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公开(公告)号：KR101364364B1
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：KR1020100017864
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 저온에서 반도체막의 증착이 이루어져, 결정질 및 비정질이 혼재된 반도체막을 형성할 수 있는 반도체 기판 및 이의 제조 방법을 제공한다.
따라서, 전기적 특성이 우수한 결정질 비정질이 혼재된 반도체막을 형성하는 것이 가능하다.-
公开(公告)号：KR1020110037352A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：KR1020090094760
申请日：2009-10-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/168 , B82B1/00 , B82B3/0009 , C01G55/004 , H01J2201/30469
Abstract: PURPOSE: Carbon nano-tube and a method for manufacturing the same are provided to increase the state density of electrons around Fermi level and lower a work function by combining ruthenium nano-particles with the wall of the carbon nano-tube. CONSTITUTION: A method for manufacturing carbon nano-tube includes the following: Ruthenium dioxide powder is deposited on carbon nano-tube. The deposited ruthenium dioxide powder is reduced to form ruthenium nano-particles. The carbon nano-tube is directly grown on a substrate on which a buffer layer and a seed layer are formed. The buffer layer is formed based on one selected from a group including SiO_2, Al_2O_3, and MgO. The seed layer is formed based on one metal selected from a group including nickel, iron, and cobalt.
Abstract translation: 目的：提供碳纳米管及其制造方法，以通过将钌纳米颗粒与碳纳米管的壁结合来增加费米能级周围的电子的状态密度并降低功函数。 构成：制造碳纳米管的方法包括：二氧化二氮粉末沉积在碳纳米管上。 沉积的二氧化钌粉末被还原以形成钌纳米颗粒。 碳纳米管直接生长在其上形成有缓冲层和种子层的基板上。 基于选自包括SiO_2，Al_2O_3和MgO的组中的一种形成缓冲层。 种子层基于选自包括镍，铁和钴的一种金属形成。
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公开(公告)号：KR1020090011818A
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020070075785
申请日：2007-07-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: A density controlled carbon nanotube field emission source, a preparation method thereof, and a density control method of carbon nanotube are provided to improve the structural stability by lowering the density of the carbon nano tube layer. A buffer layer(110) is formed on the top of the substrate(100). A catalyst layer(120) is formed on the top of the buffer layer. The buffer layer is formed of the chrome(Cr), the tantalum(Ta), and the titanium(Ti) or their alloy. The catalyst layer is formed of the nickel(Ni), the iron(Fe), and the cobalt(Co) or their alloy. The carbon nanotube is perpendicularly grown up on the catalyst layer using the direct current plasma assisted chemical vapor deposition under the hydrocarbon gas environment including the methane gas, the acetylene gas or the ethylene gas. The substrate including carbon nanotube is dipped in the carbon nanotube tip process solution in 5 to 10 minutes. The carbon nanotube tip process solution is removed from the carbon nanotube or the substrate.
Abstract translation: 提供密度控制的碳纳米管场发射源，其制备方法和碳纳米管的密度控制方法，以通过降低碳纳米管层的密度来提高结构稳定性。 在衬底（100）的顶部上形成缓冲层（110）。 催化剂层（120）形成在缓冲层的顶部。 缓冲层由铬（Cr），钽（Ta）和钛（Ti）或它们的合金形成。 催化剂层由镍（Ni），铁（Fe）和钴（Co）或它们的合金形成。 在包括甲烷气体，乙炔气体或乙烯气体在内的烃气体环境下，使用直流等离子体辅助化学气相沉积，在催化剂层上垂直生长碳纳米管。 将包含碳纳米管的基板在5〜10分钟内浸渍在碳纳米管尖端处理液中。 从碳纳米管或基材除去碳纳米管尖端工艺溶液。
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公开(公告)号：KR100891466B1
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：KR1020070075785
申请日：2007-07-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브의 밀도제어방법, 이를 이용한 밀도가 제어된 탄소나노튜브 전계방출원 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 기판 상에 형성된 탄소나노튜브를 탄소나노튜브 팁처리 용액으로 처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브의 밀도제어방법, 및 이를 이용한 탄소나노튜브 전계방출원의 제조방법을 제공한다. 또한 본 발명은 기판; 기판 상에 형성되고, 탄소나노튜브 팁처리 용액으로 처리된 탄소나노튜브층; 및 탄소나노튜브 층의 상부에 형성된 금속층을 포함하는 탄소나노튜브 전계방출원을 제공한다.
본 발명에 따르면, 적은 비용과 간단한 용액처리공정만으로도 탄소나노튜브의 팁부분이 모인 집합체들로 이루어진 구조를 통하여 탄소나노튜브층 말단의 밀도를 낮게 제어한다. 또한, 동시에 구조적으로도 안정하여 전자방출능이 우수하다.
탄소나노튜브, 전계방출원, 밀도, 용액처리, 금속층-
公开(公告)号：KR1020110098199A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017680
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L43/12 , H01L21/67063
Abstract: 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, RF 파워를 온 주기 및 오프 주기를 반복하고, 기재(substrate)에 상기 온 주기 및 오프 주기에 대응하여 각각 마이너스 파워 주기 및 플러스 파워 주기를 반복하여 상기 기재 상의 피식각물을 식각하는 식각 방법이 제공된다.
Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 根据本发明，重复的RF电源接通周期和关断周期，响应于所述导通周期和截止周期，其中，所述基体材料（基材）的每个重复负功率周期和在衬底上蚀刻的蚀刻gakmul的正功率周期 提供蚀刻方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101218925B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020110078853
申请日：2011-08-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/02 , B82B3/00 , H01L21/335 , B82Y40/00
CPC classification number: C01B32/184 , B82B3/0038 , B82Y40/00 , C01B2204/06 , C23C16/26
Abstract: PURPOSE: A graphene nanoribbon forming method and a transistor manufacturing method using the same are provided to easily adjust the width of graphene nanoribbon by determining the width of a graphene thin film depending on the width of a phenanthrene thin film. CONSTITUTION: A graphene nanoribbon forming method includes the following steps: a thin film is formed on a substrate(S110); and the substrate is heated by supplying carbon supplying gas in order to form a graphene thin film on a phenanthrene thin film which is formed by a focused ion-beam process(S120). The carbon supplying gas is at least one selected from a group including carbon compounds composed of carbon monoxide, methane, ethane, ethylene, ethanol, acetylene, propane, propylene, butane, butadiene, pentane, pentene, cyclopentadiene, hexane, cyclohexane, benzene, and toluene. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Forming a phenanthrene thin film on a substrate using a focused ion-beam process; (S121) Heating the substrate under hydrogen atmosphere; (S123) Forming a graphene thin film by supplying inert gas and carbon supplying gas on the substrate
Abstract translation: 目的：提供石墨烯纳米带形成方法和使用其的晶体管制造方法，以通过根据菲薄膜的宽度确定石墨烯薄膜的宽度来容易地调节石墨烯纳米薄片的宽度。 构成：石墨烯纳米带形成方法包括以下步骤：在基板上形成薄膜（S110）; 通过供给碳供应气体来加热基板，以便通过聚焦离子束法形成的菲薄膜上形成石墨烯薄膜（S120）。 碳供应气体是选自由一氧化碳，甲烷，乙烷，乙烯，乙醇，乙炔，丙烷，丙烯，丁烷，丁二烯，戊烷，戊烯，环戊二烯，己烷，环己烷，苯， 和甲苯。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）使用聚焦离子束工艺在基板上形成菲薄膜; （S121）在氢气氛下加热基板; （S123）通过在基板上供给惰性气体和碳供给气体来形成石墨烯薄膜
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公开(公告)号：KR1020120086938A
公开(公告)日：2012-08-06
申请号：KR1020110008303
申请日：2011-01-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G11C11/15 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/15 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a magnetic random access memory is provided to improve the reliability of a device by removing the metal residue in a sidewall of an MTJ structure. CONSTITUTION: A laminate structure(40) with an MTJ structure is formed on a substrate. Laminate patterns with the MTJ structure are formed by patterning the laminate structure. Metal residue accumulated in the sidewalls of the laminate patterns are etched by using neutral beams(NB1,NB2).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造磁性随机存取存储器的方法，通过去除MTJ结构的侧壁中的金属残渣来提高器件的可靠性。 构成：在基板上形成具有MTJ结构的层叠结构（40）。 通过图案化层压结构形成具有MTJ结构的层压图案。 通过使用中性光束（NB1，NB2）蚀刻积聚在层叠图案的侧壁中的金属残留物。
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公开(公告)号：KR1020110098307A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017864
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/32055 , C23C16/505 , H01L21/265
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 저온에서 반도체막의 증착이 이루어져, 결정질 및 비정질이 혼재된 반도체막을 형성할 수 있는 반도체 기판 및 이의 제조 방법을 제공한다.
따라서, 전기적 특성이 우수한 결정질 비정질이 혼재된 반도체막을 형성하는 것이 가능하다.-
公开(公告)号：KR101214758B1
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：KR1020100017680
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L43/12
Abstract: 본발명은식각방법에관한것이다. 본발명에의하면, RF 파워를온 주기및 오프주기를반복하고, 기재(substrate)에상기온 주기및 오프주기에대응하여각각마이너스파워주기및 플러스파워주기를반복하여상기기재상의피식각물을식각하는식각방법이제공된다.
Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 根据本发明，提供了一种蚀刻方法，用于重复RF功率的接通周期和断开周期，并且重复负载功率周期和正功率周期， 它现在可用。
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公开(公告)号：KR100850266B1
公开(公告)日：2008-08-04
申请号：KR1020070047116
申请日：2007-05-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01J1/304 , B01J19/126 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: A carbon nanotube field emission source comprising a noble metal layer and a manufacturing method thereof are provided to enhance thermal conductivity and electrical conductivity by using a noble metal layer as a buffer layer. An Nb layer is formed on an upper surface of a substrate. A noble metal layer is formed on the upper surface of the substrate including the Nb layer. A carbon nanotube is formed on the upper surface of the substrate including the noble metal layer. A heat treatment process for the substrate including the carbon nanotube is performed by using a microwave or an inductive coil. The heat treatment temperature is equal to and less than 400 degrees centigrade. The noble metal layer is composed of one or more elements selected from a group including Au, Ag, Cu, and an alloy comprising one of Au, Ag, and Cu.
Abstract translation: 提供了包含贵金属层的碳纳米管场发射源及其制造方法，以通过使用贵金属层作为缓冲层来提高导热性和导电性。 在基板的上表面上形成有Nb层。 在包括Nb层的基板的上表面上形成贵金属层。 在包括贵金属层的基板的上表面上形成碳纳米管。 通过使用微波或感应线圈来进行包括碳纳米管的基板的热处理工艺。 热处理温度等于或低于400摄氏度。 贵金属层由选自包括Au，Ag，Cu的一种或多种元素和包含Au，Ag和Cu中的一种的合金构成。
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