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公开(公告)号：KR1020140121325A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130122110
申请日：2013-10-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05K1/02
Abstract: 본 발명은 신축성 전자회로 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 제조방법은, 몰드 기판을 형성하는 단계와, 상기 몰드 기판 상에 제 1 평탄 면(flat surface)과 상기 제 1 평탄 면 바깥의 제 1 주름진 면(corrugated surface)을 갖는 신축성 기판을 형성하는 단계와, 상기 몰드 기판을 제거하는 단계; 상기 제 1 주름진 면 상에 주름진 배선을 형성하는 단계와, 상기 제 1 평탄 면 상에서 상기 주름진 배선에 연결되는 전자 소자를 형성하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种可拉伸电气装置及其制造方法。 其制造方法包括：形成模具基板的工序; 在所述模具基板上形成包括第一平坦面的伸缩性基板和在所述第一平坦面的外侧的第一波纹状表面的工序; 去除模具基板的步骤; 在第一波纹表面上形成波纹布线的步骤; 以及在第一平坦表面上形成连接到波纹状布线的电子元件的步骤。
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公开(公告)号：KR1020140081921A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020120144284
申请日：2012-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 안준태 , 이정익 , 문제현 , 박승구 , 조남성 , 조두희 , 한준한 , 황주현 , 신진욱 , 임종태 , 주철웅 , 허진우 , 황치선 , 류호준 , 구재본 , 추혜용
CPC classification number: H01L27/3232 , H01L51/5271 , H01L2251/5323
Abstract: A dual-mode display according to one embodiment of the present invention includes a substrate and a plurality of fine pixels. Each fine pixel includes an emissive device, a reflective optical filter which is arranged on one side of the emissive device, and an optical shutter which is arranged on the other side of the emissive device.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的双模式显示器包括基板和多个精细像素。 每个精细像素包括发射装置，布置在发射装置的一侧上的反射式滤光器和布置在发射装置的另一侧的光学快门。
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公开(公告)号：KR101329757B1
公开(公告)日：2013-11-14
申请号：KR1020100023167
申请日：2010-03-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/50
Abstract: 본 발명은 투명OLED 조명장치에 관한 것으로, 특히 투명OLED 조명장치 내에 불투명한 반사금속을 포함하여 빛의 조사 방향을 조절하기 위한 투명OLED 조명장치를 제공한다.
이를 위하여 본 발명의 투명OLED 조명장치는 투명기판; 상기 투명기판 상의 소정 영역에 형성되는 투명양극; 상기 투명기판 상의 소정 영역에 상기 투명양극과 인접하여 형성되는 반사양극; 상기 투명양극 및 상기 반사양극 상부에 형성되는 유기층; 상기 유기층 상부에 순차적으로 형성되는 투명음극 및 봉지기판을 포함하되, 상기 유기층에서 발광되는 빛의 조사방향은 상기 투명양극 및 상기 반사양극에 인가되는 전원의 유무에 따라 변동되는 것을 특징으로 한다.Abstract translation: 透明OLED照明装置技术领域本发明涉及一种透明OLED照明装置，更具体地说，涉及一种透明OLED照明装置，用于通过在透明OLED照明装置中包括不透明反射金属来调节光照方向。
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公开(公告)号：KR101318374B1
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：KR1020090118895
申请日：2009-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명의 유기 전계 발광소자는 투명기판, 투명기판 위 및 상기 투명기판의 외부에 형성되고 매질과 복수 개의 기공을 포함하는 제1 및 제2 다공성 광산란층, 제1 다공성 광산란층 위에 형성된 애노드, 애노드 위에 형성된 것으로, 한 층 이상의 발광층을 포함하는 유기발광층, 유기발광층 위에 형성된 캐소드, 및 제2 다공성 광산란층과 투명기판 사이에 투명기판의 굴절률과 제2 다공성 광산란층의 매질의 굴절률의 사이값의 굴절률을 갖는 제3 광경로조절층을 포함한다. 따라서, 광추출효율을 향상시킬 수 있다.
유기 전계 발광소자, 광산란층, 광추출효율-
公开(公告)号：KR101296684B1
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：KR1020090111625
申请日：2009-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5275
Abstract: 본 발명은 상 분리 현상을 이용한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 투명 기판을 준비하는 단계; 상기 투명 기판 상에, 상 분리 현상을 이용하여 제 1 매질과 상기 제 1 매질보다 굴절률이 낮은 제 2 매질이 혼합된 형태를 갖는 제 1 광 경로 조절층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 광 경로 조절층 상에 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극을 순차적으로 적층하는 단계를 포함한다.
상기와 같은 본 발명은, 저렴한 비용으로 간단하게 광 추출 효율이 향상된 유기 발광 다이오드를 제조할 수 있는 이점이 있다.
