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公开(公告)号：KR1019980014588A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960033621
申请日：1996-08-13
IPC: H01L21/20
Abstract: 반도체 소자를 제작할 수 있도록 기판상부에 활성층 및 화합물 막을 제조하는 고상한 방법은, 상기 기판위에 비정질 실리콘 막을 형성하는 단계와, 상기 비정질 실리콘 막의 상부표면에서 설정된 깊이까지의 내부로 불순물 이온을 주입하는 단계와, 상기 상부표면에 설정된 에너지 밀도를 가지는 빔을 전면적으로 주사함에 의해 상기 비정질 실리콘의 막내에 불순물 이온이 대체로 주입되지 않은 하부영역을 폴리 실리콘 막으로 변화되게 하는 동시에 상기 비정질 실리콘의 막내에 불순물 이온이 주입된 대체로 상부표면 근방의 영역을 상기 불순물 이온과 관련된 화합물 막으로 변화되게 하여 상기 폴리 실리콘 막을 활성층으로서 상기 불순물 이온과 관련된 화합물 막을 상기 화합물 막으로서 형성하는 단계를 가진다.
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公开(公告)号：KR1019950034827A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019940011788
申请日：1994-05-28
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로, 문턱전압의 변동없이 래치업전류를 높이기 위하여, 래치업에 영향을 미치는 소오스영역 하부의 몸체영역에 상기 몸체보다 고농도의 불순물농도를 갖는 매몰영역을 고에너지의 이온주입으로 형성하여 줌으로써, 래치업이 발생되는 임계치전류가 높아지는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터를 제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100820313B1
公开(公告)日：2008-04-08
申请号：KR1020070106413
申请日：2007-10-23
Applicant: 한민구
Inventor： 한민구
CPC classification number: B60P3/20 , F16B35/04 , F25B21/02 , F25D17/06 , F25D23/065 , F25D2201/10 , Y02B40/34
Abstract: A refrigerator box for a van is provided to improve stability of the refrigerator box by securely coupling an under frame of the refrigerator box to a lower frame of the refrigerator box. A refrigerator box for a van comprises a refrigerator installed on a van frame. A side panel(130) is vertically installed along a peripheral portion of a bottom panel and an edge of a roof panel is coupled to an upper portion of the side panel. A door is coupled to rear portions of the bottom panel and the roof panel. A low-temperature maintaining unit(160) is installed at the side panel. The low-temperature maintaining unit includes a thermo-electric module(161) having a heating section inserted into a resting groove formed in an inner panel and a cooling section directed toward an interior of the refrigerator box. A heat-insulation member(134) is interposed between an outer panel(131) and an inner panel(133).
Abstract translation: 提供一种用于货车的冰箱，以通过将冰箱的底架牢固地连接到冰箱的下框架来提高冰箱的稳定性。 用于厢式货车的冰箱包括安装在货车架上的冰箱。 侧面板（130）沿着底板的周边部分垂直地安装，顶板的边缘连接到侧板的上部。 门连接到底板和屋顶板的后部。 在侧面板上安装有低温保持单元（160）。 低温保持单元包括热电模块（161），其具有插入形成在内板中的搁置槽中的加热部和朝向冰箱的内部的冷却部。 绝热构件（134）插入在外板（131）和内板（133）之间。
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公开(公告)号：KR100275207B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980016659
申请日：1998-05-09
Applicant: 한민구
IPC: H01L29/732
Abstract: PURPOSE: A structure of a vertical BMFET(Bipolar Mode Field Emission Transistor) having a multi-gate and a fabricating method thereof are provided to improve electric characteristics by improving a structure of a vertical BMFET. CONSTITUTION: A source region(4) and a gate region(3) are formed under a source electrode(S) and a gate electrode(G). A PN junction is formed between the gate region(3) and the source region(4). An epitaxial layer(2) is formed on a substrate(1). A drain electrode is formed under the substrate(1). The gate region(3) is located on the epitaxial layer(2). A MOS type gate(90) is contacted commonly with each side of the source region(4), the gate region(3), and the epitaxial layer(2) through the insulating layer(100). The source region(4) and the drain region(1) are formed by implanting the first conductive dopant ions. The gate region(3) is formed by implanting the second conductive dopant ions.
