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11.发明公开이온빔을 이용한 ＳＰＭ 나노니들 탐침과 ＣＤ-ＳＰＭ나노니들 탐침의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해제조되는 ＳＰＭ 나노니들 탐침과 ＣＤ-ＳＰＭ 나노니들탐침 有权用于制造SPM纳米级探针的方法和使用离子束和SPM NANNEEDLE探针和CD-SPM纳米级探针的关键尺寸SPM纳米级探针的方法
公开(公告)号：KR1020060045876A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：KR1020050036631
申请日：2005-05-02
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 이온빔, 특히 집속된 이온빔(focused ion beam)을 이용하여 SPM(scanning probe microscope)의 나노니들 탐침(nanoneedle probe)을 제조하는 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 나노니들 탐침에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 SPM 탐침의 팁(tip)에 부착되는 나노니들의 지향 방향을 용이하게 조절할 수 있고 탐침의 팁에 부착되는 나노니들을 지향 방향으로 용이하게 펼(straightening) 수 있는 SPM 나노니들 탐침의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 SPM 나노니들 탐침에 관한 것이다.
본 발명은 또한 이온빔, 특히 집속된 이온빔을 이용하여 나노 스케일 수준의 측정물의 측면의 형상을 정확히 측정할 수 있는 CD-SPM 나노니들 탐침(critical dimension SPM nanoneedle probe)의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 CD-SPM 나노니들 탐침에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 SPM 탐침의 팁에 부착되는 나노니들 선단부의 일정 부분을 SPM 탐침의 팀에 부착되어 뻗어 나온 나노니들의 원래 방향과는 다른 임의의 방향으로 특정 각도만큼 휨으로써 나노 스케일 수준의 측정물의 측면의 형상을 정확히 측정할 수 있는 CD-SPM 나노니들 탐침의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 CD-SPM 나노니들 탐침에 관한 것이다.
본 발명에 따른 SPM 나노니들 탐침의 제조 방법은 상기 나노니들이 부착되는 상기 탐침의 팁을 이온빔이 조사되는 방향으로 향하도록 위치시키는 단계와, 상기 나노니들이 부착된 상기 탐침의 팁 방향으로 이온빔을 조사하여 상기 탐침의 팁에 부착된 상기 나노니들을 상기 이온빔과 평행하게 정렬시키는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 CD-SPM 나노니들 탐침의 제조 방법은 상기 탐침의 팁에 부착되는 상기 나노니들의 일정 부분을 마스크로 가리는 단계와, 상기 마스크 외부로 노출된 나노니들 부분에 이온빔을 조사하여 상기 마스크 외부로 노출된 나노니들 부분을 상기 조사된 이온빔의 방향으로 정렬시켜 휘도록 하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR100767994B1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020050110592
申请日：2005-11-18
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 입자빔(particle beam)을 이용한 나노 크기 물질(nanometer-scale material)의 변형 방법 및 그러한 방법을 이용하여 제조되는 나노 공구(nano-tool)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법은 나노 크기 물질에 입자빔을 조사하여 상기 나노 크기 물질을 상기 입자빔의 방향으로 휘게 하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用粒子束改性纳米级材料的方法和使用这种方法制造的纳米工具。 与根据本发明的特征在于，粒子束所述纳米级材料的变形经线在所述粒子束的方向上的纳米尺寸的材料照射粒子束的纳米级材料。
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公开(公告)号：KR100679613B1
公开(公告)日：2007-02-06
申请号：KR1020050044794
申请日：2005-05-27
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이(Field Emmision Display : FED) 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 전계 방출 디스플레이의 에미터 역할을 하는 탄소나노튜브의 지향 방향 및 형상을 이온빔, 특히 집속된 이온빔을 이용하여 조절함으로써 탄소나노튜브 에미터의 전자 방출 효율을 극대화하여 저전압으로도 높은 휘도를 낼 수 있으며, 또한 탄소나노튜브 에미터에 의한 전자 방출을 균일화하여 균일한 휘도를 낼 수 있는 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이는 하부 기판과, 상기 하부 기판 위에 형성되는 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극에 제공되는 탄소나노튜브 에미터와, 상기 탄소나노튜브 에미터를 둘러싸도록 형성되는 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 위로 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 스페이서에 의해 일정한 간극을 두고 상기 게이트 전극을 상부에서 덮는 전면판과, 상기 게이트 전극을 마주보도록 상기 전면판 아래로 형성되는 애노드 전극과, 상기 애노드 전극에 형성되어 상기 탄소나노튜브 에미터에서 방출되는 전자에 의해 발광되는 형광체층을 포함하며, 상기 탄소나노튜브 에미터는 이온빔의 조사에 의해 상기 탄소나노튜브 에미터의 전자 방출 방향으로 정렬되어 펴진 것을 특징으로 한다.
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