公开(公告)号：DE102012219376A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：DE102012219376

申请日：2012-10-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RASHED MAHBUB ,  SOSS STEVEN ,  KYE JONGWOOK ,  LIN IRENE Y ,  GULLETTE JAMES BENJAMIN ,  NGUYEN CHINH ,  KIM JEFF ,  TARABBIA MARC ,  MA YUANSHENG ,  DENG YUNFEI ,  AUGUR ROD ,  RHEE SEUNG-HYUAN ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGERI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

Abstract: Es wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, um wenigstens ein Logikelement zu implementieren. Die Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat mit einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind. Jeder Transistor umfasst ein Source, ein Drain und ein Gate. Eine CA-Schicht ist mit Source und/oder Drain des ersten Transistors elektrisch verbunden. Eine CB-Schicht ist mit wenigstens einem Gate der Transistoren und/oder der CA-Schicht elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102012219376B4

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：DE102012219376

申请日：2012-10-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RASHED MAHBUB ,  SOSS STEVEN ,  KYE JONGWOOK ,  LIN IRENE Y ,  GULLETTE JAMES BENJAMIN ,  NGUYEN CHINH ,  KIM JEFF ,  TARABBIA MARC ,  MA YUANSHENG ,  DENG YUNFEI ,  AUGUR ROD ,  RHEE SEUNG-HYUAN ,  JOHNSON SCOTT ,  KENGERI SUBRAMANI ,  VENKATESAN SURESH

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

Abstract: Halbleitervorrichtung (20), umfassend:ein Halbleitersubstrat (22);ein erster Transistor (24a) und ein zweiter Transistor (24b), die auf dem Halbleitersubstrat (22) ausgebildet sind, wobei die Transistoren (24a, 24b) jeweils einen Sourcebereich (26), einen Drainbereich (28) und einen Gatebereich (30) aufweisen, wobei die Gatebereiche (30) der Transistoren (24a, 24b) als geradlinige Streifen (31) gebildet sind, die zueinander parallel angeordnet sind;eine erste lokale Verbindungsschicht (34), die mit dem Sourcebereich (26) und/oder dem Drainbereich (28) des ersten Transistors (24a) elektrisch verbunden ist; undeine zweite lokale Verbindungschicht (36), die mit beiden Gatebereichen (30) der Transistoren (24a, 24b) und mit der ersten lokalen Verbindungsschicht (34) elektrisch verbunden ist,wobei sich die erste lokale Verbindungsschicht (34) zwischen einem ersten Ende (40) und einem zweiten Ende (42) erstreckt und wobei die zweite lokale Verbindungsschicht (36) an der Mitte zwischen den Enden (40, 42) der ersten lokalen Verbindungsschicht angeordnet ist.