公开(公告)号：KR1020100126179A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020100016905

申请日：2010-02-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  임정욱 ,  장문규

IPC: H01L35/00 ,  H01L37/00

CPC classification number: H01L35/32 ,  H01L35/02 ,  H01L35/14 ,  H01L35/34

Abstract: PURPOSE: A thermal component and a manufacturing method thereof using the radiant heat as the heat source are provided to implement the thermal component of high efficiency by maximizing the heat absorption efficiency of a heat absorption layer and the heat radiation efficiency of a heat radiation layer. CONSTITUTION: A heat absorption layer(220) absorbing the radiant heat is formed on the top of a substrate(210). A leg(230) transfers the heat absorbed through a heat absorbing layer to a heat radiation layer(240). The heat radiation layer emits the heat which it is transmitted from the leg to outside.

Abstract translation: 目的：提供使用辐射热作为热源的热成分及其制造方法，通过使吸热层的吸热效率和散热层的散热效率最大化，实现高效率的热分量。 构成：吸收辐射热的吸热层（220）形成在衬底（210）的顶部上。 腿（230）将通过吸热层吸收的热量传递到散热层（240）。 散热层发射从腿部向外部传递的热量。

公开(公告)号：KR100734854B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050117265

申请日：2005-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  김현탁 ,  채병규 ,  김봉준 ,  강광용

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 균일한 표면과 안정된 조성을 가진 대면적의 바나듐이산화물 박막의 제조방법을 제공한다. 그 방법은 바나듐-유기금속화합물 가스를 챔버에 주입하여, 바나듐-유기금속화합물 분자가 기판의 표면에 포화흡착된 흡착물을 형성한다. 그후, 챔버에 산소-전구체를 주입하여, 상기 흡착물과 표면포화반응(surface saturation reaction)시켜 바나듐이산화물 박막을 제조한다.
바나듐산화물, 박막, 대면적, 표면포화반응

公开(公告)号：KR100734830B1

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050048868

申请日：2005-06-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  윤두협 ,  채병규 ,  강광용 ,  김봉준 ,  이용욱 ,  윤선진 ,  임정욱 ,  김경옥 ,  맹성렬

IPC: H01M2/34

CPC classification number: H01M2/34 ,  H01M2/348 ,  H01M10/052 ,  H01M10/443 ,  H01M2200/00 ,  H01M2200/106

Abstract: 전지가 폭발하는 것을 지연시키거나 방지할 수 있는 전하방전수단을 구비하는 리튬 2차전지에 대해 개시한다. 그 리튬 2차전지는 전지 본체와 병렬적으로 배치된 전하방전수단을 구비하며, 상기 전하방전수단은 리튬 2차전지 본체의 양극에 연결된 제1 전극과, 리튬 2차전지 본체의 음극에 연결된 제2 전극 및 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되며, 특정 온도 이상에서 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층을 포함한다. 전하방전수단을 구비한 리튬 2차전지는 급격한 전하방전을 일으키는 전하방전물질층, 예컨대 급격한 MIT 물질막을 사용하여 충전된 전하량을 갑자기 방전시켜서 전지의 폭발을 방지하거나 지연시킬 수 있다.
리튬 2차전지, 전하방전수단, 급격한 MIT 물질막

公开(公告)号：KR100670804B1

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020050012453

申请日：2005-02-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  고영욱 ,  이진호

IPC: H05B33/04

Abstract: 본 발명은 습기 및 산소와 접촉하여 빠른 속도로 열화되는 특성을 가진 유기 발광다이오드, 유기물 트랜지스터 등의 유기물 소자에 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 종래에는 기판이나 유기물 소자의 보호막을 형성하는 공정에서 높은 공정 온도나 플라즈마에 의해 열에 약한 기판이 변형되거나 유기물 소자가 열화/파괴되는 문제가 있다. 본 발명에서는 짧은 펄스형 플라즈마를 이용한 박막 증착법으로 무기 박막을 형성하여 보호막을 형성한다. 플라즈마를 이용하므로 유기물이 변성되지 않을 정도의 매우 낮은 온도에서 박막 증착을 수행할 수 있으며, 펄스형 플라즈마를 이용하므로 플라즈마에 의한 열화를 최소화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060093266A

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：KR1020050111882

申请日：2005-11-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김현탁 ,  강광용 ,  채병규 ,  김봉준 ,  윤선진 ,  이용욱 ,  김경옥 ,  윤두협 ,  임정욱

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L27/0248

Abstract: 정격표준전압 이상의 고주파수 잡음이 전기전자시스템의 전원 라인 혹은 신호라인을 타고 들어올 때 상기 잡음을 효과적으로 제거할 수 있는 급격한 MIT 소자를 이용한 전기전자시스템 보호회로 및 그 보호회로를 포함한 전기전자시스템을 개시한다. 그 전기전자시스템 보호회로는 잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬 연결되는 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition:MIT) 소자를 포함한다. 전기전자시스템 보호회로는 정격표준전압 이상의 전압이 인가될 때 발생하는 잡음전류의 대부분을 급격한 MIT 소자 쪽으로 바이패스(bypass) 시킴으로써, 전기전자시스템을 보호한다.
금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 보호회로

公开(公告)号：KR1020060064985A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020040103686

申请日：2004-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 배성범 ,  윤선진 ,  임정욱

IPC: H01L21/318 ,  H01L33/12 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L2933/0033

