Abstract:
본 발명은 계측의 신뢰성을 증대 또는 극대화할 수 있는 융합계측장치를 개시한다. 그의 장치는 기판 표면을 원자레벨 수준으로 계측하는 원자현미경과, 상기 원자현미경 및 상기 기판을 계측하는 전자현미경과, 상기 전자현미경으로 상기 원자현미경 및 상기 기판을 모니터링 할 때, 원자현미경의 캔틸레버에 가려지는 기판 상의 이차전자의 경로를 왜곡하여 전자현미경의 전자 검출기로 진행시키는 적어도 하나의 전극을 포함한다.
Abstract:
본 발명은 포토 마스크 수리방법을 개시한다. 수리용 원자현미경 탐침이 포토 마스크의 결함 부분에 위치하도록 하고, 상기 수리용 원자현미경 탐침을 왕복 동작시키는 것에 의하여 상기 포토 마스크의 결함 부분을 제거하고, 상기 수리용 원자현미경 탐침에 의한 상기 포토 마스크의 수리 과정을 전자현미경으로 관찰하고, 그리고 상기 수리용 원자현미경 탐침과는 다른 관측용 원자현미경 탐침을 사용하여 수리 후의 상기 포토 마스크의 형상을 인-시츄(in-situ)로 확인한다.
Abstract:
본 발명은 계측의 신뢰성을 증대 또는 극대화할 수 있는 융합계측장치를 개시한다. 그의 장치는 기판 표면을 원자레벨 수준으로 계측하는 원자현미경과, 상기 원자현미경 및 상기 기판을 계측하는 전자현미경과, 상기 전자현미경으로 상기 원자현미경 및 상기 기판을 모니터링 할 때, 원자현미경의 캔틸레버에 가려지는 기판 상의 이차전자의 경로를 왜곡하여 전자현미경의 전자 검출기로 진행시키는 적어도 하나의 전극을 포함한다.
Abstract:
A field emission display having a carbon nano tube emitter and a manufacturing method thereof are provided to improve uniformity of luminance by maximizing electron emission efficiency of a carbon nano tube. A lower substrate(101) is prepared. A cathode electrode(102) is formed on the lower substrate. A carbon nano tube emitter(103) is provided on the cathode electrode. A gate dielectric(104) is formed to surround the carbon nano tube emitter. A gate electrode(105) is formed on the gate dielectric. A whole surface plate(107) is provided to cover the gate electrode from an upper portion thereof at a certain space by the gate electrode and a spacer(106). An anode electrode(108) is formed under the whole surface plate to be faced to the gate electrode. A phosphor layer(109), which emits a light by electrons irradiated from the carbon nano tube, is formed on the anode electrode.
Abstract:
본 발명은 입자빔(particle beam)을 이용한 나노 크기 물질(nanometer-scale material)의 변형 방법 및 그러한 방법을 이용하여 제조되는 나노 공구(nano-tool)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법은 나노 크기 물질에 입자빔을 조사하여 상기 나노 크기 물질을 상기 입자빔의 방향으로 휘게 하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 AFM(Atomic Force Microscope)의 나노튜브 탐침(nanotube-probe)의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 나노튜브 탐침에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 나노튜브가 부착되는 탐침의 팁(tip)과 나노튜브 사이의 이종접합(heterojunction)에 의해 나노튜브가 탐침의 팁에 보다 견고하게 고착되고, 이종접합에 의해 탐침과 나노튜브 사이의 전도성을 개선 수 있으며, 기존의 나노튜브 탐침과는 달리 탐침의 팁에 부착되는 나노튜브에 불순물이 부착되는 것을 근원적으로 방지하여 기존의 나노튜브 탐침보다 우수한 스캐닝 영상을 얻을 수 있는, AFM의 나노튜브 탐침의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 나노튜브 탐침에 관한 것이다. 본 발명에 따른 AFM의 나노튜브 탐침의 제조 방법은, 상기 나노튜브를 상기 탐침의 팁(tip)에 부착시키는 단계와, 상기 나노튜브가 부착된 상기 탐침을 금속 기판 위에 올려 놓는 단계와, 상기 탐침이 올려져 있는 상기 금속 기판에 레이저(laser)를 조사하여 상기 금속 기판을 가열하는 단계를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 이온빔, 특히 집속된 이온빔(focused ion beam)을 이용하여 SPM(scanning probe microscope)의 나노니들 탐침(nanoneedle probe)을 제조하는 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 나노니들 탐침에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 