公开(公告)号：DE112010002324T5

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE112010002324

申请日：2010-07-13

Applicant: IBM

Inventor： SEKARIC LIDIJA ,  CHIDAMBARRAO DURESETI ,  LIU XIAO HU

IPC: H01L29/775 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/51

Abstract: Es wird ein elektronisches Bauelement beschrieben, das einen leitenden Kanal, der eine Kristallstruktur definiert und eine Länge und eine Dicke tC aufweist, und einen Gate-Elektrodenstapel der Dicke tg beinhaltet, der sich in Kontakt mit einer Fläche des Kanals befindet. Ferner umfasst der Gate-Elektrodenstapel ein Material, das auf die Kontaktfläche des Kanals eine Druckkraft oder eine Zugkraft derart ausübt, dass die elektrische Beweglichkeit der Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) über die Länge des Kanals hinweg aufgrund der Druckkraft oder der Zugkraft in Abhängigkeit von der Ausrichtung der Längsachse des Kanals in Bezug auf die Kristallstruktur erhöht wird. Es werden Ausführungsarten für Chips, bei denen die Beweglichkeit sowohl der Löcher als auch der Elektronen in verschiedenen Transistoren erhöht wird, sowie ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Transistors oder Chips angegeben.

公开(公告)号：DE112010004700B4

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE112010004700

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  NEWNS DENNIS ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  MARTYNA GIENN JOHN ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L27/20 ,  H01L41/04 ,  H01L41/107

Abstract: Kopplungsstruktur zur Kopplung von in piezoelektrischem Material erzeugten mechanischen Spannungen mit einer betätigten Einheit eines integrierten Schaltkreises, wobei die Struktur Folgendes aufweist: eine starre Versteifungsstruktur, die um ein piezoelektrisches Material und die betätigte Einheit herum ausgebildet ist, wobei die betätigte Einheit ein piezoresistives Material aufweist, das einen elektrischen Widerstand aufweist, der von dem darauf ausgeübten Druck abhängig ist, wobei die betätigte Einheit durch den auf das piezoresistive Material ausgeübten Druck eine Widerstandsänderung des piezoresistiven Materials vornimmt; und eine weiche Pufferstruktur, die aus einem Material mit niedrigem Elastizitätsmodul besteht und um das piezoelektrische Material und das piezoresistive Material herum ausgebildet ist, wobei die Pufferstruktur zwischen dem piezoelektrischen und piezoresistiven Material und der Versteifungsstruktur angeordnet ist, wobei die Versteifungsstruktur das piezoelektrische und das piezoresistive Material an ein Substrat klemmt, über dem das piezoelektrische und das piezoresistive Material ausgebildet sind, so dass eine Gesamtverformung des piezoelektrischen und des piezoresistiven Materials gering bleibt, und wobei die weiche Pufferstruktur dem piezoelektrischen Material Bewegungsfreiheit in Bezug auf das piezoresistive Material ermöglicht, wodurch die mechanische Spannung, die durch eine an das piezoelektrische Material angelegte elektrische Spannung erzeugt wird, an das piezoresistive Material so gekoppelt wird, dass sich der elektrische Widerstand des piezoresistiven Materials ändert.

公开(公告)号：GB2484030B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：GB201122001

申请日：2010-07-13

Applicant: IBM

Inventor： SEKARIC LIDIJA ,  CHIDAMBARRAO DURESETI ,  LIU XIAO HU

IPC: H01L29/775

公开(公告)号：GB2485749B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：GB201205373

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  NEWNS DENNIS ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L41/08

Abstract: A coupling structure for coupling piezoelectric material generated stresses to an actuated device of an integrated circuit includes a rigid stiffener structure formed around a piezoelectric (PE) material and the actuated device, the actuated device comprising a piezoresistive (PR) material that has an electrical resistance dependent upon an applied pressure thereto; and a soft buffer structure formed around the PE material and PR material, the buffer structure disposed between the PE and PR materials and the stiffener structure, wherein the stiffener structure clamps both the PE and PR materials to a substrate over which the PE and PR materials are formed, and wherein the soft buffer structure permits the PE material freedom to move relative to the PR material, thereby coupling stress generated by an applied voltage to the PE material to the PR material so as change the electrical resistance of the PR material.

