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公开(公告)号：KR100277533B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980028947
申请日：1998-07-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 니들(needle)형 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 미세 반도체 가공 기술을 이용하여 화학적으로 절대적인 전압을 결정하기 위한 기준 전극, 기준 전극에서 결정된 전압을 기준으로 하여 인가된 전압에 의해 동작하며, 실제적인 화학 반응이 일어나는 영역인 다수의 작업 전극, 작업 전극에 흐르는 전류의 절대량 변화를 측정하기 위한 카운터 전극, 기준 전극, 다수의 작업 전극, 카운터 전극에 각기 금속 배선을 통해 각기 전압을 공급하기 위한 전압 인가용 다수의 전극으로 이루어지며, 기준 전극, 다수의 작업 전극, 카운터 전극, 다수의 전압 인가용 전극 및 금속 배선은 니들형의 반도체 기판 상에 형성되는 니들형 센서 및 그 제조 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR100233237B1
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：KR1019970046644
申请日：1997-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01F5/003 , H01F17/0033
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
반도체 장치.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
일반적인 IC 공정으로, 3차원 코일 구조를 가지며 코일의 내부가 빈 인덕터 및 그 형성 방법을 제공하여, 평면 구조의 인덕터에 비하여 면적이 감소되고, 코일의 고주파 전류에 흐름에 의한 기생 캐패시턴스의 용량을 줄일 수 있도록 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
절연막 상에 형성된 홈 내부에, 홈의 바닥 및 양측벽의 소정 부위를 덮으며, 그 양단이 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐지고 이웃하는 패턴과 소정의 간격을 갖는 다수의 제1 전도막 패턴 및 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐진 상기 제1 전도막 패턴의 양단과 연결되며 상기 다수의 제1 전도막 패턴을 이웃하는 제1 전도막 패턴과 연결하여 상기 제1 전도막 패턴과 함께 코일 구조를 이루는 다수의 제2 전도막 패턴으로 3차원 코일 구조 미세 인덕터를 형성한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 장치 및 그 제조 방법에 이용됨-
公开(公告)号：KR1019990027060A
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970049432
申请日：1997-09-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/3065
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 분야
반도체 장치의 미소 구조체 형성 방법.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
자이로 스코프 등의 산화막 식각시, 불화 수소의 분압을 높여 식각율을 향상시키고, 온도와 압력에 따른 물의 열 역학적 성질을 이용하여 시편 위에 물이 완전히 제거되는 방법을 제시하는 것을 제공하고, 결과적으로 개선된 마이크로 자이로 스코프와 같은 반도체 장치의 형성 방법을 제공하고자 함을 그 목적으로 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
산화막을 구비하는 반도체 장치에 있어서, 메탄올가 상기 메탄올보다 상대적으로 많은 무수 불화 수소를 이용한 건식식각 방법으로 상기 산화막을 식각하되, 웨이퍼의 온도를 15-70℃로 유지하여 상기 산화막을 식각하여 이루어진다.
4. 발명이 중요한 용도.
반도체 장치 제조 공정에 이용됨.-
公开(公告)号：KR1019990025140A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970046644
申请日：1997-09-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
반도체 장치.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
일반적인 IC 공정으로, 3차원 코일 구조를 가지며 코일의 내부가 빈 인덕터 및 그 형성 방법을 제공하여, 평면 구조의 인덕터에 비하여 면적이 감소되고, 코일의 고주파 전류에 흐름에 의한 기생 캐패시턴스의 용량을 줄일 수 있도록 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
절연막 상에 형성된 홈 내부에, 홈의 바닥 및 양측벽의 소정 부위를 덮으며, 그 양단이 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐지고 이웃하는 패턴과 소정의 간격을 갖는 다수의 제1 전도막 패턴 및 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐진 상기 제1 전도막 패턴의 양단과 연결되며 상기 다수의 제1 전도막 패턴을 이웃하는 제1 전도막 패턴과 연결하여 상기 제1 전도막 패턴과 함께 코일 구조를 이루는 다수의 제2 전도막 패턴으로 3차원 코일 구조 미세 인덕터를 형성한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 장치 및 그 제조 방법에 이용됨-
公开(公告)号：KR1019980050175A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960068954
申请日：1996-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 표면 미세 가공 (surface micromachining) 기술을 이용한 마이크로 자이로스코프 (micro gyroscope) 센서의 재료 및 제작방법에 관한 것임.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
기존의 구조체 재료인 다결정 실리콘 (polysilicon) 에서 나타나는 응력을 해소하여 구조체가 변형되는 것을 방지하고, 또한 센서의 구동 및 감지를 위한 반도체 IC 회로의 제작 과정에서 발생할 수 있는 열공정 (thermal process)의 호환성 문제, 금속배선의 어려움 및 진공 밀봉 (vacuum seal)의 복잡함을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
응력이 없는 구조체로서 기존의 다결정 실리콘 대신 SOI (Silicon On Insulator) 상부의 단결정 실리콘을 이용하고, 구동 및 감지를 위한 반도체 IC 회로는 별도의 웨이퍼에 제작한 후 이를 구조체 위에 접착 (bonding) 함으로써 열공정(thermal process)의 호환성, 금속 배선 및 진공 밀봉 문제를 해결함.