SPM 탐침의 팁(tip)에 부착되는 나노니들의 지향 방향을 용이하게 조절할 수 있고 탐침의 팁에 부착되는 나노니들을 지향 방향으로 용이하게 펼(straightening) 수 있는 SPM 나노니들 탐침의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 SPM 나노니들 탐침에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이온빔, 특히 집속된 이온빔을 이용하여 나노 스케일 수준의 측정물의 측면의 형상을 정확히 측정할 수 있는 CD-SPM 나노니들 탐침(critical dimension SPM nanoneedle probe)의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 CD-SPM 나노니들 탐침에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 SPM 탐침의 팁에 부착되는 나노니들 선단부의 일정 부분을 SPM 탐침의 팀에 부착되어 뻗어 나온 나노니들의 원래 방향과는 다른 임의의 방향으로 특정 각도만큼 휨으로써 나노 스케일 수준의 측정물의 측면의 형상을 정확히 측정할 수 있는 CD-SPM 나노니들 탐침의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 CD-SPM 나노니들 탐침에 관한 것이다. 본 발명에 따른 SPM 나노니들 탐침의 제조 방법은 상기 나노니들이 부착되는 상기 탐침의 팁을 이온빔이 조사되는 방향으로 향하도록 위치시키는 단계와, 상기 나노니들이 부착된 상기 탐침의 팁 방향으로 이온빔을 조사하여 상기 탐침의 팁에 부착된 상기 나노니들을 상기 이온빔과 평행하게 정렬시키는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 CD-SPM 나노니들 탐침의 제조 방법은 상기 탐침의 팁에 부착되는 상기 나노니들의 일정 부분을 마스크로 가리는 단계와, 상기 마스크 외부로 노출된 나노니들 부분에 이온빔을 조사하여 상기 마스크 외부로 노출된 나노니들 부분을 상기 조사된 이온빔의 방향으로 정렬시켜 휘도록 하는 단계를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 AFM(Atomic Force Microscope)의 나노튜브 탐침(nanotube-probe)의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 나노튜브 탐침에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 나노튜브가 부착되는 탐침의 팁(tip)과 나노튜브 사이의 이종접합(heterojunction)에 의해 나노튜브가 탐침의 팁에 보다 견고하게 고착되고, 이종접합에 의해 탐침과 나노튜브 사이의 전도성을 개선 수 있으며, 기존의 나노튜브 탐침과는 달리 탐침의 팁에 부착되는 나노튜브에 불순물이 부착되는 것을 근원적으로 방지하여 기존의 나노튜브 탐침보다 우수한 스캐닝 영상을 얻을 수 있는, AFM의 나노튜브 탐침의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 나노튜브 탐침에 관한 것이다. 본 발명에 따른 AFM의 나노튜브 탐침의 제조 방법은, 상기 나노튜브를 상기 탐침의 팁(tip)에 부착시키는 단계와, 상기 나노튜브가 부착된 상기 탐침을 금속 기판 위에 올려 놓는 단계와, 상기 탐침이 올려져 있는 상기 금속 기판에 레이저(laser)를 조사하여 상기 금속 기판을 가열하는 단계를 포함한다.
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본 발명은 계측의 신뢰성을 증대 또는 극대화할 수 있는 융합계측장치를 개시한다. 그의 장치는 기판 표면을 원자레벨 수준으로 계측하는 원자현미경과, 상기 원자현미경 및 상기 기판을 계측하는 전자현미경과, 상기 전자현미경으로 상기 원자현미경 및 상기 기판을 모니터링 할 때, 원자현미경의 캔틸레버에 가려지는 기판 상의 이차전자의 경로를 왜곡하여 전자현미경의 전자 검출기로 진행시키는 적어도 하나의 전극을 포함한다.
Abstract:
The repair device of photomask and repair method using the same are provided to save the time and performs all the processes when checking and replacing the atomic force microscope probe. The photomask repair device comprises the atomic force microscope(112) for repair, the electron microscope(116), and the atomic force microscope for imaging. The atomic force microscope for repair repairs the defection portion of the photomask(101). The electron microscope guides the atomic force microscope for repair to be positioned in the defection portion of photomask. The electron microscope observes the repair process of photomask by the atomic force microscope for repair. The atomic force microscope for imaging images the shape of photomask after repair in the In-situ.