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    Verfahren zum Strukturieren von linienartigen Merkmalen unter Verwendung eines Multistrukturierungsprozesses, der die Verwendung engerer Kontakteinschlußabstandsregeln ermöglicht
    3.
    发明专利
    Verfahren zum Strukturieren von linienartigen Merkmalen unter Verwendung eines Multistrukturierungsprozesses, der die Verwendung engerer Kontakteinschlußabstandsregeln ermöglicht 未知

    公开(公告)号：DE102015200107B4

    公开(公告)日：2020-06-10

    申请号：DE102015200107

    申请日：2015-01-08

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： YUAN LEI ,  KYE JONGWOOK ,  LEVINSON HARRY J

    IPC: G03F1/70

    Abstract: Verfahren, umfassend ein:Identifizieren einer Struktur für eine Gesamtzielschnittmaske (115) zur Verwendung in einem Strukturieren einer Mehrzahl von über einem Halbleitersubstrat (214) zu bildenden linienartigen Merkmalen (112), wobei die Gesamtzielschnittmaske (115) ein nicht-rechteckiges Zielöffnungsmerkmal (115X) mit einer inneren konkaven Ecke (122) aufweist;Zerlegen der Gesamtzielschnittmaske (115) in eine erste Zielsubstruktur (115A) und eine zweite Zielsubstruktur (115B), wobei die erste Zielsubstruktur (115A) ein erstes rechteckiges Öffnungsmerkmal (114) entsprechend einem ersten Bereich, jedoch nicht dem gesamten nicht-rechteckigen Zielöffnungsmerkmal (115X), umfasst, und die zweite Zielsubstruktur (115B) ein zweites rechteckiges Öffnungsmerkmal (116B) entsprechend einem zweiten Bereich, jedoch nicht dem gesamten nicht-rechteckigen Zielöffnungsmerkmal (115X), umfasst, wobei die ersten und zweiten Öffnungsmerkmale (114, 116B) eine Überlappungsfläche an einer Stelle entsprechend einer Anordnung der inneren konkaven Ecke (122) in der Gesamtzielschnittmaske (115) aufweist;Identifizieren eines linienartigen Merkmals (112), das durch Schnitte zu schneiden ist, die entsprechend den ersten und zweiten Öffnungsmerkmalen (114, 116B) gemacht werden, wobei das geschnittene linienartige Merkmal (112), wenn geschnitten, ein Schnittende aufweist;Identifizieren eines Kontakts (118X), der zu bilden ist, um das geschnittene linienartige Merkmal (112) an einer Stelle neben dem Schnittende des geschnittenen linienartigen Merkmals (112) leitend zu kontaktieren;Identifizieren einer Abstandregel vom Kontakt (118X) zum Ende der geschnittenen Linie (112) für den Kontakt (118X) auf Grundlage eines Abstands (120A) zwischen dem ersten rechteckigen Öffnungsmerkmal (114) oder dem zweiten rechteckigen Öffnungsmerkmal (116B) und einer nächsten Kante (118E) des Kontakts (118X) an der beabsichtigten Stelle, an der der Kontakt (118X) mit dem geschnittenen linienartigen Merkmal (112) in Eingriff zu stehen hat;Erzeugen einer ersten Menge an Maskendaten entsprechend der ersten Zielsubstruktur (115A); undErzeugen einer zweiten Menge an Maskendaten entsprechend der zweiten Zielsubstruktur (115B), wobei die ersten und/oder zweiten Mengen an Maskendaten auf Grundlage der identifizierten Abstandsregel vom Kontakt (118X) zum Ende der geschnittenen Linien (112) erzeugt werden.

    Verfahren zum Strukturieren von Metallisierungsleitungen mit variabler Breite
    5.
    发明专利
    Verfahren zum Strukturieren von Metallisierungsleitungen mit variabler Breite 未知

