公开(公告)号：DE102012219376A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102012219376

申请日：2012-10-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RASHED MAHBUB ,  SOSS STEVEN ,  KYE JONGWOOK ,  LIN IRENE Y ,  GULLETTE JAMES BENJAMIN ,  NGUYEN CHINH ,  KIM JEFF ,  TARABBIA MARC ,  MA YUANSHENG ,  DENG YUNFEI ,  AUGUR ROD ,  RHEE SEUNG-HYUAN ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGERI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, um wenigstens ein Logikelement zu implementieren. Die Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind. Jeder Transistor umfasst ein Source, ein Drain und ein Gate. Eine CA-Schicht ist mit Source und/oder Drain des ersten Transistors elektrisch verbunden. Eine CB-Schicht ist mit wenigstens einem Gate der Transistoren und/oder der CA-Schicht elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102012219375A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102012219375

申请日：2012-10-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RASHED MAHBUB ,  LIN IRENE Y ,  SOSS STEVEN ,  KIM JEFF ,  NGUYEN CHINH ,  TARABBIA MARC ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGERI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/11

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung zur Implementierung von wenigstens einem Logikelement bereit gestellt. Die Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind. Jeder Transistor umfasst ein Source, ein Drain und ein Gate. Eine Grabensilizidschicht verbindet Source oder Drain des ersten Transistors mit Source oder Drain des zweiten Transistors.

公开(公告)号：DE102012219376B4

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：DE102012219376

申请日：2012-10-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RASHED MAHBUB ,  SOSS STEVEN ,  KYE JONGWOOK ,  LIN IRENE Y ,  GULLETTE JAMES BENJAMIN ,  NGUYEN CHINH ,  KIM JEFF ,  TARABBIA MARC ,  MA YUANSHENG ,  DENG YUNFEI ,  AUGUR ROD ,  RHEE SEUNG-HYUAN ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGERI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

Abstract: Halbleitervorrichtung (20), umfassend:ein Halbleitersubstrat (22);ein erster Transistor (24a) und ein zweiter Transistor (24b), die auf dem Halbleitersubstrat (22) ausgebildet sind, wobei die Transistoren (24a, 24b) jeweils einen Sourcebereich (26), einen Drainbereich (28) und einen Gatebereich (30) aufweisen, wobei die Gatebereiche (30) der Transistoren (24a, 24b) als geradlinige Streifen (31) gebildet sind, die zueinander parallel angeordnet sind;eine erste lokale Verbindungsschicht (34), die mit dem Sourcebereich (26) und/oder dem Drainbereich (28) des ersten Transistors (24a) elektrisch verbunden ist; undeine zweite lokale Verbindungschicht (36), die mit beiden Gatebereichen (30) der Transistoren (24a, 24b) und mit der ersten lokalen Verbindungsschicht (34) elektrisch verbunden ist,wobei sich die erste lokale Verbindungsschicht (34) zwischen einem ersten Ende (40) und einem zweiten Ende (42) erstreckt und wobei die zweite lokale Verbindungsschicht (36) an der Mitte zwischen den Enden (40, 42) der ersten lokalen Verbindungsschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102012215529A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：DE102012215529

申请日：2012-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： TARRABBIA MARC ,  GULLETTE JAMES B ,  RASHED MAHBUB ,  DOMAN DAVID S ,  LIN IRENE Y ,  LORENZ INGOLF ,  HO LARRY ,  NGUYEN CHINH ,  KIM JEFF ,  KYE JONGWOOK ,  MA YUANGSHENG ,  DENG YUNFEI ,  AGUR ROD ,  RHEE SEUNG-HYUN ,  STEPHENS JASON E ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGRI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem Diffusionsgebiet. Ein Transistor ist innerhalb des Diffusionsgebiets gebildet. Eine Stromschiene ist außerhalb des Diffusionsgebiets angeordnet. Eine Kontaktschicht ist über dem Substrat und unter der Stromschiene angeordnet. Eine Durchkontaktierung ist zwischen der Kontaktschicht und der Stromschiene angeordnet, um die Kontaktschicht mit der Stromschiene elektrisch zu verbinden. Die Kontaktschicht weist eine erste Länge, die außerhalb des Diffusionsgebiets angeordnet ist, und eine zweite Länge, die sich von der ersten Länge in das Diffusionsgebiet erstreckt und mit dem Transistor elektrisch verbunden ist, auf.

