中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

19 records (took 0.019 seconds)

    Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure
    11.
    发明专利
    Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure 未知

    公开(公告)号：GB2513531A

    公开(公告)日：2014-11-05

    申请号：GB201221581

    申请日：2012-11-30

    Applicant: IBM

    Inventor： CZORNOMAZ LUKAS ,  OFFREIN BERT JAN ,  RICHTER MIRJA ,  FOMPEYRINE JEAN ,  HOFRICHTER JENS

    IPC: H01L31/18

    Abstract: A method of fabricating a semiconductor structure is disclosed. The method includes the steps of : providing a processed, preferably silicon based, substrate 2 which includes active electronic components, e.g. a CMOS wafer; depositing a dielectric layer 4 covering at least part of the processed substrate; bonding an interface layer 5 to the dielectric layer; and interconnecting the interface layer and substrate with each other through the dielectric layer. The interface layer is a seed layer having a lattice constant suitable for growth of III-V material, so that optically active components/material can be grown/deposited onto the structure. In some embodiments the active components are silicon photonics components, optical waveguides, grating coupler, modulators, multiplexers, de-multiplexers, ring resonators or directional components.

    Elektromagnetischer Wellenisolator und integrierte Optikeinheit
    12.
    发明专利
    Elektromagnetischer Wellenisolator und integrierte Optikeinheit 未知

    公开(公告)号：DE112010004007B4

    公开(公告)日：2014-02-13

    申请号：DE112010004007

    申请日：2010-09-24

    Applicant: IBM

    Inventor： HOFRICHTER JENS ,  MOLL NIKOLAJ

    IPC: G02B6/12 ,  H01P3/00

    Abstract: Elektromagnetischer Wellenisolator (10), der einen Ringresonator bestehend aus einem ringförmigen Körper (29) mit einer kreisförmigen Symmetrie aufweist und zwei Richtungen (D1, D2) elektromagnetischer Wellenausbreitung, die zueinander entgegengesetzt sind, definiert, wobei der kreisförmig symmetrische Körper mindestens eine keilförmige Struktur (21, 22) aufweist, die sich tangential lediglich zur Peripherie vom ringförmigen Körper (29) aus erstreckt, und die so konfiguriert ist, dass sie die Symmetrie des ringförmigen Körpers (29) derart verringert, dass eine Wellenausbreitung in eine der Richtungen (D1) mehr als in die andere Richtung (D2) unterstützt wird, wobei der ringförmige Körper (29) und die mindestens eine Struktur (21, 22) einstückig sind und wobei das distale Ende der keilförmigen Struktur (21, 22) als Keil ausgebildet ist.

    Elektromagnetischer Wellenisolator und integrierte Optikeinheit
    14.
    发明专利
    Elektromagnetischer Wellenisolator und integrierte Optikeinheit 未知

    公开(公告)号：DE112010004007T5

    公开(公告)日：2012-11-15

    申请号：DE112010004007

    申请日：2010-09-24

    Applicant: IBM

    Inventor： HOFRICHTER JENS ,  MOLL NIKOLAJ

    IPC: G02B6/12 ,  G02B6/42

    Abstract: Die Erfindung bezieht sich auf einen elektromagnetischen Wellenisolator (10), der einen Körper (29) Ringform umfasst, um zwei kreisförmige Ausbreitungsrichtungen (D1, D2) zu definieren. Der Körper ist außerdem mit einem oder mehreren Merkmalen (21, 22) versehen, die die Symmetrie des Isolators so verringern, dass eine Wellenausbreitung in eine (D1) der Richtungen deutlich mehr unterstützt wird als in die andere Richtung (D2). Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Optikeinheit.

    Photonische Schaltungseinheit mit On-Chip-Messstrukturen für die optische Verstärkung
    15.
    发明专利
    Photonische Schaltungseinheit mit On-Chip-Messstrukturen für die optische Verstärkung 未知

