on the third semiconductor layer. A source/drain electrode(112) ohmic-contacted by metal is formed on the third semiconductor layer at both sides of the gate. The second semiconductor layer has a band gap greater than the first semiconductor layer. The third semiconductor layer has a band gap that is greater than the first semiconductor layer and is smaller than the second semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供HFET（异质结构场效应晶体管），通过降低自由电子存在于AlGaN层中而不会大大改变自由电子的密度，从而提高自由电子的迁移率和饱和速度 三维电子通道。 构成：第一半导体层（104）形成在基板（100）上。 第二半导体层（106）形成在第一半导体衬底上，具有与第一半导体层的带隙不同的带隙。 第三半导体层（108）形成在第二半导体层上，具有与第二半导体层的带隙不同的带隙。 在第三半导体层上形成栅极（110）。 在栅极两侧的第三半导体层上形成由金属欧姆接触的源极/漏极（112）。 第二半导体层具有大于第一半导体层的带隙。 第三半导体层具有比第一半导体层大的带隙，并且小于第二半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100301109B1
公开(公告)日：2001-09-22
申请号：KR1019980050204
申请日：1998-11-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N21/00
Abstract: 본 발명은 광활성 장치에 관한 것이다.
본 발명은 관통구를 갖으며, 그 내주면에는 제 1 및 제 2 나선부가 형성되어 있는 상부부재; 그 길이 방향을 따라 관통구가 형성되며, 상기 상부부재의 제 2 나선부에 체결되도록 나선부가 형성되며 2개의 돌출부를 가져 그 사이에 온도조절기 전선이 배열되고, 상기 돌출부중 하부의 돌출부는 삽입구가 형성되어 있는 온도조절부재; 광섬유가 인입되는 광섬유 수용부를 갖으며 상기 온도조절부재의 관통구에 수용되어 상기 상부부재의 제 1 나선부에 체결되는 광섬유 수용부재; 상기 온도조절부재의 하부 돌출부의 삽입구에 수용되는 스프링핀 부재; 내주면에 나선부가 형성되는 제 1 중앙 관통구가 형성되고, 상기 제 1 중앙 관통구의 원주 외측에 형성되는 다수개의 제 2 관통구를 가지는 연결부재; 및 외주면에 나선부가 형성되어 상기 연결부재의 제 1 중앙 관통부에 체결되며, 돌림대를 갖는 시료받침부재를 포함하여 이루어져 광섬유와 고체시료가 직접 접합할 수 있으며, 반도체, 초전도체, 고분자 및 생체구조의 다양한 고체시료의 광활성을 효과적으로 성취할 수 있는 광활성 장치를 제시하고자 한다.-
公开(公告)号：KR1019990047344A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065705
申请日：1997-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/868 , H01L31/10
Abstract: 본 발명은 전기-광흡수 효과를 갖는 반도체 다중 양자 우물 구조를 중간층으로 하는 두 개의 PIN 다이오드를 역 극성 병렬로 연결한 구성을 가지는 전기광학 진동기를 제공한다. 본 발명의 전기광학 진동기는 광흡수에 의한 광전류-전압의 부저항 특성을 이용하며, 진동기를 구성하는 각 다이오드에 부저항 특성을 유발는 강한 레이져광의 조사시 진동기의 전류-전압특성은 넓은 구간의 N모양 부저항 특성이 얻어지며, 이 부저항 영역에 정전압을 인가할 경우 진동기는 전기적 진동과 함께 두 다이오드로 입사된 광으로부터 세기진동 위상이 역전(invert)된 두 광출력을 얻는다. 본 발명의 부저항 특성 진동기는 전기적 진동신호뿐만 아니라 광학적 진동신호를 얻을 수 있는 전기광학 진동기로 응용되며, 외부 전원 없이 광학적 진동 출력을 얻는 완전 광 진동기 특성을 갖는다.
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公开(公告)号：KR1019980065895A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970001101
申请日：1997-01-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 반도체 광전 소자에 관한 것으로, 이중장벽 구조를 갖는 공명투과 다이오드의 양자 상태간의 에너지 차이를 최대로 하기 위하여 에미터쪽의 간격층에 인듐비소를 단원자층의 두께로 형성함으로써 약한 세기의 빛에서도 삼각 우물의 두 양자 상태에 의한 공명투과 전류가 분리되어 나타나므로 빛으로 삼각 우물의 여기 상태에 의한 공명투과를 제어하여 광원으로 전기적 신호를 제어하는 스위칭 소자의 제작이 가능할 수 있는 광 제어 공명투과 다이오드가 제시된다.
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公开(公告)号：KR1019980034538A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960052621
申请日：1996-11-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 이규석
IPC: H01L31/10
Abstract: 본 발명은 편광 의존성이 없는 이득 특성을 갖는 1.55㎛ 파장의 광 증폭을 위하여 2중 In
0.53 Ga
0.47 As 양자 우물층 사이에 In
1-X Ga
X As(x＞0.47) 초박막층으로 이루어진 활성층을 하나 형성하거나 이 할성층을 벽층으로 분리하여 다수로 형성하므로써 편광에 무관한 이득 특성을 가지므로 광통신 및 광통신 관련 분야의 핵심 부품으로 사용할 수 있는 반도체 광 증폭기가 제시된다. -
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