    公开(公告)号：DE102019200054A1

    公开(公告)日：2019-07-04

    申请号：DE102019200054

    申请日：2019-01-04

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： ZHU XUELIAN ,  ZENG JIA ,  WANG CHENCHEN ,  KYE JONGWOOK

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027

    Abstract: Verfahren zum Strukturieren von Metallisierungsleitungen mit variablen Breiten in einer Metallisierungsschicht. Eine erste Dorn-Schicht wird über einer Maskenschicht gebildet, wobei die Maskenschicht eine zweite Dorn-Schicht überlagert. Die erste Dorn-Schicht wird geätzt, um Dorn-Linien zu bilden, die variable Breiten aufweisen. Die ersten Nicht-Dorn-Gräben werden in der Maskenschicht geätzt, wobei die Nicht-Dorn-Gräben variable Breiten aufweisen. Die ersten Dorn-Linien werden verwendet, um Dorn-Gräben in die Maskenschicht zu ätzen, so dass die Dorn-Linien und die ersten Nicht-Dorn-Linien eine Dorn-Struktur festlegen. Die zweite Dorn-Schicht wird entsprechend der Dorn-Struktur geätzt, um zweite Dorn-Linien festzulegen, wobei die zweiten Dorn-Linien die variablen Breiten der Mehrzahl von ersten Dorn-Linien und die variablen Breiten der Mehrzahl von Nicht-Dorn-Gräben aufweisen.

    Halbleitervorrichtung
    6.
    发明专利
    Halbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102012215529B4

    公开(公告)日：2018-07-12

    申请号：DE102012215529

    申请日：2012-08-31

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： TARRABBIA MARC ,  GULLETTE JAMES B ,  RASHED MAHBUB ,  DOMAN DAVID S ,  LIN IRENE Y ,  LORENZ INGOLF ,  HO LARRY ,  NGUYEN CHINH ,  KIM JEFF ,  KYE JONGWOOK ,  MA YUANGSHENG ,  DENG YUNFEI ,  AGUR ROD ,  RHEE SEUNG-HYUN ,  STEPHENS JASON E ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGRI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

    IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

    Abstract: Halbleitervorrichtung umfassend:ein Halbleitersubstrat (12) mit einem Diffusionsgebiet (14a, 14b);einen Transistor (16), der innerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) vorgesehen ist und ein Sourcegebiet (18), ein Draingebiet (20) und ein Gate (22) aufweist;eine Stromschiene (26a, 26b), die außerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) in einer Metallschicht (25) angeordnet ist;eine Metallkontaktstiftschicht (38), die in der Metallschicht (25) angeordnet ist, sich von dem Diffusionsgebiet (14a, 14b) zu einem Gebiet außerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) erstreckt und mit dem Transistor (16) elektrisch verbunden ist;eine Kontaktschicht (28a, 28b), die über dem Substrat (12) und unter der Metallschicht (25) angeordnet ist; undeine Durchkontaktierung (36), die zwischen der Kontaktschicht (28a, 28b) und der Stromschiene (26a, 26b) angeordnet ist, um die Kontaktschicht (28a, 28b) mit der Stromschiene (26a, 26b) elektrisch zu verbinden; undwobei die Kontaktschicht (28a, 28b) einen ersten Bereich (30a, 30b) mit einer ersten Länge, der außerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) und unter der Stromschiene (26a, 26b) angeordnet ist, und einen zweiten Bereich (32a, 32b) mit einer zweiten Länge, der sich von dem ersten Bereich (30a, 30b) in das Diffusionsgebiet (14a, 14b) erstreckt und mit dem Transistor (16) elektrisch verbunden ist, aufweist.

    Metallsegmente als Landing-Pads und lokale Zwischenverbindungen in einer IC-Vorrichtung
    7.
    发明专利
    Metallsegmente als Landing-Pads und lokale Zwischenverbindungen in einer IC-Vorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102015214848A1

    公开(公告)日：2016-05-19

    申请号：DE102015214848

    申请日：2015-08-04

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： WOO YOUNGTAG ,  LEE MYUNGJUN ,  KIM RYAN RYOUNG-HAN ,  KYE JONGWOOK

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

    Abstract: Es werden Verfahren zur Verwendung von Metallsegmenten einer zusätzlichen Metallschicht als Landing-Pads für Kontaktöffnungen und auch als lokale Zwischenverbindungen zwischen Kontakten in einer IC-Vorrichtung und damit erhaltene Vorrichtungen angegeben. Ausführungsformen umfassen ein Bilden von Source/Drain-Kontakten und Gatekontakten, die mit Transistoren auf einem Substrat in einer integrierten Schaltkreisvorrichtung verbunden sind, wobei jeder Kontakt eine obere Oberfläche mit einer ersten Fläche hat; ein Bilden von Metallsegmenten in einer Ebene an der oberen Oberfläche der Kontakte, wobei sich jedes Metallsegment in Kontakt mit einem oder mehreren der Kontakte befindet und eine zweite Fläche hat, die größer als die erste Fläche ist; und Bilden von einer oder mehreren Kontaktöffnungen zwischen einem oder mehreren der Metallsegmente und einem oder mehreren ersten Segmenten einer ersten Metallschicht.

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