公开(公告)号：GB2512783A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：GB201412764

申请日：2013-01-03

Applicant: IBM

Inventor： COONEY EDWARD C ,  GAMBINO JEFFREY P ,  HE ZHONG-XIANG ,  LEE TOM C ,  LIU XIAO HU

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: Methods for fabricating a back-end-of-line (BEOL) wiring structure, BEOL wiring structures (10), and design structures for a BEOL wiring structure. The BEOL wiring may be fabricated by forming a first wire (44, 45) in a dielectric layer (18) and annealing the first wire in an oxygen- free atmosphere. After the first wire is annealed, a second wire (60, 61) is formed in vertical alignment with the first wire. A final passivation layer (74), which is comprised of an organic material such as polyimide, is formed that covers an entirety of a sidewall of the second wire.

公开(公告)号：DE112010004700T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112010004700

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  NEWNS DENNIS ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  MARTYNA GIENN JOHN ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L27/20 ,  H01L41/04 ,  H01L41/107

Abstract: Eine Kopplungsstruktur zur Kopplung von in piezoelektrischem Material erzeugten mechanischen Spannungen mit einer betätigten Einheit eines integrierten Schaltkreises enthält eine starre Versteifungsstruktur, die um ein piezoelektrisches (PE) Material herum ausgebildet ist, und die betätigte Einheit, wobei die betätigte Einheit ein piezoresistives (PR) Material aufweist, die einen elektrischen Widerstand aufweist, der von dem darauf ausgeübten Druck abhängig ist; und eine weiche Pufferstruktur, die um das PE-Material und das PR-Material herum ausgebildet ist, wobei die Pufferstruktur zwischen dem PE- und dem PR-Material und der Versteifungsstruktur angeordnet ist, wobei die Versteifungsstruktur das PE- und das PR-Material an ein Substrat befestigt, über dem das PE- und das PR-Material gebildet werden, und wobei die weiche Pufferstruktur dem PE-Material Bewegungsfreiheit in Bezug auf das PR-Material ermöglicht, wodurch die mechanische Spannung, die durch eine an das PE-Material angelegte elektrische Spannung erzeugt wird, an das PR-Material so gekoppelt wird, dass sich der elektrische Widerstand des PR-Materials ändert.

公开(公告)号：GB2485749A8

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：GB201205373

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  NEWNS DENNIS ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L41/08

Abstract: A coupling structure for coupling piezoelectric material generated stresses to an actuated device of an integrated circuit includes a rigid stiffener structure formed around a piezoelectric (PE) material and the actuated device, the actuated device comprising a piezoresistive (PR) material that has an electrical resistance dependent upon an applied pressure thereto; and a soft buffer structure formed around the PE material and PR material, the buffer structure disposed between the PE and PR materials and the stiffener structure, wherein the stiffener structure clamps both the PE and PR materials to a substrate over which the PE and PR materials are formed, and wherein the soft buffer structure permits the PE material freedom to move relative to the PR material, thereby coupling stress generated by an applied voltage to the PE material to the PR material so as change the electrical resistance of the PR material.

公开(公告)号：GB2485749A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：GB201205373

申请日：2010-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LIU XIAO HU ,  KRUSIN-ELBAUM LIA ,  ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  NEWNS DENNIS ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  CHEN KUAN-NENG

IPC: H01L41/08

Abstract: A coupling structure for coupling piezoelectric material generated stresses to an actuated device of an integrated circuit includes a rigid stiff ener structure formed around a piezoelectric (PE) material and the actuated device, the actuated device comprising a piezoresistive (PR) material that has an electrical resistance dependent upon an applied pressure thereto; and a soft buffer structure formed around the PE material and PR material, the buffer structure disposed between the PE and PR materials and the stiffener structure, wherein the stiffener structure clamps both the PE and PR materials to a substrate over which the PE and PR materials are formed, and wherein the soft buffer structure permits the PE material freedom to move relative to the PR material, thereby coupling stress generated by an applied voltage to the PE material to the PR material so as change the electrical resistance of the PR material.

公开(公告)号：GB2484030A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：GB201122001

申请日：2010-07-13

Applicant: IBM

Inventor： SEKARIC LIDIJA ,  CHIDAMBARRAO DURESETI ,  LIU XIAO HU

IPC: H01L29/775

Abstract: An electronic device includes a conductive channel defining a crystal structure and having a length and a thickness tc; and a gate stack of thickness tg in contact with a surface of the channel. Further, the gate stack comprises a material that exerts one of a compressive or a tensile force on the contacted surface of the channel such that electrical mobility of the charge carriers (electrons or holes) along the channel length is increased due to the compressive or tensile force in dependence on alignment of the channel length relative to the crystal structure. Embodiments are given for chips with both hole and electron mobility increased in different transistors, and a method for making such a transistor or chip.