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公开(公告)号：KR100265860B1
公开(公告)日：2000-10-02
申请号：KR1019970049432
申请日：1997-09-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: A method for removing an oxide layer by a dry etching method using an anhydrous fluoride and a methanol is provided to improve an etching ratio by increasing a pressure of an anhydrous fluoride. CONSTITUTION: A temperature of an oxide layer formed with a structure and an oxide layer is maintained under 15 to 70 degrees centigrade. The oxide layer of the wafer is etched under a condition that the amount of an anhydrous fluoride is larger than the amount of a methanol. The etching method is a dry etching method. The etching process for etching the oxide layer is performed under a pressure of 0.1 to 100 torr. The oxide layer is a PSG or BPSG or TEOS or a thermal oxide layer.
Abstract translation: 目的：提供通过使用无水氟化物和甲醇的干蚀刻法除去氧化物层的方法，通过增加无水氟化物的压力来提高蚀刻比。 构成：形成有结构和氧化物层的氧化物层的温度保持在15至70摄氏度。 在无水氟化物的量大于甲醇的量的条件下蚀刻晶片的氧化物层。 蚀刻方法是干蚀刻方法。 用于蚀刻氧化物层的蚀刻工艺在0.1至100托的压力下进行。 氧化物层是PSG或BPSG或TEOS或热氧化物层。
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公开(公告)号：KR1019990027223A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970049653
申请日：1997-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/82
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
멤즈 소자의 형성 방법.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
진공 밀봉이 요구되는 멤즈 소자의 형성시, 웨이퍼 위에 형성된 모든 소자를 한꺼번에 진공 밀봉하고 또한 진공 성능을 높일 수 있는 진공 밀봉 방법을 사용하여 제조된 멤즈 소자의 형성 방법을 제공하고자 함을 그 목적으로 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
하부 기판 상에 절연막, 상부 기판을 형성한후, 상기 상부 기판 및 절연막의 선택적 식각으로 상기 하부 기판을 다수군데 노출시키는 단계; 상기 노출된 하부 기판을 메우는 희생막 패턴을 형성하되, 적어도 상기 노출된 하부 기판중 두군데를 연결하여 이루어지는 희생막 패턴을 형성하는 단계; 상기 희생막 패턴 상부에 제1밀봉 박막을 형성하는 단계; 상기 제1밀봉 박막에 상기 희생부 패턴의 끝부분과, 상기 상부 기판을 노출시키는 다수의 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통하여 상기 희생막 패턴을 완전히 제거하는 단계; 및 상기 콘택홀 및 제1밀봉 박막을 덮는 제2밀봉 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR1019960026990A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035163
申请日：1994-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 표시장치 및 광 모듈레이터용 수평이동형 광개폐소자의 구조와 제조방법에 관한 것으로, 빛의 사용효율을 높이고 생산단가를 낮추기 위하여 마이크로 머시닝 기술을 이용하여 3차원 미소 기계 구조체를 형성하며, 하부전극 및 상부전극 그리고 이동전극 사이의 인가전압 차이에 의해 발생하는 정전력을 구동원으로 하여 수평이동자가 움직이며, 최상부의 마스크 및 빗살무늬로 형성된 창을 빛의 차단 및 통과를 제어하며, 마이크로 머시닝 기술의 약점인 회생층 제거 시의 상층과 기판과의 고착을 방지하기 위한 지지빔으로 구성됨을 특징으로 하는 미소 기계 구조체 수평이동형 광개폐소자 및 그 제조방법.
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公开(公告)号：KR1019900006260B1
公开(公告)日：1990-08-27
申请号：KR1019870015004
申请日：1987-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/223
Abstract: The vacuum system of low pressure CVD apparatus for forming a polysilicon thin film, comprises: a vibration absorber (3) for relaxing a misalignment in piping, and preventing a leakage by thermal expansion; a trap (5) for relaxing an abrupt variation of pressure and filtering a generating dust in the main exhaust pipe; a throttle valve (7) controlling an opening area of the pipe to maintain a predermined processing pressure; a soft-start exhaust pipeline (11) for reducing an effective pumping speed upon initial pumping operation; an oil filtration system (16), an N2 ballast system (14) and an oil demist filter (15); and a power failure pipeline for exhausting a toxic and explosive gas.
Abstract translation: 用于形成多晶硅薄膜的低压CVD装置的真空系统包括：用于放松管道中的未对准的减振器（3），并防止热膨胀的泄漏; 用于放松压力突然变化并过滤主排气管中产生的灰尘的阱（5）; 节流阀（7），其控制管道的开口面积以保持预处理压力; 用于在初始泵送操作时降低有效泵送速度的软启动排气管道（11） 油过滤系统（16），N2镇流器系统（14）和除油过滤器（15）; 以及用于排放有毒和爆炸性气体的断电管道。
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公开(公告)号：KR100236934B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970049653
申请日：1997-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/82
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
멤즈 소자의 형성 방법.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
진공 밀봉이 요구되는 멤즈 소자의 형성시, 웨이퍼 위에 형성된 모든 소자를 한꺼번에 진공 밀봉하고 또한 진공 성능을 높일 수 있는 진공 밀봉 방법을 사용하여 제조된 멤즈 소자의 형성 방법을 제공하고자 함을 그 목적으로 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
하부 기판 상에 절연막, 상부 기판을 형성한후, 상기 상부 기판 및 절연막의 선택적 식각으로 상기 하부 기판을 다수군데 노출시키는 단계; 상기 노출된 하부 기판을 메우는 희생막 패턴을 형성하되, 적어도 상기 노출된 하부 기판중 두군데를 연결하여 이루어지는 희생막 패턴을 형성하는 단계; 상기 희생막 패턴 상부에 제1밀봉 박막을 형성하는 단계; 상기 제1밀봉 박막에 상기 희생부 패턴의 끝부분과, 상기 상부 기판을 노출시키는 다수의 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통하여 상기 희생막 패턴을 완전히 제거하는 단계; 및 상기 콘택홀 및 제1밀봉 박막을 덮는 제2밀봉 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR100231711B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019960068954
申请日：1996-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 표면 미세 가공(surface micromachining) 기술을 이용한 마이크로 자이로스코프(micro gyroscope) 제작방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 기존의 구조체 재료인 다결정 실리콘(polysilicon)에서 나타나는 응력을 해소하여 구조체가 변형되는 것을 방지하고, 또한 센서의 구동 및 감지를 위한 반도체 IC 회로의 제작 과정에서 발생할 수 있는 열공정(thermal process)의 호환성 문제, 금속배선의 어려움 및 진공 밀봉(vacuum seal)의 복잡함을 해결하고자 한다. 이에 따른 본 발명은 응력이 없는 구조체로서 기존의 다결정 실리콘 대신 SOI(Silicon On Insulator) 상부의 단결정 실리콘을 이용하고, 구동 및 감지를 위한 반도체 IC회로는 별도의 웨이퍼에 제작한 후 이를 구조체 위에 접착(bonding) 함으로써 열공정(thermal process)의 호환성, 금속 배선 및 진공 밀봉 문제를 해결할 수 있다.
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