公开(公告)号：KR100592735B1

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020040093330

申请日：2004-11-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  임종원 ,  장우진 ,  지홍구 ,  안호균 ,  김해천

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/7785

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반절연 기판 상에 완충층, 제1 실리콘 도핑층, 제1 전도층, 상기 제1 실리콘 도핑층과 다른 도핑 농도를 가지는 제2 실리콘 도핑층 및 제2 전도층이 순차적으로 적층된 에피 기판과, 상기 제1 실리콘 도핑층의 소정 깊이까지 침투되도록 상기 제2 전도층의 양측 상에 형성되어 오믹 접촉을 형성하는 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 제2 전도층 상에 형성되어 상기 제2 전도층과 콘택을 형성하는 게이트 전극을 포함함으로써, 격리도의 증가와 스위칭 속도를 증가시킬 수 있으며, 게이트 턴-온 전압의 증가, 항복전압의 증가 및 수평전도성분의 감소로 인하여 스위치 소자에 인가되는 최대 전압 한계값을 증가시켜 스위치 장치의 전력수송능력의 개선에 따른 고전력 저왜곡 특성 및 격리도의 증가를 기대할 수 있는 효과가 있다.
화합물 반도체 소자, 삽입손실, 격리도, 고전력 스위치, 저왜곡 스위치, 저손실 스위치, 고속스위치

Abstract translation: 晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及一种半导体器件的晶体管及其制造方法，特别是涉及一种具有缓冲层，第一硅掺杂层，第一导电层， 第二导电层，形成在所述第一导电层上并且包括依次堆叠在所述第一导电层上的第一硅掺杂层和第二导电层;源电极和漏极，形成在所述第二导电层的两侧上， 并且在源电极和漏电极之间的第二导电层上形成的栅电极与第二导电层形成接触，从而增加了隔离度并提高了开关速度， - 由于导通电压的增加，击穿电压的增加和水平导通分量的减小，增加施加到开关元件的最大电压限制， 随着功率传输能力的提高，高功率低失真特性和隔离度可望增加。

公开(公告)号：KR1020130123289A

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：KR1020120124823

申请日：2012-11-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노윤섭 ,  염인복 ,  장동필 ,  지홍구

IPC: H03F1/07 ,  H03F3/68

CPC classification number: H03F1/0288 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/602 ,  H03F2200/541 ,  H03F2200/543

Abstract: An RF power amplifier according to an embodiment of the present invention is easily applied in an array antenna system and has high efficiency characteristics. In the embodiment, provided is a compact RF power amplifier made up of a Doherty amplifier comprising: a carrier amplifier including a first input impedance matching unit which matches input impedance of a first RF signal, a first amplify unit which amplifies the first RF signal matched by the first input impedance matching unit, to a first amplified RF signal, and a first output impedance matching unit which matches output impedance of the first amplified RF signal; and a peak amplifier including a second input impedance matching unit which matches input impedance of a second RF signal, a second amplify unit which amplifies the second RF signal matched by the second input impedance matching unit, to a second amplified RF signal, and a second output impedance matching unit which matches output impedance of the second amplified RF signal, wherein the peak amplifier outputs the second amplified RF signal when a power level of the first amplified RF signal reaches a set power level. [Reference numerals] (100) Distributor;(230) First input impedance matching unit;(240) First amplifier;(250) First output impedance matching unit;(270) Second input impedance matching unit;(280) Second amplifier;(290) Second output impedance matching unit;(320) First transformer;(360) Second transformer

Abstract translation: 根据本发明实施例的RF功率放大器易于应用于阵列天线系统中并具有高效率特性。 在本实施例中，提供了一种由Doherty放大器组成的紧凑型RF功率放大器，包括：载波放大器，包括与第一RF信号的输入阻抗匹配的第一输入阻抗匹配单元，放大第一RF信号匹配的第一放大单元 通过第一输入阻抗匹配单元耦合到第一放大RF信号和匹配第一放大RF信号的输出阻抗的第一输出阻抗匹配单元; 以及峰值放大器，包括与第二RF信号的输入阻抗匹配的第二输入阻抗匹配单元，将由第二输入阻抗匹配单元匹配的第二RF信号放大到第二放大RF信号的第二放大单元， 输出阻抗匹配单元，其匹配第二放大RF信号的输出阻抗，其中当第一放大RF信号的功率电平达到设定功率电平时，峰值放大器输出第二放大RF信号。 （100）分配器;（230）第一输入阻抗匹配单元;（240）第一放大器;（250）第一输出阻抗匹配单元;（270）第二输入阻抗匹配单元;（280）第二放大器;（290 ）第二输出阻抗匹配单元;（320）第一变压器;（360）第二变压器

公开(公告)号：KR1020120066985A

公开(公告)日：2012-06-25

申请号：KR1020100128362

申请日：2010-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 지홍구 ,  정진철

IPC: H01P3/08

CPC classification number: H01P3/081 ,  H01P3/121 ,  H01P11/003

Abstract: PURPOSE: A micro-strip transmission line structure and a manufacturing method thereof are provided to enhance degree of integration by shortening the electrical length of a transmission line and to offer MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits). CONSTITUTION: An active device or a passive device is formed on a semiconductor substrate. A dielectric layer is formed into silicon nitride based material in order to cover the active device or the passive device. A transmission line is formed at the ceiling surface of the dielectric layer. The transmission line is grounded to via hole.

