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    반도체 소자의 제조방법
    11.
    发明公开
    반도체 소자의 제조방법 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020110041184A

    公开(公告)日：2011-04-21

    申请号：KR1020090098243

    申请日：2009-10-15

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 구재본 ,  강승열

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1266 ,  H01L21/76254

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to finish manufacturing a thin film transistor on a third plastic substrate, thereby increasing a production yield. CONSTITUTION: An active layer(14) is formed on a first substrate. A gate insulating layer(16) and a gate electrode(18) are formed on the active layer. The upper surface of the active layer is bonded with a second substrate. Conductive impurity areas(24) correspond to source/drain areas of the active layer bonded with the second substrate. A third substrate(30) is bonded with the lower surface of the active layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体器件的方法，以在第三塑料基板上完成薄膜晶体管的制造，从而提高了产量。 构成：在第一衬底上形成有源层（14）。 在有源层上形成栅极绝缘层（16）和栅电极（18）。 有源层的上表面与第二衬底结合。 导电杂质区域（24）对应于与第二衬底结合的有源层的源极/漏极区域。 第三基板（30）与有源层的下表面接合。

    프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 방법 및 장치
    12.
    发明公开
    프로그래머블 비휘발성 메모리의 상태 지시 방법 및 장치 失效
    使用抗体细胞的可编程非易失性记忆及其操作方法

    公开(公告)号：KR1020090049751A

    公开(公告)日：2009-05-19

    申请号：KR1020070116014

    申请日：2007-11-14

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 유인규 ,  구재본 ,  강승열 ,  정희범 ,  이유경 ,  김시호

    IPC: G11C16/00 ,  G11C29/04

    CPC classification number: G11C16/10 ,  G06K19/0723 ,  G11C17/16 ,  G11C2216/26

    Abstract: 본 발명은 유기물 반도체 기반의 RFID 태그에 적용할 수 있는 안티퓨즈 셀을 이용한 프로그래머블 비휘발성 메모리 및 그 동작 방법에 관한 것으로서, 메모리 셀로 동작하는 하나 이상의 안티퓨즈 셀로 이루어져, 일정 비트의 데이터를 저장하는 하나 이상의 메모리 블럭과, 하나 이상의 안티퓨즈 셀로 이루어져 상기 하나 이상의 메모리 블럭에 각각 대응하여, 상기 대응한 메모리 블럭의 사용 상태를 표시하는 하나 이상의 상태 지시자를 구비하고, 메모리 블럭에 데이터 쓰기, 삭제, 수정시에 상기 상태 지시자의 상태 값을 변경하여 표시함으로써, 안티퓨즈 셀 기반의 비휘발성 메모리에서 데이터 쓰기뿐만 아니라 데이터 수정 및 삭제가 가능해진다.
    비휘발성 메모리, 안티퓨즈, 유기물 반도체 소자, RFID,

    손목 시계형 휴대용 단말기
    13.
    发明公开
    손목 시계형 휴대용 단말기 无效
    手表类型移动设备

    公开(公告)号：KR1020090011113A

    公开(公告)日：2009-02-02

    申请号：KR1020070074386

    申请日：2007-07-25

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 유인규 ,  구재본 ,  강승열 ,  조경익 ,  서경수 ,  이진호

    IPC: H04B1/38

    CPC classification number: G04G21/04 ,  G04G21/00 ,  G04G21/08

    Abstract: A wristwatch type portable terminal is provided to offer the battery power sufficient for operating a mobile communication terminal. A function selecting apparatus(30) selects the I/O unit of one of a clock mechanism(10) and a portable terminal(20) as an I/O unit(40). As a user presses a function selection button(31), the function selecting apparatus is selected. For example, if the user presses the function selection button at once, the I/O unit is used as the output device(42) of the clock mechanism. On the other hand, if the user presses the function selection button for a long time, the I/O unit is used as the input unit(41) and output unit of the portable terminal. When the function selecting apparatus selects the I/O unit as the I/O unit of the portable terminal, the I/O unit is used as a keypad and display unit of the portable terminal.

    Abstract translation: 提供了一种手表型便携式终端，以提供足以操作移动通信终端的电池电力。 功能选择装置（30）选择时钟机构（10）和便携式终端（20）之一的I / O单元作为I / O单元（40）。 当用户按下功能选择按钮（31）时，选择功能选择装置。 例如，如果用户立即按下功能选择按钮，则I / O单元被用作时钟机构的输出装置（42）。 另一方面，如果用户长时间按下功能选择按钮，则I / O单元被用作便携式终端的输入单元（41）和输出单元。 当功能选择装置选择I / O单元作为便携式终端的I / O单元时，I / O单元被用作便携式终端的键盘和显示单元。

    듀얼 게이트 유기트랜지스터를 이용한 인버터
    14.
    发明授权
    듀얼 게이트 유기트랜지스터를 이용한 인버터 失效
    具有双栅极有机薄膜晶体管的有机逆变器

    公开(公告)号：KR100801961B1

    公开(公告)日：2008-02-12

    申请号：KR1020060047388

    申请日：2006-05-26

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 구재본 ,  김성현 ,  서경수 ,  임상철 ,  이정헌 ,  구찬회

    IPC: H01L51/00

    CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0554

    Abstract: 본 발명은 플라스틱 기판에 유기 반도체를 이용하여 인버터 회로를 제작할 때 문턱 전압을 위치별로 용이하게 제어할 수 있는 새로운 구조의 인버터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 인버터는 드라이버로 사용되는 트랜지스터를 듀얼 게이트 구조를 가지도록 구성하고 그 상부 게이트에 포지티브 바이어스를 인가하여 유기반도체에 몸체 효과를 형성함으로써 드라이버 트랜지스터가 상부 게이트의 정전위를 이용하여 문턱 전압을 네거티브 영역으로 이동시켜 증가형 트랜지스터로 동작하도록 하는 것을 특징으로 한다. 특히 전술한 구성을 확장시켜 드라이버 트랜지스터 대신에 로드 트랜지스터에 듀얼 게이트 구조를 적용하거나 더 나아가 드라이버 트랜지스터와 로드 트랜지스터 모두에 듀얼 게이트 구조를 적용할 수 있다. 본 발명에 의하면, 수명과 소자 신뢰성을 향상시킬 수 있으며 유기전자 소자를 제작한 후에도 소자 특성을 설계된 회로에 맞게 쉽게 조절할 수 있는 유기 인버터를 제공할 수 있다.
    유기반도체, OTFT, 유기 인버터, 듀얼 게이트 구조, 유기전자소자

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