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公开(公告)号：KR1020060059780A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020050047353
申请日：2005-06-02
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/3202 , H01L33/06 , H01S5/2009 , H01S2304/02
Abstract: 본 발명은 양자점의 광 방출 파장을 자유롭게 조절하기 위한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 반도체 소자 제조방법은 기판과 격자정합을 이루는 제1 장벽층을 성장시키는 성장 온도에서 상기 기판 상에 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 성장온도를 제1 온도로 낮추어 양자점을 성장시키는 단계; 상기 제1 장벽층 상에 상기 양자점과 적어도 부분적으로 접촉하며 상기 양자점의 이동을 억제하는 억제층을 성장시키는 단계; 상기 억제층 및 상기 양자점 상에 상기 제1 온도 보다 높은 제2 온도로 상기 기판과 격자정합을 이루는 제2 장벽층을 성장시키는 단계를 포함한다.
이에 따라, 반도체 소자의 활성층인 양자점의 광 방출 파장을 용이하게 조절할 수 있다.
양자점, 비소화인듐알루미늄갈륨, 상 분리-
公开(公告)号：KR100178490B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950052636
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/1053 , H01S5/183 , H01S5/18319 , H01S5/3205 , H01S5/3215 , H01S5/3406 , H01S5/34313 , H01S2301/173
Abstract: 갈륨비소(GaAs) 기판위에 알루미늄 비소(AlAs)와 갈륨비소(GaAs) 초격자거울(distributed Brag reflector)을 하단부에 성장시키고 그 위에 조성 그레이딩방법으로 인디움갈륨비소(InGaAs) 버퍼층을 성장시킨 후, 격자 부정합이 크나 전위없는 인디움 인(InP)층과 활성층인 인디움갈륨비소(InGaAs) 양자우물구조(quantum well)를 성장시키고 그 위에 인디움알루미늄비소(InAlAs)와 인디움갈륨비소(InGaAs) 초격자거울을 생성하는 방법이다.
하단부 거울은 굴절율 차이가 크며 열전도율이 매우 좋아 구조상 이상적이며 활성층과 상단부거울은 광자와 전자의 구속력이 좋고 굴절율 차이도 비교적 좋아 상단부로 레이징하기에 적합하며 상온 연속발진이 가능하다.-
公开(公告)号：KR100701127B1
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：KR1020050085194
申请日：2005-09-13
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 양자점 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 InP 기판 상에 상기 InP와 격자정합한 완충층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 완충층 상에, 서로 격자부정합이 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과, InAl(Ga)As 물질층 또는 In(Ga, Al, As)P 물질층을 순차적으로 교번하여 증착함으로써 In(Ga, Al)As 또는 In(Ga, Al,P)As 양자점을 형성한다. 이렇게 본 발명은 격자 부정합에 의한 자발 형성 방법과 교번 증착에 의한 교번 성장법을 동시에 이용하여 균일도가 우수한 양질의 양자점을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060067115A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020050043466
申请日：2005-05-24
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 형성되는 하부 클래딩층과, 상기 하부 클래딩층 상에 광도파층, 활성층, 상부 클래딩층 및 오옴 접촉층이 순차적으로 적층되어 이루어지며, 좌우의 채널 식각에 의해 형성된 소정 폭을 갖는 릿지와, 상기 릿지의 폭을 조절하기 위해 상기 상부 및 하부 클래딩층의 표면부에 형성되는 산화층과, 상기 릿지의 좌/우측 채널에 각각 형성되는 유전체층과, 상기 전체구조의 상부에 상기 릿지 및 상기 유전체층을 감싸도록 형성되는 상부 전극층과, 상기 기판의 하단에 형성되는 하부 전극층을 포함함으로써, 기존의 반도체 레이저 다이오드의 제작공정에 비해 간단하며, 습식 산화시간의 조절에 의해서 릿지의 폭을 자유롭게 조절할 수 있을 뿐만 아니라 자동으로 오옴 접촉면을 형성할 수 있는 효과가 있다.
반도체 레이저 다이오드, RWG, 산화층, 오옴 접촉층, 양자점, 릿지-
公开(公告)号：KR1020060064482A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050056053
申请日：2005-06-28
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04B10/40
Abstract: 자가 발진 통신 모듈을 제공한다. 본 발명은 광소자, 태양 전지 및 고주파 무선 통신 소자가 단일 집적된 자가 발진 통신 소자를 포함한다. 상기 광소자의 활성층을 In(Ga)As 양자점으로 구성하면, 800nm에서 1600nm에 이르는 넓은 대역폭의 통신 파장을 얻을 수 있고, 광변조 특성 또한 초당 20기가비트(Gbps) 이상의 고속 신호를 전달할 수 있다. 상기 태양 전지의 광흡수층으로 밴드갭이 실리콘에 비해 상대적으로 크면서 가시광 흡수 효율이 높은 InGa(Al)P 물질층으로 형성하여 작은 수광면적에서도 고효율의 전류생성이 가능하게 된다. 이에 따라, 본 발명은 태양 전지를 이용하여 극지나 사막과 같은 곳에서 외부 전원 장치가 없더라도 항상 동작이 가능함과 아울러 넓은 대역폭의 광통신 및 고주파 무선 통신이 가능하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040094052A
公开(公告)日：2004-11-09
申请号：KR1020030027986
申请日：2003-05-01
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for forming a quantum dot of a good quality by using a stress layer is provided to remarkably improve uniformity of an In(Ga)As quantum dot and greatly increase the intensity of light emission by sequentially forming a buffer layer and a thin InxGa1-xAs stress layer on an InP substrate and by forming the In(Ga)As quantum dot on the thin InxGa1-xAs stress layer. CONSTITUTION: A buffer layer(3) is formed on an InP substrate(1). An InxGa1-xAs stress layer(5) is formed on the buffer layer. The In(Ga)As quantum dot(7) is formed on the InxGa1-xAs stress layer.
