公开(公告)号：DE69302205T2

公开(公告)日：1996-10-10

申请号：DE69302205

申请日：1993-02-15

Applicant: IBM

Inventor： BRUSIC VLASTA A ,  FRANKEL GERALD SIMON ,  PETERSEN TINA ALEXEANDRIA ,  RUSH BENJAMIN MARK ,  SCHROTT ALEJANDRO G

IPC: C23F11/00 ,  C23F11/10 ,  C23F11/14 ,  G11B5/187 ,  G11B5/31 ,  G11B5/72 ,  G11B5/84

Abstract: A corrosion protecting film layer is formed on a non-passivating non-noble metal, such as cobalt, by placing the metal in a dilutesolution of Cu ions and benzotriazole (1 H-BTA). Exposure of the metal to a solution containing Cu and 1 H-BTA results in a spontaneous interaction of Cu and the metal to produce a film layer of Cu(I)BTA on the metal surface to create a permanent corrosion protection for the metal. A borate buffer, such as boric acid and a borate, can be added to the solution to adjust the pH of the solution to be in the range between 8 and 9.

公开(公告)号：DE112010004406B4

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：DE112010004406

申请日：2010-11-10

Applicant: IBM

Inventor： BREITWISCH MATTHEW J ,  LAM CHUNG H ,  RAJENDRAN BIPIN ,  RAOUX SIMONE ,  SCHROTT ALEJANDRO G ,  KREBS DANIEL

IPC: H01L27/24

Abstract: Phasenwechsel-Speicherzelle, umfassend:- eine untere Elektrode (202),- eine obere Elektrode (206), getrennt von der unteren Elektrode, und- wachstumsdominiertes Phasenwechsel-Material (205), in einer Säule (204) zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode und die untere Elektrode und die obere Elektrode kontaktierend und seitlich von Isoliermaterial (208) umgeben,- wobei die Phasenwechsel-Speicherzelle in einem Reset- Zustand nur eine amorphe Phase des wachstumsdominierten Phasenwechsel-Materials (205) in der Säule (204) umfasst,- sich in der Phasenwechsel-Speicherzelle zwischen Gallium-Atome umfassenden Grenzflächenbereichen (207a, 207b) des wachstumsdominierten Phasenwechsel-Materials an der unteren Elektrode (202) und an der oberen Elektrode (206) ein Strompfad ausbildet und- das Phasenwechsel-Material (205) nach dem Reset-Vorgang vollständig amorph ist, wenn ein Reset-Strom mit einem vorgegebenen Wert entlang des Strompfads fließt.

公开(公告)号：DE112011104319T5

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：DE112011104319

申请日：2011-12-01

Applicant: CENTRE NAT RECH SCIENT ,  IBM

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE A ,  FRANK MARTIN M ,  RAJENDRAN BIPIN ,  SCHROTT ALEJANDRO G

IPC: G11C11/00

Abstract: Eine offenbarte beispielhafte Ausführungsform ist eine Phasenwechsel-Speicherzelle. Die Speicherzelle weist ein Phasenwechselmaterial und einen Wandler auf, der an das Phasenwechselmaterial anschließend angeordnet ist. Das Phasenwechselmaterial ist zumindest zwischen einem amorphen Zustand und einem kristallinen Zustand umschaltbar. Der Wandler ist dafür konfiguriert, aktiviert zu werden, wenn das Phasenwechselmaterial vom amorphen Zustand in den kristallinen Zustand gebracht wird. In einer speziellen Ausführungsform ist der Wandler ein ferroelektrisches Material.

公开(公告)号：DE112010004406T5

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：DE112010004406

申请日：2010-11-10

Applicant: IBM

Inventor： LAM CHUNG H ,  RAJENDRAN BIPIN ,  RAOUX SIMONE ,  KREBS DANIEL ,  BREITWISCH MATTHEW J ,  SCHROTT ALEJANDRO G

IPC: H01L27/24

Abstract: Phasenwechsel-Speicherzelle, umfassend eine untere Elektrode, eine obere Elektrode, getrennt von der unteren Elektrode, und wachstumsdominiertes Phasenwechsel-Material abgeschieden zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode und kontaktierend die untere Elektrode und die obere Elektrode und umgeben von Isoliermaterial an den Seitenwänden davon. Die Phasenwechsel-Speicherzelle in einem Reset-Zustand umfasst nur eine amorphe Phase des wachstumsdominierten Phasenwechsel-Materials in einem aktiven Volumen der Phasenwechsel-Speicherzelle.

公开(公告)号：DE102008008679A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：DE102008008679

申请日：2008-02-12

Applicant: IBM ,  MACRONIX INT CO LTD ,  QIMONDA AG

Inventor： BREITWISCH MATTHEW J ,  BURR GEOFFREY ,  CHEN CHIEH-FANG ,  CHEN SHIHHUNG ,  CHEN YI-CHOU ,  HAPP THOMAS ,  JOSEPH ERIC ,  LAM CHUNG HON ,  LUNG HSIANG-LAN ,  PHILIPP JAN BORIS ,  SCHROTT ALEJANDRO G

IPC: H01L27/24

公开(公告)号：DE69302205D1

公开(公告)日：1996-05-23

申请号：DE69302205

申请日：1993-02-15

Applicant: IBM

Inventor： BRUSIC VLASTA A ,  FRANKEL GERALD SIMON ,  PETERSEN TINA ALEXEANDRIA ,  RUSH BENJAMIN MARK ,  SCHROTT ALEJANDRO G

IPC: C23F11/00 ,  C23F11/10 ,  C23F11/14 ,  G11B5/187 ,  G11B5/31 ,  G11B5/72 ,  G11B5/84

Abstract: A corrosion protecting film layer is formed on a non-passivating non-noble metal, such as cobalt, by placing the metal in a dilutesolution of Cu ions and benzotriazole (1 H-BTA). Exposure of the metal to a solution containing Cu and 1 H-BTA results in a spontaneous interaction of Cu and the metal to produce a film layer of Cu(I)BTA on the metal surface to create a permanent corrosion protection for the metal. A borate buffer, such as boric acid and a borate, can be added to the solution to adjust the pH of the solution to be in the range between 8 and 9.