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公开(公告)号：KR100301242B1
公开(公告)日：2001-09-06
申请号：KR1019980052018
申请日：1998-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J31/15
Abstract: 본 발명은 전계 방출 디스플레이 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전계 방출 디스플레이 장치는 서로 평행하게 진공 패키징된 상판과 하판을 구비하는 전계 방출 디스플레이 장치에 있어서, 상기 하판은 절연성 기판상에 형성되는 전계 에미터 어레이와, 상기 전계 에미터 어레이의 에미터 전극과 접속된 드레인을 가진 콘트롤 박막 트랜지스터와, 상기 콘트롤 박막 트랜지스터의 게이트 전극 전극에 접속된 드레인을 가진 어드레싱 박막 트랜지스터로 구성된 픽셀이 행열 형태로 다수개 배열되게 이루어지며, 상기 콘트롤 박막 트랜지스터를 소오스와 게이트 전극간에 큰 기생용량을 가지도록 설계함으로써, 메모리 기능을 갖는 액티브 매트릭스 디스플레이 구동이 가능할 뿐만 아니라 종래의 복잡한 메모리 캐패시터 제작공정을 제거할 수 있어 패널의 제작 공정을 매우 단순화시킬 수 있고 또한 픽셀� � 개구율을 크게 증가시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서는 기판으로 종래의 단결정 실리콘 웨이퍼 대신에 유리를 사용하기 때문에 대면적의 패널을 값싸게 제조할 수 있을 뿐만 아니라 전계 방출 디스플레이 제작에 필수적인 진공패키징을 용이하게 할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020130068448A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：KR1020110135622
申请日：2011-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/382
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode is provided to form a transparent electrode with a graphene, thereby improving transmission efficiency in all regions including the infrared region. CONSTITUTION: A current diffusion layer is disposed on a P-type semiconductor layer. A transparent electrode(110) is disposed on the current diffusion layer. The transparent electrode is made with graphene. A P-type electrode(114) is disposed on the transparent electrode. An N-type electrode(116) is disposed on an N-type semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供发光二极管以形成具有石墨烯的透明电极，从而提高包括红外区在内的所有区域的透射效率。 构成：电流扩散层设置在P型半导体层上。 透明电极（110）设置在电流扩散层上。 透明电极由石墨烯制成。 P型电极（114）设置在透明电极上。 N型电极（116）设置在N型半导体层上。
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公开(公告)号：KR1020130007019A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110062935
申请日：2011-06-28
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01Q15/0086 , Y10S977/734 , H01L29/1606
Abstract: PURPOSE: A metal material active device and a manufacturing method thereof are provided to improve the flexibility of polymer by insulating metal material metal patterns by dielectric layers. CONSTITUTION: A bottom electrode(30) is formed on a first dielectric layer. A second dielectric layer is formed on the bottom electrode. Metal material patterns(40) are formed on the second dielectric layer. A coupling layer(50) is formed on the second dielectric layer and the metal material patterns. A third dielectric layer is formed on the coupling layer.
Abstract translation: 目的：提供一种金属材料活性元件及其制造方法，以通过绝缘层将金属材料金属图案绝缘化而提高聚合物的柔性。 构成：底部电极（30）形成在第一电介质层上。 在底部电极上形成第二电介质层。 金属材料图案（40）形成在第二电介质层上。 在第二电介质层和金属材料图案上形成耦合层（50）。 在耦合层上形成第三电介质层。
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公开(公告)号：KR1020110062908A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090119776
申请日：2009-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 최성율
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/00 , H01L27/24 , H01L45/04 , G11C13/0004 , H01L27/2463
Abstract: PURPOSE: A resistive memory device and a method for manufacturing the same are provided to reduce the generation of errors in a program/erasing operation by preventing the overlap of parallel conductive lines in adjacent layers. CONSTITUTION: A plurality of parallel first conductive lines(7) is expanded on a first substrate(1) to a first direction. A plurality of parallel second conductive lines(11) is expanded to a second direction. The second direction crosses the first direction. A plurality of parallel third conductive lines is expanded on the second conductive lines to the first direction. A first information storing film is inserted between the first conductive lines and the second conductive lines. A second information storing film is inserted between the second conductive lines and the third conductive lines.