Abstract translation: 目的：提供具有多栅极的垂直BMFET（双极场发射二极管）和其制造方法的结构，以通过改善垂直BMFET的结构来改善电特性。 构成：源极区（4）和栅极区（3）形成在源极（S）和栅电极（G）的下方。 在栅极区域（3）和源极区域（4）之间形成PN结。 在基板（1）上形成外延层（2）。 在基板（1）的下方形成漏电极。 栅区（3）位于外延层（2）上。 MOS源极（90）通过绝缘层（100）与源极区域（4），栅极区域（3）和外延层（2）的每一侧共同接触。 通过注入第一导电掺杂剂离子形成源区（4）和漏区（1）。 通过注入第二导电掺杂剂离子形成栅极区域（3）。
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公开(公告)号：KR1020000018592A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980036241
申请日：1998-09-03
Applicant: 한민구
IPC: H01L29/786
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a TFT(Thin Film Transistor) is provided to improve a channel structure for optimizing a hydrogenating effect. CONSTITUTION: A manufacturing method of a TFT(Thin Film Transistor) comprises the steps of: forming a first insulation layer on a substrate; forming a first conductive layer on the first insulation layer; forming a multi channel having a plurality of channels for securing an inflow path of a hydrogen radical between the source/drain regions of an activation region in a succeeding hydrogenating process simultaneously with defining the activation region by performing a photo lithography and an etching precesses on the first conductive layer; forming a second insulation layer and a second conductive layer on the entire surface; forming a gate electrode having a plurality of grooves in the channel direction for securing an inflow path of a hydrogen radical in a succeeding hydrogenating process simultaneously with patterning the second insulation layer and the second conductive layer; forming injecting impurity ions into the gate electrode and source/drain regions by using the gate electrode as self-aligned ion-implanting mask and forming a passivation layer; performing a hydrogenating process on the entire surface; and connecting the gate electrode and the source/drain regions with a metal line for applying the external voltage to the gate electrode and the source/drain regions.
Abstract translation: 目的：提供TFT（薄膜晶体管）的制造方法，以改善用于优化氢化效果的通道结构。 构成：TFT（薄膜晶体管）的制造方法包括以下步骤：在基板上形成第一绝缘层; 在所述第一绝缘层上形成第一导电层; 形成具有多个通道的多通道，用于在后续氢化过程中在激活区域的源极/漏极区域之间固定氢自由基的流入路径，同时通过执行光刻和蚀刻进入限定激活区域 第一导电层; 在整个表面上形成第二绝缘层和第二导电层; 在所述沟道方向上形成具有多个槽的栅电极，用于在对所述第二绝缘层和所述第二导电层进行构图的同时，在随后的氢化工艺中固定氢自由基的流入路径; 通过使用栅电极作为自对准离子注入掩模形成注入杂质离子到栅电极和源/漏区，并形成钝化层; 在整个表面上进行氢化处理; 以及用栅极电极和源极/漏极区域施加外部电压的金属线连接栅极电极和源极/漏极区域。
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公开(公告)号：KR1019990084705A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980016658
申请日：1998-05-09
Applicant: 한민구
IPC: H01S3/00
Abstract: 엑사이머 레이저 방사에 의한 폴리실리콘 싱글 일렉트론 소자의 제조방법에 따르면, 기판위에 아몰퍼스 실리콘 막, 절연막, 버퍼막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 버퍼막을 사진식각하여 팁형상의 윈도우를 패턴하고 상기 아몰퍼스 실리콘을 결정화하기 위해 레이저 에너지를 방사하고 열처리하는 단계를 가짐에 의해, 적어도 하나의 폴리실리콘 그레인이 패턴된 윈도우 사이드로부터 성장 및 분리되게 하여 파인-그레인 라아지 폴리실리콘 양자 점을 얻는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019990079026A
公开(公告)日：1999-11-05
申请号：KR1019980007489
申请日：1998-03-06
Applicant: 한민구
IPC: H01L27/06
Abstract: 트렌치 게이트를 갖는 수평형 SOI 바이폴라 모드 전계효과 트랜지스터가 개시되어 있다. 그러한 트랜지스터의 구조는, 에스오아이 층의 표면에서 서로 이격되고 일정깊이로 각기 형성된 제1도전형의 소오스 및 드레인영역과; 상기 소오스 및 드레인영역사이에서 상기 영역들중의 어느 하나의 영역에 더 가까이 위치되어 상기 영역들보다 더 깊이 형성된 게이트 플러그를 상기 영역들과는 절연되게 수용하기 위한 트렌치의 하부근방에 접촉형성된 제2도전형의 게이트 영역을 가짐에 의해 전류이득률과 순방향 전압 저지능력이 개선된다.
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