4. 발명의 중요한 용도
MEMS (micro eletro mechanical system)의 제작-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019920004962B1
公开(公告)日：1992-06-22
申请号：KR1019880017968
申请日：1988-12-30
IPC: H01L21/20
Abstract: The evacuation system for vapor deposition of the metallic thin film i.e. tungsten or tengsten silicide, safely evacuates the posionous gas generated from the vapor deposition. The system comprises a heating tape tube (6), connected to a shock absorbing tube (1) of a reaction vessel (A), U-shaped tube (2) and a valve (3), for eliminating non-reactive/explosive SiH4 gas; a gas deoxidation trap (4) filled with stainless steel pieces for eliminating non-reactive/corrosive WF6 gas; a gas absorption trap (5) filled with zeolite for absorbing moisture or H2 gas molecules.
Abstract translation: 用于气相沉积金属薄膜（即钨或矽化钨）的抽空系统安全地排出由气相沉积产生的气泡。 该系统包括与反应容器（A）的减震管（1），U形管（2）和阀（3）连接的加热带管（6），用于消除无反应/爆炸的SiH 4 加油站; 气体脱氧阱（4）填充不锈钢件，用于消除无反应/腐蚀性WF6气体; 填充有用于吸收水分或H2气体分子的沸石的气体吸收阱（5）。
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公开(公告)号：KR1019920004960B1
公开(公告)日：1992-06-22
申请号：KR1019880017974
申请日：1988-12-30
IPC: H01L21/00
Abstract: The apparatus precisely detects the position of the cassette by use of a photo interrupter. The cassette is used for loading wafers to a reactor and piching up the wafers from the reactor. The detecting apparatus comprises a sheet metal for shutting off the light from both sides of a cassette table, a photo interruptor having a pair of light emitter and receiver, an array alternately arranging a plurality of the photo interruptors in two rows, an encoder board for converting the photo interruptor signals to 5 bit signals and LED for displaying the cassette position.
Abstract translation: 该装置通过使用光电断路器精确地检测盒的位置。 盒子用于将晶片装载到反应器中并从反应器上取出晶片。 检测装置包括用于切断从盒式磁带台的两侧的光的金属板，具有一对光发射器和接收器的光电断路器，以两行交替布置多个光电断路器的阵列，编码器板，用于 将照片中断信号转换为5位信号，并将LED转换为显示纸盒位置。
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公开(公告)号：KR1019920004776B1
公开(公告)日：1992-06-15
申请号：KR1019880017979
申请日：1988-12-30
Abstract: The accelarator is used for accelerating ion beam extracted from ion source to proper energy level in manufacturing semiconductor elements. The accelerator promotes to change clearance between electrodes in order to improves focusing effect of ion beam. The clearance is changed by inserting various thickness of rings or changing position of key groove for fixing electrode. Diameter of electrode is changed by providing inserting electrode at accerating electrode or attaching additional electrode to the electrode. Collimation focusing mode or cross focusing mode in ion optical system is optionally decided by changing diameter of accellerating electrode.
Abstract translation: 在制造半导体元件时，加速器用于将从离子源提取的离子束加速至适当的能级。 加速器促进改变电极之间的间隙，以改善离子束的聚焦效果。 通过插入各种厚度的环或改变固定电极的键槽的位置来改变间隙。 电极的直径通过在电极处设置插入电极或者将附加电极附接到电极来改变。 离子光学系统中的准直聚焦模式或交叉聚焦模式可选择通过改变加热电极的直径来决定。
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公开(公告)号：KR1019900000757B1
公开(公告)日：1990-02-15
申请号：KR1019870014273
申请日：1987-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C23C14/24
Abstract: A gas supply system for chemical vapour deposition under low pressure is used for depositing W and WSi2 on Si and GaAs base in process of semiconductor material manufacturing and gives a precise and safe way for the growth of film. The system has advantages of precise gas flow control by locating hydraulic valve for gas supply time control before mass-flow controller; safety; and easy maintenance of mass- flow controller by installing N2 inlet line, by-pass line, exhaust line, valves and heating tape.
Abstract translation: 在低压下进行化学气相沉积的气体供给系统用于在半导体材料制造过程中在Si和GaAs基底上沉积W和WSi2，为薄膜的生长提供了一种精确而安全的方法。 该系统具有精确的气体流量控制，通过在质量流量控制器之前定位液压阀供气时间控制; 安全; 并通过安装N2入口管路，旁路管线，排气管路，阀门和加热带，方便维护质量流量控制器。
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