Abstract:
본 발명은 흑연과 금속 탄산염을 혼합하여 열처리하는 단계를 포함하는 산화그래핀 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 산화그래핀 제조방법은 강산을 이용하지 않으면서도 단시간 내에 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 종래 Hummer's method를 제외한 산화그래핀의 제조에서 찾아보기 어려웠던 단층 산화그래핀을 제조할 수 있는 장점이 있으며, 나아가, 1차적으로 생성된 산화물에 포함되는 생성물은 금속 이온을 포함하여, 불순물의 세정이 쉬운 장점이 있다.
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본 발명은 폴리프로필렌옥사이드 블록 및 폴리에틸렌옥사이드 블록을 포함하는 블록 공중합체가 가지결합하여 형성된 고분자를 함유하는 수지조성물로부터 제조된 지지체; 상기 지지체 및 상기 지지체에 담지된 이온전도성 전해질을 포함하는 전해질 막; 상기 전해질 막의 제조방법; 및 상기 전해질 막을 포함하는 전지 및 초고용량 축전기에 관한 것이다. 본 발명에 따라, 폴리프로필렌옥사이드(PPO) 블록 및 폴리에틸렌옥사이드(PEO) 블록을 포함하는 블록 공중합체가 가지결합하여 형성된 고분자로부터 제조된 지지체는 이온전도성 전해질을 함유하는 능력이 우수하므로 이로부터 제조된 전해질 막은 높은 이온전도도를 가지며, PPO 블록을 포함하여 물리적 강도가 향상되었으며, 가교결합을 통해 고온에서도 안정한 전해질 막을 제공할 수 있다. 따라서, 상기 전해질 막은 이차전지 및 초고용량 축전기에 유용하게 사용될 수 있다.
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본 발명은 신규 유기금속 화합물에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, 게르마늄 치환체의 도입에 의해 분자간 상호 작용이 억제되어 발광 특성이 개선된 발광성 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자, 그 중에서도 유기 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기 이리듐 유기금속 화합물 모체에 게르마늄 치환체를 도입함으로써 고체 상태에서의 분자간 상호 작용이 억제되어 용액 공정에서도 유용하게 사용될 수 있고, 유기 발광 소자의 발광층의 일부로 사용되는 경우에 그 발광 효율이 현저히 개선되므로 유기 발광 소자용 재료로 유용하게 사용될 수 있다.
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본 발명은 본 명세서에서 화학식 1로 표시되는 트리아릴아민 작용기를 포함 하는 고분자의 제조 및 이의 반도체 조성물과 광중합성 조성물로 제조되는 유기 절 연막을 이용하여 제조되는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고분자 화합물은 결정성이 높은 유기 반도체 물질과 잘 혼합이 되며 박막 형성 시 유기 반도체 물질의 결정 배향을 적절하게 유지할 수 있어 유기 반도 체 재료 원래의 높은 전하 이동도를 거의 그대로 구현할 수 있다. 특히, 본 발명의 고분자 화합물을 바인더로 이용하여 제조한 유기 반도체 조성물은 스핀코팅이나 인 쇄 공정 시, 공정에 적합한 점도를 부여할 수 있어 신뢰도가 높은 박막 트랜지스터 를 제조할 수 있다. 특히 기존의 CYTOP과 같은 불소기를 포함하는 절연막을 사용하 지 않고 일반적인 광경화성 박막을 게이트 절연박막으로 사용하여 특성을 구현할 수 있기 때문에 실제적인 공정에 적용하기가 용이하다.
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본 발명은 플러렌 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것으로, 상세하게는 방향족융합고리 화합물이 도입된 신규한 플러렌(fullerene) 유도체를 제공하고, 이를 유기 전자 소자의 재료로 이용함으로써, 전기적 특성이 우수한 유기 전자 소자를 제공한다. 보다 자세하게 본 발명의 방향족융합고리 화합물이 도입된 신규한 플러렌(fullerene) 유도체는 유기용매에 대한 용해도가 우수하고, 전기화학적으로 전자의 이동도가 높아, LUMO 에너지 준위가 높아 개방전압 (Voc)이 우수하여 에너지 변환효율이 개선된 유기태양전지의 재료로 이용하거나, 유기박막트랜지스터 등의 유기전자소자의 용도에 적용이 가능하다.