Abstract translation: 目的：提供一种电阻式存储器件及其制造方法，以通过防止相邻层中的平行导线的重叠来减少编程/擦除操作中的误差的产生。 构成：多个平行的第一导电线（7）在第一基板（1）上扩展到第一方向。 多个平行的第二导线（11）被扩展到第二方向。 第二个方向穿过第一个方向。 多个平行的第三导线在第二导线上扩展到第一方向。 第一信息存储膜被插入在第一导线和第二导线之间。 第二信息存储膜被插入在第二导线和第三导线之间。
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公开(公告)号：KR100560431B1
公开(公告)日：2006-03-13
申请号：KR1020030095391
申请日：2003-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/025 , G11C2213/17
Abstract: 나노 미터 크기의 분자 스위치 소자를 제공한다. 본 발명은 전자가 흐를 수 있는 전자 채널을 구성하고, 카본 나노튜브, 반도체성 나노와이어, 금속성 나노와이어, 고분자 나노화이버 또는 전도성 유기분자로 이루어진 채널부와, 상기 채널부의 양단에 접촉된 전극과, 상기 채널부와 연결부를 통하여 연결되고, 상기 전극을 통해 전압을 인가하면 산화 상태 또는 전자 밀도가 달라져서 상기 채널부의 전기 전도도를 변화시킬 수 있게 전자 친화력(electron affinity)이 큰 전자 받게 분자로 구성된 조절부를 포함하여 이루어지고, 상기 연결부는 상기 채널부와 조절부를 물리적 결합 또는 화학적 결합으로 연결하는 나노 미터 크기의 물질로 구성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 분자 스위치 소자는 고속 동작이 가능하고, 분자 소자 제작 공정을 활용할 경우 고집적화가 가능하다.
분자 스위치 소자, 전자 채널,-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100450757B1
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：KR1020020034641
申请日：2002-06-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a molecular electronic device is provided to improve the production efficiency by eliminating the problems caused by the defect of monolayer and the heat used in the electrode formation. CONSTITUTION: The method for fabricating a molecular electronic device comprises the steps of: (a) laminating a first electrode, an insulating layer(115b) and a second electrode(120) on a substrate(100), successively; (b) patterning the lateral sides of the first electrode, insulating layer and second electrode to expose the sections of the first and the second electrodes; and (c) forming an organic semi-conductor monolayer(140) on the exposed sections by a self-assembling method. Particularly, a protecting layer(125b) is optionally further laminated in the step (a) and the following steps are performed accordingly.
Abstract translation: 目的：提供一种制造分子电子器件的方法，以通过消除由单层缺陷和电极形成中使用的热量引起的问题来提高生产效率。 构成：制造分子电子器件的方法包括以下步骤：（a）在衬底（100）上依次层压第一电极，绝缘层（115b）和第二电极（120）; （b）图案化第一电极，绝缘层和第二电极的侧面以暴露第一和第二电极的部分; 和（c）通过自组装方法在暴露的部分上形成有机半导体单层（140）。 特别地，在步骤（a）中可选地进一步层压保护层（125b），并相应地执行以下步骤。
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公开(公告)号：KR1020030097323A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：KR1020020034641
申请日：2002-06-20
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/05 , B82B3/0038
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a molecular electronic device is provided to improve the production efficiency by eliminating the problems caused by the defect of monolayer and the heat used in the electrode formation. CONSTITUTION: The method for fabricating a molecular electronic device comprises the steps of: (a) laminating a first electrode, an insulating layer(115b) and a second electrode(120) on a substrate(100), successively; (b) patterning the lateral sides of the first electrode, insulating layer and second electrode to expose the sections of the first and the second electrodes; and (c) forming an organic semi-conductor monolayer(140) on the exposed sections by a self-assembling method. Particularly, a protecting layer(125b) is optionally further laminated in the step (a) and the following steps are performed accordingly.
