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公开(公告)号：KR1019970052313A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052654
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 갈륨 비소 화합물 반도체 소자의 캡층과 금속 전극의 저항성 접촉 형성방법에 관한 것으로서, 상기 캡층을 상기 갈륨 비소와 격자 상수가 유사하여 격자 부정합이 발생되지 않고 불순물이 고농도로 도핑되는 저마늄으로 형성한다. 따라서, 본 발명은 고농도 도핑에 의한 결정성 및 물질의 특성의 저하를 방지할 수 있어 캡층의 접촉 저항을 감소시켜 소자의 성능을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970003750B1
公开(公告)日：1997-03-21
申请号：KR1019930027632
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/341 , B82Y20/00 , H01S5/2081 , H01S5/3432 , H01S2304/02 , Y10S438/962
Abstract: (a) The n+ GaAs layer, the crading layer, the n-type energy band inclined layer, the i-AlAs layer, the i-GaAs layer and the first photoresist film is formed on the GaAs substrate sequently. (b) After the appointed part of the first photoresist film is removed, the fine gap is formed in the i-GaAs layer, then, the first photoresist film is removed. (c) The i-GaAs layer is used to the image mask by etching the appointed part of the i-GaAs layer. (d) The multiquantum well is formed on the i-GaAs layer and the quantum fine beam is formed on the n-type energy band inclined layer through MBE method. (e) The i-AlAs layer, the i-GaAs layer and the multiquantum well is removed by etchant. (f) After the p-type energy band inclined layer, the p-type crading layer, the p+ GaAs layer and the second photoresist film layer is formed, then the photoresist film layer which left over etching is formed. (g) Until n+ GaAs layer is left, the formed layer is etched through the photoresist film, then, this photoresistis film removed. (h) The etching process is simplified by forming each n-type metal(14), p-type metal(5) on the n+ GaAs layer, p+ GaAs layer.
Abstract translation: （a）在GaAs衬底上依次形成n + GaAs层，悬垂层，n型能带倾斜层，i-AlAs层，i-GaAs层和第一光致抗蚀剂膜。 （b）在除去第一光致抗蚀剂膜的指定部分之后，在i-GaAs层中形成微细间隙，然后除去第一光致抗蚀剂膜。 （c）通过蚀刻i-GaAs层的指定部分，将i-GaAs层用于图像掩模。 （d）在i-GaAs层上形成多量子阱，通过MBE法在n型能带倾斜层上形成量子精细光束。 （e）通过蚀刻剂除去i-AlAs层，i-GaAs层和多量子阱。 （f）在p型能带倾斜层之后，形成p型层状层，p + GaAs层和第二光致抗蚀剂膜层，形成残留在蚀刻后的光致抗蚀剂膜层。 （g）直到n + GaAs层残留，通过光致抗蚀剂膜蚀刻形成的层，然后去除该光致抗蚀剂膜。 （h）通过在n + GaAs层，p + GaAs层上形成n型金属（14），p型金属（5）来简化蚀刻工艺。
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公开(公告)号：KR1019960000382B1
公开(公告)日：1996-01-05
申请号：KR1019920025012
申请日：1992-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/70
Abstract: forming the first conduction type InGaAs layer(6), the first conduction type InGaAs layer(5), the second conduction type InGaAs layer(4), AlAs layer with width of fifty to seventy angstrom on the first conduction type In substrate(7) in the usual order; forming an emitter electrode(8) on top of the InGaAs layer(1); etching from the emitter electrode to InAlAs layer(2) by exposing the AlAs layer(3); etching the exposed part of AlAs layer(3) by exposing the InGaAs layer(4);; forming a collector electrode on the exposed InGaAs layer(5); and etching from the collector electrode to the InGaAs layer(6) by exposing the substrate.