    公开(公告)号：DE112014004392B4

    公开(公告)日：2025-01-23

    申请号：DE112014004392

    申请日：2014-10-07

    Applicant: IBM

    Inventor： HOFRICHTER JENS

    IPC: H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/50

    Abstract: Eine photonische Schaltungseinheit (100) zur Messung einer optischen Verstärkung, aufweisend:- ein Substrat (10) mit einer photonischen Schaltung, wobei die letztere zwei Wellenleiter (71, 72) aufweist, die zwei Wellenleiterabschnitte definieren, die an einer gleichen Richtung ausgerichtet sind und die sich gegenüber liegen,- einen aktiven Verstärkungsabschnitt (62 bis 66) oben auf dem Substrat (10) und in der photonischen Schaltungseinheit (100) gekoppelt, um Licht durch elektrisches Pumpen oder optisches Pumpen zu erzeugen,- mindestens zwei Lichtkoppler (75, 76), die so angeordnet sind, dass zumindest ein Teil des aktiven Verstärkungsabschnitts (62-66) zwischen den Lichtkopplern (75, 76) liegt, und die so konfiguriert sind, dass Licht zwischen dem aktiven Verstärkungsabschnitt und den Wellenleiterabschnitten gekoppelt wird,- einen Teilreflektor (90), der in einem der Wellenleiterabschnitte so angeordnet ist, dass er Licht, das sich entlang der gleichen Richtung ausbreitet, zurück zu einer Mitte des Verstärkungsabschnitts (62-66) reflektiert, und wobei die photonische Schaltungseinheit (100) keinen weiteren Reflektor gegenüber dem Teilreflektor (90) mit Bezug auf den aktiven Verstärkungsabschnitt (62-66) aufweist und so konfiguriert ist, dass Licht zurück zu der Mitte des Verstärkungsabschnitts reflektiert wird.

    Photonic circuit device with reduced losses caused by electrical contact pads
    16.
    发明专利
    Photonic circuit device with reduced losses caused by electrical contact pads 未知

    公开(公告)号：GB2527564A

    公开(公告)日：2015-12-30

    申请号：GB201411359

    申请日：2014-06-26

    Applicant: IBM

    Inventor： HOFRICHTER JENS

    IPC: H01L33/38 ,  G02B6/43 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

    Abstract: A photonic circuit device 100, comprising: a light-generating structure, comprising: a n-doped semiconductor layer 32; a p-doped semiconductor layer 37; and an active gain section 34, wherein the active gain section 34 comprises layers stacked along a stacking direction (Ds); is arranged between the n-doped semiconductor layer 32 and the p-doped semiconductor layer 37, and is coupled in the device for generating light propagating along a given propagation direction (Dp); and at least two electrical contact pads including an n-contact electric pad 31 and a p-contact electric pad 38, in electrical contact with the n-doped semiconductor layer 32 and the p-doped semiconductor layer 37, respectively, where one 38 of the electrical contact pads, at least, is in direct contact with the light-generating structure and wherein a ratio between a width Wc of said one 38 of the electrical contact pads to the width WL of the active gain section 34 is between 1.35 and 3.85, each of said widths Wc and WL measured in a same direction (Dw) that is orthogonal to each of the stacking direction (Ds) and said given propagation direction (Dp). Said one 38 of the electrical pads may be stacked onto the light-generating structure in the stacking direction (Ds) and may have cantilevered overhangs extending beyond the width WL of the gain section 34. The gain section may comprise a stack of InAlGaAs layers of alternating thicknesses and the n-doped and p-doped semiconductor layers may comprise InP.

    Optical adaptor with horizontal and vertical reference surfaces
    17.
    发明专利
    Optical adaptor with horizontal and vertical reference surfaces 未知

    公开(公告)号：GB2506406A

    公开(公告)日：2014-04-02

    申请号：GB201217383

    申请日：2012-09-28

    Applicant: IBM

    Inventor： HOFRICHTER JENS ,  HORST FOLKERT ,  PORTA ANTONIO LA ,  OFFREIN BERT JAN ,  SOGANCI IBRAHIM MURAT

    IPC: G02B6/42 ,  G02B6/32

    Abstract: An optical adaptor OA monolithically integrates optical elements OE and first micro-mechanical features which define at least a first horizontal reference surface HP and a first vertical reference surface VP, wherein, said first horizontal reference surface HP is perpendicular to an optical plane, the latter being perpendicular the optical axis of said optical elements OF; and said first vertical reference surface VP is perpendicular to said first horizontal reference surface HP and parallel to said optical axis. Alignment of the elements may thereby be achieved. The optical elements may be a lens array and a mirror. The adaptor may be used for connecting to a photonic chip with a waveguide. The adaptor may also have second horizontal and vertical reference surfaces (CVP, CHP, Fig 5c).

Patent Agency Ranking