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公开(公告)号：KR100319760B1
公开(公告)日：2002-01-05
申请号：KR1019990061149
申请日：1999-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/08
Abstract: 본발명은무선통신기술에관한것으로, 특히고주파수레이저광원은향후의동영상무선멀티미디어서비스를위한밀리미터파무선전송시스템의기지국사이의광선로망에사용될것으로예측되고있는고주파수레이저광 발생기에관한것이다. 본발명은레이저광원의변조주파수영역을넓히고, 그구현이용이하면서도우수한성능을가지는초고주파수변조레이저광 발생기를제공하는데그 목적이있다. 본발명은링형광섬유레이저공진기와선형광섬유레이저공진기를 50% 광섬유결합기로결합하여공진기내에이중레이저모드를발진시켜두 레이저모드사이의맥놀이현상에의해초고주파수(최대 20GHz)로변조되는레이저광원이다. 두개의안정된레이저공진기에서이중모드의레이저가발진하여, 변조된고주파수레이저광원이발생되어나오며, 편광조절기에의한공진기내에서의이득의변화를이용하여발진되는레이저의변조주파수를가변(10MHz∼20GHz)시키는것이다.
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公开(公告)号：KR1020140069989A
公开(公告)日：2014-06-10
申请号：KR1020120137946
申请日：2012-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H02N2/18
CPC classification number: H02N2/18 , H01L41/0533 , H01L41/0805 , H01L41/113 , H02N2/22 , Y10S977/837
Abstract: A flexible power generation device is provided. The power generation device comprises a flexible substrate with an uneven structure on one surface; electrodes, each disposed on convex parts of the uneven structure of the flexible substrate; piezoelectric nanofibers crossing the convex parts of the uneven structure of the flexible substrate and spaced apart from each other in one direction; and a protective layer disposed on the flexible substrate to cover the electrodes and the piezoelectric nanofibers.
Abstract translation: 提供了灵活的发电装置。 发电装置包括在一个表面上具有不均匀结构的柔性基板; 电极，各自设置在柔性基板的不平坦结构的凸部上; 压电纳米纤维与柔性基板的不均匀结构的凸部交叉并且在一个方向上彼此间隔开; 以及设置在柔性基板上以覆盖电极和压电纳米纤维的保护层。
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公开(公告)号：KR101169394B1
公开(公告)日：2012-07-30
申请号：KR1020080123884
申请日：2008-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 대면적 가스 센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 가스 센서는 연성 기판; 연성 기판 상에 형성된 이중 완충층; 이중 완충층 상에 패턴화되어 형성된 탐침부를 포함하는 금속 전극; 탐침부가 제외된 금속 전극 상에 형성된 산화물 감지층을 포함하며, 그의 제조방법은 연성 기판 상에 이중 완충층을 증착하는 단계; 이중 완층층 상에 금속을 증착한 후 패터닝하여 탐침부를 포함하는 금속 전극을 형성하는 단계; 탐침부를 감광제로 도포하고, 금속 전극 상에 산화물 감지층을 형성하는 단계; 감광제를 제거하는 단계; 및 산화물 감지층을 열처리하는 단계를 포함한다.
가스 센서, 연성 기판, 대면적, 산화물, 감지, 플라스틱-
公开(公告)号：KR100981733B1
公开(公告)日：2010-09-14
申请号：KR1020080014949
申请日：2008-02-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 전기방사법을 이용하여 나노 구조체를 원하는 장소에 원하는 형태로 배열하는 방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 방법은 무기 나노 소재를 유기 용제 중에 혼합하여 유-무기 혼합 용액을 준비하는 단계; 유-무기 혼합 용액을 전압이 인가된 상태로 분사 노즐로부터 토출시키는 단계; 및 분사 노즐로부터 하전된 토출물을 접지 특성을 갖는 콜렉터에 의해 정렬시키면서 증착시키는 단계를 포함한다. 이런 방법으로 제조된 정렬된 유-무기 나노 복합체는 그 상태로 또는 유기물이 제거된 무기 나노 구조체로 유기 박막 트랜지스터의 활성층 및 생화학 센서의 검출 소재로 사용될 수 있다.
전기방사법, 유-무기 나노 복합체, 바이오 생화학센서, 활성층, 검출-
公开(公告)号：KR1020100065518A
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：KR1020080123884
申请日：2008-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A large area gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to reduce the manufacturing costs of a substrate by using a plastic substrate instead of a high priced aluminum substrate. CONSTITUTION: A large area gas sensor comprises: a flexible substrate(200); a double damping layer(210) which is formed on the flexible substrate; a metal electrode(220) which comprises a probe part which is patterned on the double damping layer; and an oxide detection layer(230) which is formed on the metal electrode in which the probe part is excluded. The flexible substrate comprises polyimide, polyethylene, polyethersulfone and polycarbonate. The double damping layer comprises an amorphous silicon layer(211) and an inorganic insulation film layer(212) which are successively formed on the flexible substrate. The inorganic insulation film layer consists of one or more among a group of Al2O3, MgO, SrTiO, and SiO2.