Abstract translation: 目的：提供一种制造分子电子器件的方法，通过消除由单层缺陷和电极形成中使用的热量引起的问题来提高生产效率。 构成：制造分子电子器件的方法包括以下步骤：（a）依次将第一电极，绝缘层（115b）和第二电极（120）层叠在基板（100）上; （b）图案化第一电极，绝缘层和第二电极的侧面以暴露第一和第二电极的部分; 和（c）通过自组装方法在暴露部分上形成有机半导体单层（140）。 特别地，在步骤（a）中任选进一步层压保护层（125b），并相应地执行以下步骤。
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公开(公告)号：KR100373327B1
公开(公告)日：2003-02-25
申请号：KR1020000067337
申请日：2000-11-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An electronic element having a horizontal carbon nanotube and manufacturing method thereof are provided to adjust the length of the carbon nanotube, enhance attachment of the carbon nanotube and a substrate, and facilitate subsequent processes after carbon nanotube formation. CONSTITUTION: An electronic element comprises an insulating film(21), a catalytic metal pattern(22), a carbon nanotube(23), and a protection insulating film(24). The catalytic metal pattern(22) is formed by depositing a metal film and selectively etching the insulating film(21). The carbon nanotube(23) is grown vertically to the catalytic metal pattern(22) by a thermal chemical deposition method and a plasma chemical deposition method. The protection insulating film(24) of SOG(silicon-on-glass) is formed over the whole structure. The protection insulating film(24) is selectively removed by lithography and etching and selectively etching the carbon nanotube to regulate the non-uniformly grown nanotube.
Abstract translation: 一种具有水平碳纳米管的电子元件及其制造方法，用于调节碳纳米管的长度，提高碳纳米管与基板的附着性，并且有利于碳纳米管形成后的后续工艺。 构成：电子元件包括绝缘膜（21），催化金属图案（22），碳纳米管（23）和保护绝缘膜（24）。 催化金属图案（22）通过沉积金属膜并选择性蚀刻绝缘膜（21）而形成。 碳纳米管（23）通过热化学沉积法和等离子体化学沉积法垂直于催化金属图案（22）生长。 SOG（玻璃上硅）的保护绝缘膜（24）形成在整个结构上。 通过光刻和蚀刻选择性地去除保护绝缘膜（24），并选择性地蚀刻碳纳米管以调节不均匀生长的纳米管。
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公开(公告)号：KR100362377B1
公开(公告)日：2002-11-23
申请号：KR1020000073421
申请日：2000-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 탄소 나노 튜브를 이용한 전계 방출 소자에 관한 것으로, 특히, 기판에 수평 방향으로 성장된 탄소 나노 튜브를 이용한 전계 방출 소자와, 에지 에미팅(Edge Emitting) 형광 박막을 이용한 고해상도 전계 방출 디스플레이를 제작하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 금속 촉매를 패턴의 측벽에 선택적으로 증착시켜 탄소 나노 튜브를 촉매 금속으로부터 수평 방향으로 성장시키는 공정과, 성장시킨 탄소 나노 튜브를 도포 공정을 통해 모재에 부착시킴으로써, 이후의 반도체 공정을 자유롭게 적용시킬 수 있도록 하는 것을 주요 기술로 탄소 나노 튜브 전계 방출 에미터와 박막형으로 증착된 고정세 형광체에서의 에지 에미팅을 이용한다. 이렇게 탄소 나노 튜브를 수평 성장시켜 기판과의 밀착성이 유지되고, 박막형 형광체를 사용하여 이후의 반도체 공정을 자유롭게 적용시킬 수 있고, 이를 통해 고정세 전계 방출 디스플레이 제작이 가능하다.
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公开(公告)号：KR100340926B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019990029172
申请日：1999-07-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은전자가흐르는방향은물론다른방향으로도수 나노미터의크기를가지며, 상온에서스위칭동작가능한공명투과트랜지스터를제공하고자하는것으로, 이를위한본 발명의공명투과트랜지스터는, 소스로서작용하는제1 탄소나노튜브; 드레인으로서작용하는제2 탄소나노튜브; 전자중첩영역을구성하는 C분자; 및상기 C분자에상기제1 및제2 탄소나노튜브를각각연결하여주면서전자의투과장벽으로작용하는금속뭉치화합물을포함하여이루어지는것을특징으로하며, 또한상기제1 탄소나노튜브와상기제2 탄소나노튜브는스위칭동작을위하여서로다른길이를갖는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 탄소나노튜브가자연적인반도체이어서도핑의과정이필요치않고, 전자가흐르는방향뿐아니라모든방향으로나노미터크기를가져진정한의미의나노전자소자를만들수있을뿐 아니라, 분자전자소자의특징을가지고있기때문에상온에서도트랜지스터의특성인스위칭동작을이루게된다. 따라서탄소나노튜브를소스와드레인으로사용하고이들을분자레벨에서전기적으로연결하면종래의반도체보다수만배이상의집적도를가진전자소자를제작할수 있다.
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