公开(公告)号：DE112010004406B4

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：DE112010004406

申请日：2010-11-10

Applicant: IBM

Inventor： BREITWISCH MATTHEW J ,  LAM CHUNG H ,  RAJENDRAN BIPIN ,  RAOUX SIMONE ,  SCHROTT ALEJANDRO G ,  KREBS DANIEL

IPC: H01L27/24

Abstract: Phasenwechsel-Speicherzelle, umfassend:- eine untere Elektrode (202),- eine obere Elektrode (206), getrennt von der unteren Elektrode, und- wachstumsdominiertes Phasenwechsel-Material (205), in einer Säule (204) zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode und die untere Elektrode und die obere Elektrode kontaktierend und seitlich von Isoliermaterial (208) umgeben,- wobei die Phasenwechsel-Speicherzelle in einem Reset- Zustand nur eine amorphe Phase des wachstumsdominierten Phasenwechsel-Materials (205) in der Säule (204) umfasst,- sich in der Phasenwechsel-Speicherzelle zwischen Gallium-Atome umfassenden Grenzflächenbereichen (207a, 207b) des wachstumsdominierten Phasenwechsel-Materials an der unteren Elektrode (202) und an der oberen Elektrode (206) ein Strompfad ausbildet und- das Phasenwechsel-Material (205) nach dem Reset-Vorgang vollständig amorph ist, wenn ein Reset-Strom mit einem vorgegebenen Wert entlang des Strompfads fließt.

公开(公告)号：DE112010004470B4

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE112010004470

申请日：2010-08-25

Applicant: IBM

Inventor： BREITWISCH MATTHEW JOSEPH ,  LAM CHUNG H ,  MODHA DHARMENDRA SHANTILAL ,  RAJENDRAN BIPIN

IPC: G06N3/063 ,  G11C11/56 ,  H01L27/28

Abstract: Eine neuromorphe Schaltung umfasst einen ersten Feldeffekttransistor in einer ersten Diodenkonfiguration, durch welche eine elektrische Verbindung zwischen einer ersten Gate-Zone und einer ersten Drain-Zone des ersten Feldeffekttransistors aufgebaut wird. Die neuromorphe Schaltung umfasst auch einen zweiten Feldeffekttransistor in einer zweiten Diodenkonfiguration, durch welche eine elektrische Verbindung zwischen einer zweiten Gate-Zone und einer zweiten Drain-Zone des zweiten Feldeffekttransistors aufgebaut wird. Die neuromorphe Schaltung umfasst ferner ein Material veränderbaren Widerstands, welches sowohl mit der ersten Drain-Zone als auch mit der zweiten Drain-Zone elektrisch verbunden ist, wobei das Material veränderbaren Widerstands als ein programmierbarer Widerstandswert dient. Die neuromorphe Schaltung umfasst außerdem einen ersten Knotenpunkt, welcher mit dem Material veränderbaren Widerstands elektrisch verbunden ist und einen ersten Verbindungspunkt zu einem Ausgang einer Neuronenschaltung bereitstellt, und einen zweiten Knotenpunkt, welcher mit dem Material veränderbaren Widerstands elektrisch verbunden ist und einen zweiten Verbindungspunkt zu dem Ausgang der Neuronenschaltung bereitstellt.

公开(公告)号：DE112011104319T5

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：DE112011104319

申请日：2011-12-01

Applicant: CENTRE NAT RECH SCIENT ,  IBM

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE A ,  FRANK MARTIN M ,  RAJENDRAN BIPIN ,  SCHROTT ALEJANDRO G

IPC: G11C11/00

Abstract: Eine offenbarte beispielhafte Ausführungsform ist eine Phasenwechsel-Speicherzelle. Die Speicherzelle weist ein Phasenwechselmaterial und einen Wandler auf, der an das Phasenwechselmaterial anschließend angeordnet ist. Das Phasenwechselmaterial ist zumindest zwischen einem amorphen Zustand und einem kristallinen Zustand umschaltbar. Der Wandler ist dafür konfiguriert, aktiviert zu werden, wenn das Phasenwechselmaterial vom amorphen Zustand in den kristallinen Zustand gebracht wird. In einer speziellen Ausführungsform ist der Wandler ein ferroelektrisches Material.

公开(公告)号：DE112010004406T5

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：DE112010004406

申请日：2010-11-10

Applicant: IBM

Inventor： LAM CHUNG H ,  RAJENDRAN BIPIN ,  RAOUX SIMONE ,  KREBS DANIEL ,  BREITWISCH MATTHEW J ,  SCHROTT ALEJANDRO G

IPC: H01L27/24

Abstract: Phasenwechsel-Speicherzelle, umfassend eine untere Elektrode, eine obere Elektrode, getrennt von der unteren Elektrode, und wachstumsdominiertes Phasenwechsel-Material abgeschieden zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode und kontaktierend die untere Elektrode und die obere Elektrode und umgeben von Isoliermaterial an den Seitenwänden davon. Die Phasenwechsel-Speicherzelle in einem Reset-Zustand umfasst nur eine amorphe Phase des wachstumsdominierten Phasenwechsel-Materials in einem aktiven Volumen der Phasenwechsel-Speicherzelle.

公开(公告)号：DE112010004470T5

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE112010004470

申请日：2010-08-25

Applicant: IBM

Inventor： BREITWISCH MATTHEW JOSEPH ,  LAM CHUNG H ,  MODHA DHARMENDRA SHANTILAL ,  RAJENDRAN BIPIN

IPC: G06N3/063 ,  G11C11/56 ,  H01L27/28

Abstract: Eine neuromorphe Schaltung umfasst einen ersten Feldeffekttransistor in einer ersten Diodenkonfiguration, durch welche eine elektrische Verbindung zwischen einer ersten Gate-Zone und einer ersten Drain-Zone des ersten Feldeffekttransistors aufgebaut wird. Die neuromorphe Schaltung umfasst auch einen zweiten Feldeffekttransistor in einer zweiten Diodenkonfiguration, durch welche eine elektrische Verbindung zwischen einer zweiten Gate-Zone und einer zweiten Drain-Zone des zweiten Feldeffekttransistors aufgebaut wird. Die neuromorphe Schaltung umfasst ferner ein Material veränderbaren Widerstands, welches sowohl mit der ersten Drain-Zone als auch mit der zweiten Drain-Zone elektrisch verbunden ist, wobei das Material veränderbaren Widerstands als ein programmierbarer Widerstandswert dient. Die neuromorphe Schaltung umfasst außerdem einen ersten Knotenpunkt, welcher mit dem Material veränderbaren Widerstands elektrisch verbunden ist und einen ersten Verbindungspunkt zu einem Ausgang einer Neuronenschaltung bereitstellt, und einen zweiten Knotenpunkt, welcher mit dem Material veränderbaren Widerstands elektrisch verbunden ist und einen zweiten Verbindungspunkt zu dem Ausgang der Neuronenschaltung bereitstellt.