Abstract translation: 目的：提供大面积的气体传感器及其制造方法，通过使用塑料基板代替高价格的铝基板来降低基板的制造成本。 构成：大面积气体传感器包括：柔性基板（200）; 形成在柔性基板上的双阻尼层（210）; 金属电极（220），其包括在所述双阻尼层上图案化的探针部分; 以及氧化物检测层（230），其形成在不包含探针部分的金属电极上。 柔性基材包括聚酰亚胺，聚乙烯，聚醚砜和聚碳酸酯。 双重阻尼层包括依次形成在柔性基板上的非晶硅层（211）和无机绝缘膜层（212）。 无机绝缘膜层由一组Al 2 O 3，MgO，SrTiO和SiO 2组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100659974B1
公开(公告)日：2006-12-22
申请号：KR1020060007915
申请日：2006-01-25
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A paraelectric thin film for a super high frequency turnable device and a super high frequency turnable device comprising the same are provided to obtain high tuning ratio and low dielectric loss by using an improved paraelectric thin film. A paraelectric thin film for a super high frequency turnable device includes an oxide single crystalline substrate(10) and a paraelectric film(20) formed on the oxide single crystalline substrate. The paraelectric film is one selected from a group consisting of Ba(Zrx, Ti1-x)O3 (0
Abstract translation: 提供了一种用于超高频可转动装置的顺电薄膜以及包括该装置的超高频可转动装置，以通过使用改进的顺电薄膜获得高调谐比和低介电损耗。 一种用于超高频可转动器件的顺电薄膜包括氧化物单晶衬底（10）和形成在氧化物单晶衬底上的顺电膜（20）。 顺电膜是选自由Ba（Zr x，Ti 1-x）O 3（0
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公开(公告)号：KR100651724B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020040104918
申请日：2004-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L28/82 , H01L27/0808
Abstract: 수평 구조의 가변 축전기 및 이를 구비한 초고주파 가변 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 초고주파 가변 소자는 기판과, 상기 기판상에 형성된 신호선과, 상기 신호선의 양측에서 상기 신호선의 길이 방향을 따라 주기적으로 형성되어 있는 복수의 가변 축전기와, 상기 가변 축전기에 DC 전압을 인가하기 위하여 상기 기판상에 형성되어 있는 전극을 포함한다. 상기 가변 축전기는 상기 기판상에 형성된 유전체막과, 상기 기판상에서 상기 유전체막의 양 측에 각각 형성된 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극을 구비하고, 상기 제1 축전기 전극, 유전체막, 및 제2 축전기 전극이 차례로 상기 기판에 평행하게 배열되어 있다.
가변 축전기, 초고주파 가변 소자, 분포 정수형 아날로그 위상 변위기, 수평 구조-
公开(公告)号：KR1020060062299A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101087
申请日：2004-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/022 , H01G7/06 , H01L21/02197 , H01L21/0226 , H01L21/31691 , H01L28/56 , H01P1/181
Abstract: A ferroelectric/paraelectric multilayer thin film having a high tuning rate of a dielectric constant and small dielectric loss to overcome limitations of a tuning rate of a dielectric constant and dielectric loss of a ferroelectric thin film, a method of forming the same, and a high frequency variable device having the ferroelectric/paraelectric multilayer thin film are provided. The ferroelectric/paraelectric multilayer thin film includes a perovskite ABO 3 structure paraelectric seed layer formed on a substrate, and an epitaxial ferroelectric (Ba x Sr 1-x )TiO 3 thin film formed on the paraelectric seed layer. The high frequency variable device can realize a RF frequency/phase variable device having a high speed, low power consumption, and low prices and excellent microwaves characteristics.
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公开(公告)号：KR100546759B1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020030056847
申请日：2003-08-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01Q21/00
CPC classification number: H01P1/181
Abstract: 본 발명은 인가 전압에 따라 유전율이 변하는 강유전체 박막을 이용한 초고주파 가변 소자에 관한 것으로, 인가 전압에 따라 위상 속도를 변화시키면서 특성 임피던스의 변화는 감소시킬 수 있는 분포 정수형 아날로그 위상 변위기 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 분포 정수형 아날로그 위상 변위기는, 기판 상에 라인 형태로 연장되는 CPW(coplanar waveguide)가 배치되어 있고, 상기 CPW에 주기적으로 다수의 강유전체 캐패시터가 로딩되어 있다. 강유전체 캐패시터는 패턴 형태의 강유전체 박막을 구비하여, 인가 전압의 영향을 받는 강유전체 박막을 캐패시터 면적 내부로 국한시킨다. 이에 따라, 인가 전압의 변화에 따른 위상 속도의 변화는 유지하면서 원치 않는 CPW의 특성 변화를 방지하고 박막 유전 손실을 줄임으로써 위상 변위기의 반사 손실 및 삽입 손실 특성을 향상시킬 수 있다.
강유전체 박막, 분포 정수형 아날로그 위상 변위기, CPW(coplanar waveqguide), 강유전체 캐패시터-
公开(公告)号：KR1020040047174A
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020020075291
申请日：2002-11-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01G7/06 , H01G4/1227
Abstract: PURPOSE: A UHF(ultrahigh frequency) variable device with a ferroelectric/paraelectric barium-strontium-titanium oxide thin film is provided to reduce deformation or loss of data and decrease amplification of an electric wave that is radiated through an antenna by reducing a loss of the electric wave in an active antenna system or a satellite communication system. CONSTITUTION: A substrate(100) is prepared. The ferroelectric/paraelectric barium-strontium-titanium oxide thin film(110) of an orientation (111) is formed on the substrate by a laser deposition method. The substrate is a MgO substrate.
Abstract translation: 目的：提供具有铁电/顺电钡锶 - 氧化钛薄膜的UHF（超高频）可变器件，以减少数据的变形或损失，并减少通过天线辐射的电波的放大，减少损耗 有源天线系统或卫星通信系统中的电波。 构成：制备基材（100）。 通过激光沉积法在衬底上形成取向（111）的铁电/顺电钡 - 锶 - 氧化钛薄膜（110）。 衬底是MgO衬底。
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