Abstract translation: 目的：提供通过使用应力层形成质量良好的量子点的方法，以显着提高In（Ga）As量子点的均匀性，并且通过依次形成缓冲层和薄层来大大提高发光强度 In x Ga 1-x As应力层，并且通过在薄的In x Ga 1-x As应力层上形成In（Ga）As量子点。 构成：在InP衬底（1）上形成缓冲层（3）。 在缓冲层上形成In x Ga 1-x As应力层（5）。 In（Ga）As量子点（7）形成在In x Ga 1-x As应力层上。
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公开(公告)号：KR1020040055520A
公开(公告)日：2004-06-26
申请号：KR1020020082214
申请日：2002-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N21/63
Abstract: PURPOSE: A fiber module used for a PL measurement apparatus is provided to condense light without a lens by using a fiber mount and is provided to split light emitted from a sample without a conventional coupler or plural optical parts by using a bundle of fiber. CONSTITUTION: A fiber module used for a PL measurement apparatus includes a first adaptor, a second adaptor, and a third adaptor. The first adaptor transmits light generated from a laser to optical fiber. The second adaptor includes a part for projecting light transmitted on a measurement object and a part for condensing light. The third adaptor transmits the condensed light to a spectroscope(10). The first adaptor has a cylinder-type internal structure. The first adaptor allows light to be condensed to optical fiber without a lens. The second adaptor has a plurality of optical fiber. The third adaptor arranges a bundle of optical fiber as a line-type slit form.
Abstract translation: 目的：提供一种用于PL测量装置的纤维模块，通过使用光纤支架来冷凝没有透镜的光，并且通过使用一束光纤提供从普通耦合器或多个光学部件分离的样品发射的光。 构成：用于PL测量装置的纤维模块包括第一适配器，第二适配器和第三适配器。 第一适配器将从激光产生的光传送到光纤。 第二适配器包括用于投射在测量对象上传输的光的部分和用于聚集光的部分。 第三适配器将浓缩的光传输到分光镜（10）。 第一适配器具有圆筒型内部结构。 第一个适配器允许光线聚光到没有透镜的光纤上。 第二适配器具有多个光纤。 第三适配器布置一束光纤作为线型狭缝形式。
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公开(公告)号：KR1019970054264A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052646
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/12
Abstract: 본 발명은 격자부정합이 큰 이종박막 표면에 생기는 줄무늬 형태를 이용한 양자선 제작방법에 관한 것으로서, 특히 빗살무늬 자연적인 생성과정을 잘 선택하여 양자선 구조의 기본틀이 되는 V자형의 골이 파지고 산이 평평한 박막을 만드는 것이다.
인디움 갈륨비소박막의 줄무늬는 반원의 형태를 가지고, 갈륨비소 기판위에 성장할 때 성장온도를 고온에서 저온으로 점차적으로 내려 성장시키고, 인디움 조성은 그레이딩 방법으로 점차적으로 늘려 성장하고, 이 줄무늬를 가진 박막위에 생성하고, 또한 인디움 갈륨비소박막의 줄무늬는 M자의 형태를 가지고, 갈륨비소 기판위에 성장할 때 성장온도를 고온에서 저온으로 점차적으로 내려 성장시키고, 인디움 조성은 그레이딩 방법으로 점차적으로 늘려 성장하고, 이 줄무늬를 가진 박막위에 양자선을 생성하는 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970053234A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950052674
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 MOCVD 방법으로 반도체 이종구조를 성장함에 있어서 레이저를 이용한 실시간 분석장치를 사용하여 반도체에 도핑된 불순물의 농도를 실시간으로 알아내는 방법과 고핑으로 인한 성장조건의 변화중 성장속도의 시간에 따른 변화를 감지한 방법이다. 실시간 분석장치로 알아낸 성장중의 반사신호는 에피층오가 기판에서의 레이저 간섭신호에 의해 반사신호가 주기적 성향을 띠며, 에피층에 흡수가 있을 경우 반사신호의 진폭변화는 흡수계수에 의해 결정됨을 이용하고 흡수계수와 불순물농도의 관계를 이용하여 불순물의 농도를 계산할 수 있다. 또한 반사신호에 나타나는 개개의 피크를 독립적으로 분석하여 보면 시간에 따른 성장속도를 일일이 계산할 수 있는데 탄소도핑된 알루미늄비소층에서 성장속도의 시간에 따른 감속이 감지되었다.
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公开(公告)号：KR100777109B1
公开(公告)日：2007-11-19
申请号：KR1020060059134
申请日：2006-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 박막을 구성하는 원소를 포함하는 전구체들 간의 표면화학반응을 이용하여 저온에서 형성한 투명한 ZnO 박막을 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것으로, (a) 기판 상에 게이트 금속막을 증착하고, 포토리소그래피와 선택적 식각을 통해 게이트 전극을 형성하는 단계와, (b) 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 인슐레이터를 증착하는 단계와, (c) 상기 게이트 인슐레이터 상에 소오스/드레인용 금속막을 증착하고, 포토리소그래피와 선택적 식각을 통해 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계와, (d) 상기 소오스/드레인 전극 상에 원자층 증착법을 이용하여 ZnO 박막을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.
투명 트랜지스터, 휘어지는 트랜지스터, ZnO 반도체막, 원자층 증착법
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