Reversibly adhesive thermal interface material

    公开(公告)号:GB2502216A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:GB201314185

    申请日:2012-01-04

    Applicant: IBM

    Abstract: The present invention is directed to a reversibly adhesive thermal interface material for electronic components and methods of making and using the same. More particularly, embodiments of the invention provide thermal interface materials that include a thermally- reversible adhesive, and a thermally conductive and electrically non-conductive filler, where the thermal interface material is characterized by a thermal conductivity of 0.2 W/m-K or more and an electrical resistivity of 9 x 1011 ohm-cm or more.

    Hydrophobic silane coating for preventing conductive anodic filament (caf) growth in printed circuit boards

    公开(公告)号:GB2490813A

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:GB201210460

    申请日:2011-02-28

    Applicant: IBM

    Abstract: An enhanced substrate for making a printed circuit board (PCB) includes a hydrophobic silane coating of a silane composition intermixed with a silane coupling agent applied to a glass fiber substrate. The silane coupling agent is applied to the surface of the substrate for coupling the substrate to a varnish coating. Applying the silane coupling agent to the surface of the substrate creates surface silanols, which are implicated in conductive anodic filament (CAF) growth. A silane composition, which reacts with the surface silanols, is applied to the surface of the substrate having the silane coupling agent applied thereto to form the hydrophobic silane coating. The surface presented by the hydrophobic silane coating/substrate is hydrophobic and essentially silanol-free. This surface is then dried, and varnish is applied thereto. Then, the substrate, hydrophobic silane coating and varnish are subjected to curing conditions to define the PCB.

    FERTIGUNG EINER MEHRSCHICHTIGEN LEITERPLATTE

    公开(公告)号:DE112018008265B4

    公开(公告)日:2025-03-20

    申请号:DE112018008265

    申请日:2018-12-07

    Applicant: IBM

    Abstract: Prozess (700) zum Fertigen einer mehrschichtigen Leiterplatte, wobei der Prozess (700) aufweist:Kennzeichnen (702) eines Bereichs (310, 312, 314) einer Schaltungskernschicht (302, 304, 306), wobei der Bereich (310, 312, 314) der Schaltungskernschicht einem erhöhten Dielektrisches-Harz-Bedarf zugehörig ist;selektives Aufbringen (704) eines dielektrischen Harzes (412, 512, 612) mit darin vermischten Glaskugeln auf den gekennzeichneten Bereich (310, 312, 314) der Schaltungskernschicht (302, 304, 306); undteilweises Härten (706) des dielektrischen Harzes (412, 512, 612) vor einem Durchführen eines Schichtungszyklus und Ausbilden der mehrschichtigen Leiterplatte, die die Schaltungskernschicht (302, 304, 306) enthält.

    Reversibel klebendes Wärmegrenzflächenmaterial

    公开(公告)号:DE112012000238B4

    公开(公告)日:2019-01-17

    申请号:DE112012000238

    申请日:2012-01-04

    Applicant: IBM

    Abstract: Wärmegrenzflächenmaterial, aufweisend:einen thermisch reversiblen Klebstoff, wobei der thermisch reversible Klebstoff aufweist:ein Polymer, welches mehrere Furaneinheiten als erste funktionelle Gruppe enthält, wobei das furanisierte Polymer aus dem Reaktionsprodukt eines Aminopropylmethylsiloxan-Dimethylsiloxan-Copolymers und einer mit Aminen reaktiven Furaneinheit abgeleitet wird; undein Vemetzungsmittel, welches mehrere Dienophile-Einheiten als zweite funktionelle Gruppe enthält, wobei die erste funktionelle Gruppe und die zweite funktionelle Gruppe komplementäre Reaktionspartner einer Diels-Alder-Cycloadditionsreaktion als reversible Vernetzungsreaktion sind; undeinen wärmeleitfähigen und elektrisch nicht leitfähigen Füllstoff,wobei das Wärmegrenzflächenmaterial eine Menge des Füllstoffs aufweist, welche für eine Wärmeleitfähigkeit von 0,2 W/(m·K) oder mehr und einen spezifischen elektrischen Widerstand von 9 × 10Ωcm oder mehr sorgt.

    A system and method to process horizontally aligned graphite nanofibers in a thermal interface material used in 3d chip stacks

    公开(公告)号:GB2506534A

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:GB201319413

    申请日:2012-05-14

    Applicant: IBM

    Abstract: The chip stack of semiconductor chips with enhanced cooling apparatus includes a first chip with circuitry on a first side and a second chip electrically and mechanically coupled to the first chip by a grid of connectors. The apparatus further includes a thermal interface material pad placed between the first chip and the second chip, wherein the thermal interface material pad includes nanofibers aligned parallel to mating surfaces of the first chip and the second chip. The method includes creating a first chip with circuitry on a first side and creating a second chip electrically and mechanically coupled to the first chip by a grid of connectors. The method further includes placing a thermal interface material pad between the first chip and the second chip, wherein the thermal interface material pad includes nanofibers aligned parallel to mating surfaces of the first chip and the second chip.

    HYDROPHOBE SILANBESCHICHTUNG ZUR VERHINDERUNG DES ANWACHSENS VON ANODISCH LEITFÄHIGEN FASERN (CAF) IN LEITERPLATTEN

    公开(公告)号:DE112011100802T5

    公开(公告)日:2013-02-28

    申请号:DE112011100802

    申请日:2011-02-28

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein verbessertes Substrat zur Herstellung einer Leiterplatte (PCB) umfasst eine auf ein Glasfasersubstrat aufgebrachte hydrophobe Silanbeschichtung einer Silanzusammensetzung, die mit einem Silanhaftvermittler vermischt ist. Der Silanhaftvermittler wird auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht, um das Substrat mit einer Lackbeschichtung zu verbinden. Durch das Aufbringen des Silanhaftvermittlers auf die Oberfläche des Substrats werden Oberflächensilanole erzeugt, welche in das Anwachsen von anodisch leitfähigen Fasern (CAF) verwickelt sind. Eine Silanzusammensetzung, welche mit den Oberflächensilanolen reagiert, wird auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht, welches den darauf aufgebrachten Silanhaftvermittler aufweist, um die hydrophobe Silanbeschichtung zu bilden. Die Oberfläche, welche durch die hydrophobe Silanbeschichtung/das Substrat dargestellt wird, ist hydrophob und weitgehend Silanol-frei. Diese Oberfläche wird anschließend getrocknet, und es wird darauf Lack aufgetragen. Dann werden das Substrat, die hydrophobe Silanbeschichtung und der Lack Härtungsbedingungen ausgesetzt, um die PCB zu definieren.

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