Abstract translation: 目的：提供微带传输线结构及其制造方法，以通过缩短传输线的电长度并提供MMIC（单片微波集成电路）来提高集成度。 构成：在半导体衬底上形成有源器件或无源器件。 介电层形成为氮化硅基材料以覆盖有源器件或无源器件。 传输线形成在电介质层的顶表面。 传输线接地到通孔。

公开(公告)号：KR101066601B1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：KR1020080118554

申请日：2008-11-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김해천 ,  강동민 ,  지홍구 ,  안호균 ,  문재경 ,  임종원 ,  장우진 ,  김동영 ,  이상흥 ,  유현규 ,  남은수

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/772

Abstract: 본 발명은 부정형 고전자이동도 트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 소자를 포함하는 파워 앰프에 관한 것으로, 에피 기판 상에 소오스 및 드레인을 형성하고, 상기 에피 기판을 건식법 및 습식법을 포함하는 게이트 리세스 에칭하여 리세스 영역을 형성하고, 상기 리세스 영역에 게이트를 형성하는 것을 포함하는 방법으로 부정형 고전자이동도 트랜지스터 소자를 제조하는 것을 특징으로 한다.
화합물 반도체 소자, PHEMT, 파워 앰프, 네가티브 피드백 회로

公开(公告)号：KR100976626B1

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：KR1020080021063

申请日：2008-03-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 지홍구 ,  김해천 ,  유현규

IPC: H01P5/10

Abstract: 본 발명은 광대역의 수율이 좋은 3D 구조의 광대역 발룬에 관한 것으로서, 일정 간격을 두고 형성된 제1 신호선과 제3 신호선 및 상기 제1 신호선과 상기 제3 신호선을 커플링하는 제1 커플러를 갖는 제1 회로; 및 일정 간격을 두고 형성된 제2 신호선과 제4 신호선 및 상기 제2 신호선과 상기 제4 신호선을 커플링하는 제2 커플러를 갖는 제2 회로를 포함하며, 상기 제1 회로 및 상기 제2 회로는 서로 대칭되는 구조로 형성되고, 상기 제1 신호선과 상기 제2 신호선 사이에 형성된 연결선에 의해 서로 연결함으로써, 기존의 발룬보다 집적도 및 수율이 좋고, 간단하게 3D 구조의 광대역 발룬을 구현할 수 있으므로 집적회로 설계 및 제작을 용이하게 할 수 있다.
광대역 발룬, 3D, 커플링, 신호선, 포트, CMOS.

公开(公告)号：KR100942698B1

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：KR1020070126841

申请日：2007-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안호균 ,  임종원 ,  지홍구 ,  장우진 ,  문재경 ,  김해천 ,  유현규

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 본 발명은 다층의 금속 배선 제조 방법에 관한 것으로서, 다층의 감광막을 이용한 리소그라피 공정과, 감광막과 절연막의 식각선택비를 이용하여 절연막 위에 다층의 금속 배선을 형성함으로써, 비아 홀(Via-Hole)과 배선 금속 증착을 위한 리소그라피 공정을 별도로 진행하지 않고, 한 번의 리소그라피 공정으로 진행할 수 있으며, 한 번의 노광을 통해 패턴이 형성됨으로써 오 정렬의 가능성을 줄일 수 있으며, 보다 간단하고, 안정적으로 다층의 금속 배선을 제작할 수 있다.
반도체 기판, 다층의 금속 배선, 다층의 감광막, 오믹금속층, 절연막, 감광막 패턴, 식각 공정, 리프트 오프 공정, 식각마스크.

公开(公告)号：KR1020090058730A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：KR1020070125466

申请日：2007-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임종원 ,  안호균 ,  지홍구 ,  장우진 ,  문재경 ,  김해천 ,  유현규

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L21/28114

Abstract: A semiconductor device with a T-type gate electrode and a manufacturing method thereof are provided to improve a characteristic of high frequency and to stabilize the device by forming a protection layer in a side of a support part of the T-type gate electrode. A source electrode and a drain electrode are formed in an upper part of a substrate(201). A T-type gate electrode(211) is formed in the upper part of the substrate. The T-type gate electrode has a support part and a head part with a regular area. The support part is in contact with the substrate. The head part is integrated with the support part. A first protection layer(203) is formed in the side of the support part of the T-type gate electrode. A second protection layer(208) is formed in the side of the source and drain electrodes and the first protection layer.