Abstract translation: 在第一导电型In衬底（7）上形成宽度为五十到七十埃的第一导电型InGaAs层（6），第一导电型InGaAs层（5），第二导电型InGaAs层（4），AlAs层， 按照通常的顺序; 在所述InGaAs层（1）的顶部上形成发射极（8）; 通过暴露AlAs层（3）从发射极蚀刻到InAlAs层（2）; 通过暴露InGaAs层（4）来蚀刻AlAs层（3）的暴露部分; 在所述暴露的InGaAs层（5）上形成集电极; 以及通过使基板曝光从集电极到InGaAs层（6）的蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100082489B1
公开(公告)日：1995-02-17
申请号：KR1019910024511
申请日：1991-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L29/778
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公开(公告)号：KR1019990043094A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064080
申请日：1997-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
에피택셜장치용 덧붙임 뭉치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 요지
본 발명은 어댑터에 주름벽을 장착하여 원료교체나 부분품 수리시 진공챔버내의 전체적인 진공을 유지하면서 도가니 부분의 국부적 진공만을 파괴하여 장비의 오염과 상태 회복의 시간을 극소화 할 수 있는 에피택셜장치용 덧붙임 뭉치를 제공함에 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 진공챔버의 입구측 플랜지에 장착되어 진공을 유지하고 도입하기 위해 개폐되는 수단; 상기 개폐수단과 도가니의 플랜지 사이에서 국부적진공만을 제거하기 위해 신장 및 수축하는 수단; 및 상기 신장 및 수축수단의 이동을 안내하는 수단을 포함하는 에피택셜장치용 덧붙임 뭉치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
진공챔버의 전체진공을 제거하지 않고도 부분품을 쉽게 분해조립하기 위한 것임.-
公开(公告)号：KR100148035B1
公开(公告)日：1998-11-02
申请号：KR1019940023879
申请日：1994-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체소자를 제조할 때 건식식각공정에서 식각 잔유물을 효율적으로 제거하기 위하여 공정 중 기판에 초음파를 인가하여 소자의 기능을 살리고 수율을 향상시키기 위하여 식각 공정중인 기판에 초음파를 인가하는 방법 및 그 장치를 제공한다.
본 발명은 상술한 작용으로 반도체 제조공정시 건식식각공정에서 발생하는 잔유물인 폴리머를 식각표면으로부터 초음파를 이용하여 효율적으로 제거하여 기존의 공정에서 제거하기 어려워 소자의 실패의 원인이었던 것을 공정 중에 동시에 제거하므로써 소자의 기능을 원활히 할 수 있어서 소자의 수율을 증대할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980043739A
公开(公告)日：1998-09-05
申请号：KR1019960061698
申请日：1996-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/775
Abstract: 본 발명은 2차원 전자 가스 층을 유한한 곳에 국한시킬 수 있는 구조를 제공하여 전자 가스를 효과적으로 제어할 수 있고, 소자의 전기적 특성을 향상 시킬 수 있는 단 전자 트랜지스터(Single Electron Transistor) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 통상적으로 사용되는 단 전자 트랜지스터의 구조에서 기판과 전자 공급층 사이에 저온 성장 완충층 및 고온 성장 완충층을 적층하여 이중으로 완충층을 형성하는 것에 관한 것이다. 여기서 저온 성장 완충층은 단전자 트랜지스터를 에피택셜 방법에 의해 성장할 때 기판 위에 처음으로 섭씨 400도 이하에서 도핑하지 않은 갈륨 비소로 성장하고 그 후 비소 분위기에서 섭씨 600도 이상으로 가열하여 재결정화하여 었을 수 있다. 이렇게 하여 얻은 완충층의 성질은 고 저항성 특성을 가지므로, 단전자 트랜지스터의 구조에서 완충층에 형성된 전자 가스층에 제어 전압을 인가할 때 전자층의 확산을 효과적으로 차폐할 수 있어서 소자의 제어성을 향상 시킬 수 있고 동작 범위를 명확히 할 수 있는 특성을 갖는다.
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公开(公告)号：KR100141339B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940010640
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 알루미늄 갈륨비소의 불순물 초핑층(chopping layer)을 갖는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 에피기판 구조에 관한 것으로서, 종래의 갈륨비소의 반 절연성 기판(1) 위에 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브 콜렉터층(2), 저농도로 도핑된 갈륨비소의 콜렉터층(3), 갈륨비소의 베이스층(4), 알루미늄 갈륨비소의 에미터층(5) 및 갈륨비소의 캡층(6)을 순차로 형성한 에피기판 구조에서 상기 갈륨비소의 반절연성 기판(1)과 상기 고농도로 도핑된 갈륨비소의 서브 콜렉터층(2) 사이에 누설전류를 제거하기 위한 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초격자층(7)을 삽입하고, 상기 갈륨비소의 베이스층(4) 대신에 알루미늄 갈륨비소와 갈륨비소의 초핑층(8)을 삽입하므로써 고주파 특성을 좋게하고, 누설전류의 원인이되고 있는 탄소오염 경계면의 효과를 차폐하 므로서 고효율의 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 제작할 수 있다.
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