公开(公告)号：DE102012219375B4

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE102012219375

申请日：2012-10-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RASHED MAHBUB ,  LIN IRENE Y ,  SOSS STEVEN ,  KIM JEFF ,  NGUYEN CHINH ,  TARABBIA MARC ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGERI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/11

Abstract: Halbleitervorrichtung (20), umfassend:ein Halbleitersubstrat (22);einen ersten Transistor (24a) und einen zweiten Transistor (24b), die auf dem Halbleitersubstrat (22) angeordnet sind, wobei jeder Transistor (24a, 24b) einen Sourcebereich (26a, 26b), einen Drainbereich (28a, 28b) und einen Gatebereich (30a, 30b) umfasst, wobei sich der Gatebereich (30a) des ersten Transistors (24a) als Teil eines ersten geradlinigen Streifens (31a) in Längsrichtung erstreckt und sich der Gatebereich (30b) des zweiten Transistors (24b) als Teil eines zweiten geradlinigen Streifens (31b) in Längsrichtung erstreckt, wobei die ersten und zweiten Streifen (31a, 31b) zueinander parallel angeordnet und voneinander beabstandet sind;eine erste CB-Schicht (36a), die eine mit dem Gatebereich (30a) des ersten Transistors (24a) elektrisch verbundene lokale Verbindungsschicht ist;eine zweite CB-Schicht (36b), die eine mit dem Gatebereich (30b) des zweiten Transistors (24b) elektrisch verbundene lokale Verbindungsschicht ist; undeine CA-Schicht (34), die eine sich in Längsrichtung zwischen einem ersten Ende (40) und einem zweiten Ende (42) erstreckende lokale Verbindungsschicht (34) ist, wobei die CA-Schicht (34) die erste CB-Schicht (36a) und die zweite CB-Schicht (36b) elektrisch verbindet;wobei die erste CB-Schicht (36a) nahe dem ersten Ende (40) der CA-Schicht (34) mit dieser elektrisch verbunden ist und die zweite CB-Schicht (36b) nahe dem zweiten Ende (42) der CA-Schicht (34) mit dieser elektrisch verbunden ist,wobei die erste CB-Schicht (36a), die zweite CB-Schicht (36b) und die CA-Schicht (34) zwischen einer ersten Metallschicht (33) über den Sourcebereichen (26a, 26b), den Drainbereichen (28a, 28b) und den Gatebereichen (30a, 30b) der ersten und zweiten Transistoren (24a, 24b) und dem Halbleitersubstrat (22) angeordnet sind, undwobei sich die CA-Schicht (34) im Allgemeinen parallel zu den ersten und zweiten Streifen (31a, 31b) erstreckt und im Allgemeinen senkrecht zu den ersten und zweiten CB-Schichten (36a, 36b) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102012215529B4

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：DE102012215529

申请日：2012-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： TARRABBIA MARC ,  GULLETTE JAMES B ,  RASHED MAHBUB ,  DOMAN DAVID S ,  LIN IRENE Y ,  LORENZ INGOLF ,  HO LARRY ,  NGUYEN CHINH ,  KIM JEFF ,  KYE JONGWOOK ,  MA YUANGSHENG ,  DENG YUNFEI ,  AGUR ROD ,  RHEE SEUNG-HYUN ,  STEPHENS JASON E ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGRI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535

Abstract: Halbleitervorrichtung umfassend:ein Halbleitersubstrat (12) mit einem Diffusionsgebiet (14a, 14b);einen Transistor (16), der innerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) vorgesehen ist und ein Sourcegebiet (18), ein Draingebiet (20) und ein Gate (22) aufweist;eine Stromschiene (26a, 26b), die außerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) in einer Metallschicht (25) angeordnet ist;eine Metallkontaktstiftschicht (38), die in der Metallschicht (25) angeordnet ist, sich von dem Diffusionsgebiet (14a, 14b) zu einem Gebiet außerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) erstreckt und mit dem Transistor (16) elektrisch verbunden ist;eine Kontaktschicht (28a, 28b), die über dem Substrat (12) und unter der Metallschicht (25) angeordnet ist; undeine Durchkontaktierung (36), die zwischen der Kontaktschicht (28a, 28b) und der Stromschiene (26a, 26b) angeordnet ist, um die Kontaktschicht (28a, 28b) mit der Stromschiene (26a, 26b) elektrisch zu verbinden; undwobei die Kontaktschicht (28a, 28b) einen ersten Bereich (30a, 30b) mit einer ersten Länge, der außerhalb des Diffusionsgebiets (14a, 14b) und unter der Stromschiene (26a, 26b) angeordnet ist, und einen zweiten Bereich (32a, 32b) mit einer zweiten Länge, der sich von dem ersten Bereich (30a, 30b) in das Diffusionsgebiet (14a, 14b) erstreckt und mit dem Transistor (16) elektrisch verbunden ist, aufweist.