Abstract translation: 提供具有T型栅电极的半导体器件及其制造方法，以通过在T型栅电极的支撑部分的侧面形成保护层来提高高频特性并稳定器件。 源电极和漏电极形成在衬底（201）的上部。 在基板的上部形成有T型栅电极（211）。 T型栅极具有支撑部和具有规则面积的头部。 支撑部与基板接触。 头部与支撑部分集成。 第一保护层（203）形成在T型栅电极的支撑部分的侧面。 第二保护层（208）形成在源极和漏极以及第一保护层的侧面。

公开(公告)号：KR1020080052301A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：KR1020070086662

申请日：2007-08-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 지홍구 ,  김해천 ,  유현규

IPC: H03D7/12 ,  H03D7/00

Abstract: A sub harmonic mixer is provided to improve an isolation characteristic of a radio frequency signal and a two times local oscillator at a radio frequency input terminal by inserting a circuit having a phase difference of 180 degrees into a local oscillator terminal and a radio frequency terminal. A sub harmonic mixer includes a mixer core unit(110), a power unit(VCC), a radio frequency port(RF port), a local oscillation port(LO port), a first phase delay circuit(120), and a second phase delay circuit(122). The mixer core unit has first and second transistors which perform a switching operation by a local oscillation signal and a radio frequency signal. The power unit applies a bias for maximizing non-linearity of the transistors included in the mixer core unit. The radio frequency port applies a radio frequency to the mixer core unit. The local oscillation port applies a local signal to the mixer core unit. The first phase delay circuit and the second phase delay circuit have a phase difference of 180 degrees of the radio frequency applied to the first and second transistors.

Abstract translation: 提供了一种副谐波混频器，通过将具有180度相位差的电路插入本地振荡器端子和射频终端来提高射频信号的隔离特性和射频输入端的两倍的本地振荡器。 子谐波混频器包括混频器核心单元（110），功率单元（VCC），射频端口（RF端口），本地振荡端口（LO端口），第一相位延迟电路（120）和第二 相位延迟电路（122）。 混频器核心单元具有通过本地振荡信号和射频信号执行开关操作的第一和第二晶体管。 功率单元施加用于最大化混频器核心单元中包括的晶体管的非线性的偏置。 射频端口向混频器核心单元施加射频。 本地振荡端口将本地信号施加到混频器核心单元。 第一相位延迟电路和第二相位延迟电路具有施加到第一和第二晶体管的射频的180度的相位差。

公开(公告)号：KR100768060B1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：KR1020060041854

申请日：2006-05-10

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장우진 ,  문재경 ,  김해천 ,  임종원 ,  지홍구 ,  안호균

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/088

Abstract: 본 발명은 리액턴스 성분을 보상한 연결 구조를 갖는 전력소자에 관한 것으로서, 고주파 전력증폭기용으로 사용되는 전력소자를 높은 전력을 출력할 수 있도록 여러 개의 트랜지스터를 병렬로 연결하여 사용할 때 연결에 사용되는 전송선들에 의해 발생하는 위상차를 일으키는 리액턴스 성분을 보상하고 높은 출력전력으로 인해 발생하는 열을 접지로 보내 발열하도록 하여 트랜지스터가 열에 의한 특성이 열화되는 것을 최소화하도록 트랜지스터를 배치 및 연결하기 위한 전력소자를 제작하기 위한 것이다.
리액턴스, 트랜지스터, 고주파 전력증폭기, 전력소자

公开(公告)号：KR100616311B1

公开(公告)日：2006-08-28

申请号：KR1020050061301

申请日：2005-07-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  지홍구 ,  안호균 ,  김해천

IPC: H01L29/80

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반절연 기판 상에 완충층, 제1 실리콘 도핑층, 제1 전도층, 상기 제1 실리콘 도핑층과 다른 도핑 농도를 가지는 제2 실리콘 도핑층 및 제2 전도층이 순차적으로 적층된 에피 기판과, 상기 제1 실리콘 도핑층의 소정 깊이까지 침투되도록 상기 제2 전도층의 양측 상에 형성되어 오믹 접촉을 형성하는 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 제2 전도층 상에 형성되어 상기 제2 전도층과 콘택을 형성하는 게이트 전극이 포함되되, 상기 게이트 전극과 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극간에는 절연막에 의해 전기적으로 절연되며, 상기 게이트 전극의 상부가 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 중 적어도 하나에 소정부분 중첩되어 형성됨으로써, 게이트 턴-온 전압의 증가, 항복전압의 증가 및 수평전도성분의 감소로 인하여 스위치 소자에 인가되는 최대전압한계값을 증가시켜 스위치 장치의 파워수송능력의 개선에 따른 고전력 저왜곡 특성 및 격리도의 증가를 기대할 수 있는 효과가 있다.
반도체 소자, 삽입 손실, 게이트 전극, 저손실 스위치, 고속 스위치