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 소정 두께의 Al
x O
y N
z (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1) 완충층을 증착하는 단계와, 열처리를 수행한 후 소정 두께의 단결정 반도체층을 성장하는 단계를 포함함으로써, 종래의 저온 GaN 및 AlN 층을 이용한 성장법에 비해 ALE로 성장된 완충층의 조성 및 밀도 제어를 통하여 기판과의 격자 부정합 및 열팽창계수 차이를 감소시켜 질화물 반도체의 특성을 높일 수 있는 효과가 있다.
질화물 반도체, 사파이어 기판, 원자층 에피택시(ALE), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD), 완충층, 단결정 반도체층

公开(公告)号：KR1020060041963A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020050012453

申请日：2005-02-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  고영욱 ,  이진호

IPC: H05B33/04

CPC classification number: H01L51/5237 ,  H01L21/02274 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/12044

Abstract: 본 발명은 습기 및 산소와 접촉하여 빠른 속도로 열화되는 특성을 가진 유기 발광다이오드, 유기물 트랜지스터 등의 유기물 소자에 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 종래에는 기판이나 유기물 소자의 보호막을 형성하는 공정에서 높은 공정 온도나 플라즈마에 의해 열에 약한 기판이 변형되거나 유기물 소자가 열화/파괴되는 문제가 있다. 본 발명에서는 짧은 펄스형 플라즈마를 이용한 박막 증착법으로 무기 박막을 형성하여 보호막을 형성한다. 플라즈마를 이용하므로 유기물이 변성되지 않을 정도의 매우 낮은 온도에서 박막 증착을 수행할 수 있으며, 펄스형 플라즈마를 이용하므로 플라즈마에 의한 열화를 최소화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100496265B1

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1020020075213

申请日：2002-11-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  윤선진 ,  이진호

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45542

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 박막 형성 및 그 제어 방법에 관한 것으로, 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)과 플라즈마 인가 원자층 증착법(Plasme Enhanced Atomic Layer Deposition; PEALD)을 교대로 실시하면서 박막을 형성하되 실시 비율을 조절하여 박막의 증착 속도, 조밀도 및 이와 관련된 굴절율, 유전상수, 전기저항 등의 물리적 특성을 예측 및 제어할 수 있는 반도체 소자의 박막 형성 및 그 제어 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR100494843B1

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：KR1020020067488

申请日：2002-11-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  윤선진

IPC: C09K11/84

Abstract: 본 발명은 란탄족 이온의 농도 분포를 조절하여 형광층의 휘도와 색도를 조절하고, 형광층의 결정성을 증대시키는데 적합한 란탄족 이온이 도핑된 2족 금속황화물 형광층의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 란탄족 이온이 도핑된 2족 금속황화물의 제조 방법은 2족 원소의 전구체 주입, 퍼지, H
2 S 주입 및 퍼지의 순서로 이루어지는 사이클을 반복진행하여 2족 금속황화물 모재료를 증착하는 단계, 란탄족 이온의 전구체 주입, 퍼지, H
2 S 주입 및 퍼지의 순서로 이루어지는 사이클을 반복진행하여 란탄족 황화물을 증착하는 단계, 원자층증착법으로 상기 2족 금속황화물 모재료를 증착하기 위한 사이클과 상기 란탄족 황화물을 증착하기 위한 사이클을 여러번 반복 진행하여 란탄족 이온이 도핑된 2족 금속황화물을 증착하되, H
2 S 주입시 또� � 주입후에 플라즈마를 동작시키며, 산소 플라즈마를 이용해 초박막 산화막을 형광층 내에 삽입하여 란탄족 원소의 농도 분포를 조절하여 궁극적으로 형광체의 휘도와 색도를 조절하고, 나가서 실시간으로 플라즈마를 선택적으로 첨가 혹은 처리하여 란탄족 이온의 이동도를 향상시키며 박막의 결정성을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050028980A

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：KR1020030064960

申请日：2003-09-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  윤선진 ,  이진호

IPC: H05B33/22

CPC classification number: H05B33/145 ,  H05B33/22 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/2495

Abstract: An inorganic thin film electroluminescent device and a manufacturing method thereof are provided to realize insulating films by using a PEALD(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) method that uses a reaction gas with nitrogen and oxygen, and to use a multilayer insulating film consisting of high dielectric films and low dielectric films, thereby realizing high stability and high performance. At least one of lower insulating films(1200) and upper insulating films(1400) is a multilayer insulating film consisting of low dielectric films(1210,1420) and high dielectric films(1220,1410) contacted with a fluorescent substance(1300). An inorganic thin film electroluminescent device operates by electrons, which are trapped on interfaces of the fluorescent substance(1300) and the insulating films(1200,1400) and are excited while colliding with the fluorescent substance(1300) by being accelerated with electric fields.

Abstract translation: 提供无机薄膜电致发光器件及其制造方法，通过使用使用具有氮和氧的反应气体的PEALD（等离子体增强原子层沉积）方法来实现绝缘膜，并且使用由高电介质组成的多层绝缘膜 膜和低介电膜，从而实现高稳定性和高性能。 下绝缘膜（1200）和上绝缘膜（1400）中的至少一个是由低介电膜（1210,1420）和与荧光物质（1300）接触的高介电膜（1220,1410）组成的多层绝缘膜。 无机薄膜电致发光器件由电子操作，电子被俘获在荧光物质（1300）和绝缘膜（1200,1400）的界面上，并通过用电场加速与荧光物质（1300）碰撞而被激发。