公开(公告)号：KR1019980067652A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970003862

申请日：1997-02-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협 ,  이진홍

IPC: H01L31/02

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, InP 기판위에 조성비가 서로 다른 [In(x)Al(1-x)As/In(y)Al(1-y)As] 다층 박막으로 이루어진 수직형 인공초격자를 형성하고, 그 위에 InP층을 형성하여 양자선을 제조하며 이렇게 형성된 InP/InAlAs/InP를 다층으로 형성하여 더욱 향상된 특성을 갖는 양자선을 제조함으로써 양자선의 패킹 밀도를 높힐 수 있으며 양질의 초격자 구조를 생성할 수 있고, 단순한 에피성장 조건을 바꾸어 비교적 여러 가지 크기의 초격자 구조를 제조 할 수 있는 양자선 제조 방법이 제시된다.

公开(公告)号：KR1019980019928A

公开(公告)日：1998-06-25

申请号：KR1019960038192

申请日：1996-09-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박효훈 ,  유병수 ,  추혜용 ,  이번 ,  백종협

IPC: H01S5/18

Abstract: 본 발명은 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 광 펌핑으로 동작되는 장파장 레이저 칩을 전기적으로 동작되는 단파장 표면방출 레이저 칩으로 광 펌핑하여 장파장 레이저 빔을 방출함으로써, 레이저 칩의 성장이 간단해지고, 광 펌핑 후 잔류된 단파장 레이저 빔을 InP 기판에서 흡수하므로 자동적으로 여과될 수 있도록 한 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR100125330B1

公开(公告)日：1997-10-06

申请号：KR1019940028807

申请日：1994-11-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종협 ,  이번 ,  윤미영

IPC: G01J1/00

公开(公告)号：KR100273470B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019970064809

申请日：1997-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A variable wavelength surface emission type semiconductor laser using heating type is provided to obtain low manufacturing costs and high operation efficiency at high temperature by simplifying a peak modulation without an expensive monochromator and a thermoelectric cooler. CONSTITUTION: A substrate is made of indium phosphide. The substrate is formed in turn a lower distributed bragg reflector, an active layer and an upper distributed bragg reflector on the surface thereof. The active layer has a multiple quantum well structure consisting of a plurality of indium aluminum arsenic gallium barrier layers and indium gallium arsenic quantum well layers. The lower and upper reflectors are formed by organic metal chemical vapor deposition. The active layer is also formed by organic metal chemical vapor deposition. The lower and upper reflectors has a plurality of indium aluminum arsenic layers and indium aluminum gallium layers.

Abstract translation: 目的：提供一种使用加热型可变波长表面发射型半导体激光器，通过简化峰值调制，无需昂贵的单色仪和热电冷却器，从而在高温下获得低制造成本和高运行效率。 构成：衬底由磷化铟制成。 衬底又在其表面上形成下分布布拉格反射器，有源层和上分布布拉格反射器。 有源层具有由多个铟铝砷镓阻挡层和铟镓砷量子阱层组成的多量子阱结构。 下反射器和上反射器由有机金属化学气相沉积形成。 活性层也由有机金属化学气相沉积形成。 下反射器和上反射器具有多个铟铝砷层和铟铝镓层。

公开(公告)号：KR1020000033135A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980049840

申请日：1998-11-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종협 ,  이번

IPC: H01S5/30

CPC classification number: C30B25/16 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/18361

Abstract: PURPOSE: An epitaxial growth system for vertical cavity surface emitting laser using a real-time laser reflectance detector and a method for manufacturing the vertical cavity surface emitting laser using the system is provided to guarantee a reproducibility of an epitaxial growth without information such as refraction ratio of the epitaxial layer. CONSTITUTION: An epitaxial growth system for vertical cavity surface emitting laser using a real-time laser reflectance detector and a method for manufacturing the vertical cavity surface emitting laser using the system include a reactor, a laser illuminator, and a detector. The laser illuminator illuminates the laser on a board(18) in the reactor to detect the real-time reflectance. The detector detects a reflected signal of the illuminated laser. The wavelength of the laser is in a same range as the wavelength of the vertical cavity surface emitting laser.

