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公开(公告)号:DE112011102234B4
公开(公告)日:2018-10-25
申请号:DE112011102234
申请日:2011-10-06
Applicant: IBM
Inventor: BERMAN DAVID , DAI QIU , IMAINO WAYNE ISAMI , NELSON ALSHAKIM , DYER WILLIAM MARVIN
IPC: G01N33/553 , G01N33/543 , G01N33/58
Abstract: Verfahren zum Erkennen eines an eine erste Seite einer Membran angefügten Analyten mit magnetischen Partikeln, die an den Analyten von Interesse gebunden sind, wobei das Verfahren aufweist:Erkennen der magnetischen Partikel unter Verwendung eines Magnetsensors, der sich auf einer zweiten Seite der Membran, die der ersten Seite entgegengesetzt ist, befindet, wobei sich der Magnetsensor relativ zu der Membran bewegt, diese Membran dabei abtastet und auf diese Weise die Positionen der magnetischen Partikel bestimmt,wobei die Membran eine Dicke von weniger als 100 Nanometer hat und wobei die magnetischen Partikel eine charakteristische Abmessung von weniger als 100 Nanometer haben.
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公开(公告)号:GB2501662A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:GB201315436
申请日:2012-04-10
Applicant: IBM
Inventor: BAJJURI KRISHNA , DAI QUI , NELSON ALSHAKIM , RATHORE JITENDRA
Abstract: Provided are inorganic-organic block copolymers that self assemble without the addition of a precursor. The inorganic block of the polymers includes silicon and the organic block may be any organic polymer. The inorganic-organic block copolymers self assemble to form a material in which the inorganic polymer block may be crosslinked to produce an organosilicate and/or silica matrix, and further thermal curing of the matrix results in the formation of a porous nanostructured film.
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13.
公开(公告)号:DE112010003502T5
公开(公告)日:2013-03-14
申请号:DE112010003502
申请日:2010-08-23
Applicant: IBM
Inventor: NELSON ALSHAKIM , BROCK PHILLIP JOE , SOORIYAKUMARAN RATMAN , DAVIS BLAKE , MILLER ROBERT DENNIS , ALLEN ROBERT DAVID , LIN QINGHUANG
IPC: H01L21/32 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L21/312
Abstract: Silsesquioxan-Polymere, Silsesquioxan-Polymere in negativ photostrukturierbaren dielektrischen Formulierungen, Verfahren zur Bildung von Strukturen unter Verwendung von negativ photostrukturierbaren dielektrischen Formulierungen, welche Silsesquioxan-Polymere enthalten, und Strukturen, die aus Silsesquioxan-Polymeren hergestellt wurden.
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