상 분리, 광 추출 효율, 유기 발광 다이오드-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020130084848A
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020120005744
申请日：2012-01-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L51/5268 , B82Y20/00 , H01L51/0096 , H01L2251/105 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/5281 , H01L51/5203 , H05B33/10 , H05B33/22
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting device and a manufacturing method of the organic light emitting device are provided to improve light extraction by suppressing the reflected light at a boundary surface between a substrate and a first electrode. CONSTITUTION: A substrate (111), a first electrode, an organic light emitting layer (113), and a second electrode are laminated on a light emitting unit (110). A nanostructure (120) includes a first opening (121) randomly distributed between the substrate and the first electrode. The nanostructure includes at least one of polyimide having a refractive index of 1.3 to 1.5, epoxy, polycarbonate, PVC, PVP, polyethylene, polyacryl, and parylene.
Abstract translation: 目的：提供有机发光器件和有机发光器件的制造方法，以通过抑制衬底和第一电极之间的边界面处的反射光来改善光提取。 构成：在发光单元（110）上层压基板（111），第一电极，有机发光层（113）和第二电极。 纳米结构（120）包括随机分布在基板和第一电极之间的第一开口（121）。 纳米结构包括折射率为1.3至1.5的聚酰亚胺中的至少一种，环氧树脂，聚碳酸酯，PVC，PVP，聚乙烯，聚丙烯和聚对二甲苯。
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公开(公告)号：KR101238823B1
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：KR1020080116192
申请日：2008-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터의 제조 방법에 대한 것으로서, 본 발명은 기판 상에 보론 도핑된 산화아연-주석의 화합물로 반도체 박막을 형성하는 단계, 및 상기 반도체 박막을 패터닝하여 채널을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 300 도 이하의 저온 공정으로 비정질 상태의 보론 도핑된 ZTO 박막을 제조할 수 있어, 저온 기판 사용 및 저가의 유리 기판에 대한 사용할 수 있으며, 보론 도핑된 ZTO 채널을 사용함으로 소자의 균일도를 크게 높일 수 있다. 또한, 기존의 ZTO 채널에 비해 50% 가량의 이동도 증가 등 전기적 특성이 획기적으로 개선된다.
산화물 박막 트랜지스터, ZTO, 투명 전자 소자-
公开(公告)号：KR1020100070939A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129694
申请日：2008-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B5/14
Abstract: PURPOSE: A touch panel film and a method for preparing the same are provided to enhance the durability thereof without influence on the transmittance thereof by adopting a metallic seed layer. CONSTITUTION: A touch panel film comprises a transparent plastic substrate(200), a metallic oxide seed layer(210) formed on the transparent plastic substrate, and a transparent conductive layer(220) formed on the metallic oxide seed layer. A buffer layer(240) is made of an oxide insulator and is placed between the substrate and the metallic oxide seed layer. A protection layer(230) is made of a hardening resin and placed at the lower portion of the substrate. The oxide metallic seed layer is made of a doped zinc, tin, or zinc-tin oxide.
Abstract translation: 目的：提供触摸屏膜及其制备方法，以通过采用金属种子层来增强其耐久性而不影响其透光率。 构成：触摸屏膜包括透明塑料基板（200），形成在透明塑料基板上的金属氧化物种子层（210）和形成在金属氧化物籽晶层上的透明导电层（220）。 缓冲层（240）由氧化物绝缘体制成并且被放置在基板和金属氧化物晶种层之间。 保护层（230）由硬化树脂制成并放置在基板的下部。 氧化物金属种子层由掺杂的锌，锡或锌 - 锡氧化物制成。
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公开(公告)号：KR1020100057243A
公开(公告)日：2010-05-31
申请号：KR1020080116192
申请日：2008-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a method of manufacture thereof use the ZTO channel doped with boron. The uniformity of device is enhanced a lot. CONSTITUTION: The semiconductor film is formed on the substrate(100) into the compound of the zinc oxide tin which is the boron doping. The above semiconductor thin film is the patterning and the channel(120) is formed. The channel protection layer(125) is formed on channel. The gate insulating layer(130) is formed on the channel protection layer. The gate electrode is formed on the gate insulating layer.
Abstract translation: 目的：薄膜晶体管及其制造方法使用掺杂硼的ZTO沟道。 设备的均匀性有所提高。 构成：将半导体膜形成在基板（100）上，成为硼掺杂的氧化锌锡的化合物。 上述半导体薄膜是图案化，并且形成沟道（120）。 通道保护层（125）形成在通道上。 栅极绝缘层（130）形成在沟道保护层上。 栅电极形成在栅绝缘层上。
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