Abstract translation: 目的：提供使用实时激光反射检测器的垂直腔表面发射激光器的外延生长系统和使用该系统制造垂直腔表面发射激光器的方法，以保证外延生长的再现性，而不需要诸如折射率 的外延层。 构成：使用实时激光反射检测器的垂直腔表面发射激光器的外延生长系统和使用该系统制造垂直腔表面发射激光器的方法包括反应器，激光照明器和检测器。 激光照射器照射反应器中的板（18）上的激光以检测实时反射率。 检测器检测被照射的激光的反射信号。 激光的波长与垂直腔表面发射激光的波长相同。

公开(公告)号：KR100250475B1

公开(公告)日：2000-05-01

申请号：KR1019970073709

申请日：1997-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협

IPC: G02F1/00

CPC classification number: H01S5/50 ,  H01S5/423

Abstract: PURPOSE: A surface transmission type optical switch of one dimension array method is provided to reduce an optical loss and preserve a device as small by performing a consecutive optical amplification of a fabry-perot type through an optical amplifier. CONSTITUTION: A laser thin film structure comprises two distributed bragg reflectors on an InP substrate(11) and an active layer(14) having a resonance layer inside. Lower DBRs(12,13) form 35 cycles and upper DBRs(15,16) form 30 cycles. The active layer(14) has a resonance transmission multi-layer quantum well structure consisting of 3¯9 InAlAs barrier layers and InGaAs quantum well layers. The highest layer(13) of lower DBRs is doped with an n-type and a lower layer(15) of upper DBRs(15,16) is doped with a p-type to reduce a series resistance and maximize the free carrier absorption. Other layers are not doped.

Abstract translation: 目的：提供一维阵列方法的表面透射型光开关，通过光放大器进行漫反射型连续光放大，减少光损耗并保持器件小。 构成：激光薄膜结构包括在InP衬底（11）上的两个分布式布拉格反射器和在其内部具有谐振层的有源层（14）。 下DBR（12,13）形成35个周期，上DBR（15,16）形成30个周期。 有源层（14）具有由3个InAlAs阻挡层和InGaAs量子阱层组成的谐振透射多层量子阱结构。 下部DBR的最高层（13）掺杂有上部DBR（15,16）的n型和下层（15），其中掺杂有p型以降低串联电阻并使自由载流子吸收最大化。 其他层不掺杂。

公开(公告)号：KR1019980050571A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960069402

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종협 ,  이번

IPC: H01S5/187

Abstract: 본 발명은 브래그 반사막 제작 방법에 관한 것으로, 브레그 반사막과 동일한 파장을 갖는 레이져 빔을 사용하여 실시간으로 원하는 두께의 막을 성장시킬 수 있도록 한 브래그 반사막 제작 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100138863B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940034157

申请日：1994-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  김덕봉 ,  백종협

IPC: H01L21/66

Abstract: 상이한 파장을 갖는 두개의 레이저빔을 성장 중인 막에 동시에 투사하고, 성장중의 막으로부터 반사된 두개의 반사빔들 각각의 간섭패턴주기를 분석하여 막의 두께와 조성을 모니터링한다.
막으로 부터 반사되는 두개의 반사광을 각각 검출하기 위한 광검출기로서, 단파장용 레이저빔의 검출에 적합한 실리콘검출기와 장파장용 레이저빔의 검출에 적합한 저매늄검출기를 이용하여, 동시에 서로 상이한 파장용 두 반사광을 감지하여 실시간으로 막의 두께 및 조성을 측정한다.

公开(公告)号：KR1019970054968A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950052636

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  백종협 ,  최성우 ,  이진홍

IPC: H01S3/00

Abstract: 갈륨비소(GaAs) 기판위에 알루미늄 비소(AlAs)와 갈륨비소(GaAs) 초격자거울(distributed Brag reflector)을 하단부에 성장시키고 그위에 조성 그레이딩 방법으로 인디움갈륨비소(InGaAs) 버퍼층을 성장시킨 후, 격자 부정합이 크나 전위없는 인디움 인(InP)층과 활성층인 인디움갈륨비소(InGaAs) 양자우물구조(quantum well)를 성장시키고 그 위에 인디움알루미늄비소(InAlAs)와 인디움갈류비소(InGaAs) 초격자거울을 생성하는 방법이다.
하단부 거울은 굴절율 차이가 크며 열전도율이 매우 좋아 구조상 이상적이며 활성층과 상단부거울은 광자와 전자의 구속력이 좋고 굴절율 차이도 비교적 좋아 상단부로 레이징하기에 적합하여 상온 연속발진이 가능하다.

公开(公告)号：KR1019960026511A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940034157

申请日：1994-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이번 ,  김덕봉 ,  백종협

IPC: H01L21/66

Abstract: 상이한 파장을 갖는 두개의 레이저빔을 성장 중인 막에 동시에 투사하고, 성장중의 막으로부터 반사된 두개의 반사빔들 각각의 간섭패턴주기를 분석하여 막의 두께와 조성을 모니터링한다.
막으로부터 반사되는 두개의 반사광을 각각 검출하기 위한 광검출기로서, 단파장용 레이저빔의 검출에 적합한 실리콘검출기와 장파장용 레이저빔의 검출에 적합한 저매늄검출기를 이용하여, 동시에 서로 상이한 파장용 두 반사광을 감지하여실시간으로 막의 두께 및 조성을 측정한다.