公开(公告)号：DE102019202871A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019202871

申请日：2019-03-04

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KUMAR ANIL ,  RASHED MAHBUB ,  DAVAR SUSHAMA ,  JAIN NAVNEET

IPC: H03K19/003

Abstract: Eine Kalibrierungsschaltung ist mit einem Eingabe/Ausgabe-Treiber verbunden, ein Vorspannungsgenerator ist mit der Kalibrierungsschaltung und dem Eingabe/Ausgabe-Treiber verbunden und ein Temperatursensor ist mit dem Vorspannungsgenerator verbunden. Die Kalibrierungsschaltung und der Eingabe/Ausgabe-Treiber umfassen jeweils eine Bank aus Widerständen und entsprechende Schalter. Körper der Schalter sind mit dem Vorspannungsgenerator verbunden und die Schalter sind durch ein Vorspannungssignal vorgespannt, das von dem Vorspannungsgenerator ausgegeben wird. Die Kalibrierungsschaltung umfasst eine Komparatorvorrichtung, die mit den Schaltern und mit einem Bezugswiderstand verbunden ist. Das Aktivieren und Deaktivieren von ausgewählten der Schalter erfolgt, um mit dem Bezugswiderstand übereinzustimmen. Der Vorspannungsgenerator stellt auch das Vorspannungssignal ein, wenn eine Temperaturänderung durch den Temperatursensor erfasst wird. Demzufolge ändern die Schalter den Stromfluss, wenn sich das Vorspannungssignal ändert, ohne zu ändern, welche der Schalter aktiviert oder deaktiviert werden.

公开(公告)号：DE102018208547A1

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE102018208547

申请日：2018-05-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KUMAR ANIL ,  PRABHU MANJUNATHA G ,  LOISEAU ALAIN F ,  RASHED MAHBUB ,  DAVAR SUSHAMA

IPC: H01L23/60 ,  H02H9/04 ,  H05F3/00

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft Halbleiterstrukturen und betrifft insbesondere elektrostatische Entladungs-(ESD-) Schutzschaltungen und Verfahren zur Nutzung und zur Herstellung. Die Struktur umfasst: eine elektrostatische Entladungs-(ESD-) Klemmeinrichtung, die ein Eingangssignal aus einer Auslöseschaltung empfängt; und einen Spannungsknoten, der mit einem Rückseiten-Gate der ESD-Klemmeinrichtung verbunden ist, wobei der Spannungsknoten während eines elektrostatischen Entladungs-(ESD-) Ereignisses der ESD-Klemmeinrichtung eine Spannung zuführt.

公开(公告)号：DE102012219376A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102012219376

申请日：2012-10-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RASHED MAHBUB ,  SOSS STEVEN ,  KYE JONGWOOK ,  LIN IRENE Y ,  GULLETTE JAMES BENJAMIN ,  NGUYEN CHINH ,  KIM JEFF ,  TARABBIA MARC ,  MA YUANSHENG ,  DENG YUNFEI ,  AUGUR ROD ,  RHEE SEUNG-HYUAN ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGERI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, um wenigstens ein Logikelement zu implementieren. Die Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind. Jeder Transistor umfasst ein Source, ein Drain und ein Gate. Eine CA-Schicht ist mit Source und/oder Drain des ersten Transistors elektrisch verbunden. Eine CB-Schicht ist mit wenigstens einem Gate der Transistoren und/oder der CA-Schicht elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102012219375A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102012219375

申请日：2012-10-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RASHED MAHBUB ,  LIN IRENE Y ,  SOSS STEVEN ,  KIM JEFF ,  NGUYEN CHINH ,  TARABBIA MARC ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGERI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/11

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung zur Implementierung von wenigstens einem Logikelement bereit gestellt. Die Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind. Jeder Transistor umfasst ein Source, ein Drain und ein Gate. Eine Grabensilizidschicht verbindet Source oder Drain des ersten Transistors mit Source oder Drain des zweiten Transistors.